いった化合物半導体で作れば、抵抗とスイッチング損失を小さくできます。その実現には、安くて高品質な結晶が無ければ始まりません。照明、そして自動車といった電子機器に必ず使われている半導体も結晶から作られています。これらの半導体の中で電力制御に用いられるもの、すなわちパワー半導体に焦点を絞ると、シリコンが最も幅広く利用され、すでにシリコンの物性限界に迫るところまで改良されてきました。言い換えれば、製品のさらなる省電力化や小型化を実現するには、シリコンよりも高い材料特性を有する半導体、すなわち次世代半導体(SiC、GaN)の開発が欠かせません。いった化合物は常温常圧では一致融液が存在しません。したがって、気体の状態で原料を供給して結晶化させる必要があります。環境を必要とする場合が多いため、技術的な課題も山積しています。中心にらせん転位が存在する。μmで、らせん状に単結晶成長が進行する。単結晶の高品質化、そして大型化を低価格で実現するために、新規成長法の提案と実証を進めています。法では、原理的に長時間成長による長尺化ができません。源となるアンモニアの反応により生じる固体の副生成物が、成長装置の配管を閉塞させてしまうためです。種結晶上に供給し、アンモニアと反応させるため副生成物がなく、長時間成長が可能な手法となっています。超える高速成長や、従来法に比べて高いGa原料収率を実証しています。とって、非常に大きなコスト削減に繋がります。可能で生産性のあるバルク成長法となり得るポテンシャルを有しています。