1】(式(3)中、R12は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R13は、フッ素原子を有する炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はフッ素原子を有する炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基である。上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。)【化2】(式(4)中、R14は、水素原子、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。R15は、(k+1)価の連結基である。X3は、フッ素原子を有する2価の連結基である。R16は、水素原子又は1価の有機基である。kは、1〜3の整数である。X3及びR16が複数存在する場合、複数のX3及びR16は、同一又は異なってもよい。)【化3】(式(5)中、R17は、フッ素原子を有する炭素数1〜6の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基、又はフッ素原子を有する炭素数4〜20の1価の脂環式炭化水素基である。上記アルキル基及び脂環式炭化水素基は、水素原子の一部又は全部が置換されていてもよい。cは、0〜2の整数である。dは、0〜4の整数である。4】(式(1)中、aは、0〜3の整数である。R1は、1価の有機基である。R1が複数存在する場合、複数のR1は、同一又は異なってもよい。R2は、1価の有機基である。X1が複数存在する場合、複数のX1は、同一又は異なってもよい。8】(1)請求項1から請求項6のいずれか1項に記載のネガ型感放射性組成物を用い、基板上に塗膜を形成する工程、(2)上記塗膜を露光する工程、(3)上記露光された塗膜を加熱する工程、(4)上記加熱された塗膜を現像液で現像する工程、及び(5)高エネルギー線照射及び/又は加熱により硬化処理を施す工程を含む絶縁膜の製造方法。集積回路素子等を製造する微細加工分野において、より高い集積度を得るためにKrFエキシマレーザー(波長248nm)やArFエキシマレーザー(波長193nm)等に代表される短波長の放射線を利用したリソグラフィー技術の開発が行われている。含有した化学増幅型レジストが用いられている。微細なレジストパターンを形成することが望まれており、その形成方法として例えば液浸露光法が知られている。この液浸露光法によれば、既存の装置に実装されているレンズや露光光源を流用できるためコスト面で優れており、さらに露光装置の光源波長を短波長化した場合と同等の解像性等が得られる。開発されている(特許文献1〜3参照)。