SiC・GaN単結晶市場の現状と将来展望ポストSiのパワー半導体としてSiCとGaNのワイドギャップ半導体はインバータ、コンバータなどの電力損失を大幅低減できる次世代のパワー半導体として注目されている。その基板材料としてSiCとGaN単結晶も日米欧の先行メーカーだけでなく中国などアジアメーカーもこれをキャッチアップしようとしている。これらによりウエハー高品質化や大口径化など、ワイドギャップ半導体デバイスの市場拡大に向けた取り組みが進められている。Siなどへのヒアリングも加えることで、ワイドギャップ半導体デバイスの市場浸透時期と規模をベースとした単結晶市場の今後の動向を捉えるレポートとして発刊致しました。エレクトロニクス購入商品を選択し「購入申込」ボタンをクリックしてください。)429,000390,00039,000※セット価格は、同一購入者の方が書籍とPDFの両方を同時にご購入いただく場合の特別価格です。書籍のみをご注文される方は、FAXまたはメールにてご注文頂けます。申込書はこちら(準備中)の「詳細目次」「サンプル」は、資料発刊後のご提供になります。注1)利用範囲:以下に限定させて頂きます。※事業所とは、経済活動が単一の経営主体のもとにおいて一区画を占めて行われる場所を指します。注2)PDF提供方法:マイページより、ダウンロードにて入手頂きます。テキスト・図(グラフ)の抽出等不可」、「しおり機能無し」。調査目的:SiC、GaN単結晶メーカーや事業化に向けた取り組みを進めている企業や研究機関の現在動向と今後の事業施策を徹底調査し、更にデバイス化メーカーなどの周辺調査を加えることで、SiC、GaN単結晶市場の現状と今後の動向を詳細に把握することを目的とする。購入商品を選択し「購入申込」ボタンをクリックしてください。)143,000130,00013,000セット(書籍とPDFレギュラー)176,000160,00016,000PDFコーポレート(法人内共同利用版)286,000260,00026,000セット(書籍とPDFコーポレート)319,000290,00029,000PDFグローバルコーポレート(法人内共同利用版)429,000390,00039,000※セット価格は、同一購入者の方が書籍とPDFの両方を同時にご購入いただく場合の特別価格です。書籍のみをご注文される方は、FAXまたはメールにてご注文頂けます。申込書はこちらこのレポートの関連情報やさらに詳しい情報についての調査を検討したい矢野経済研究所では、個別のクライアント様からの調査も承っております。至るまで、課題解決に向けた全ての段階において、クライアント企業をトータルでサポート致します。詳細は、受託調査・コンサルティングのご案内をご覧ください。