2003におけるインフィニオンの発表の概要をご紹介します。SSCIRCは、固体電子回路に関する最近の進歩について発表と討論を行うフォーラムであり、欧州で毎年開催されています。ナログおよびデジタル回路、高周波および通信回路、ミクストシグナル回路、マイクロシステム、データ変換器です。今年のESSCIRCでは、インフィニオンは先進半導体技術の開発成果を軸に、6件の論文と1件のポスターを発表しました。表題と要約を、以下にご紹介します。SiGeバイポーラ技術によって実現した、4.8~5.7GHz用の高周波パワーアンプを紹介しています。個の集積化トランスを、入力の平衡不平衡変成器(Balun)およびステージ間のマッチング用に用いています。3本のコイルが、出力のLC平衡不平衡変成器と高周波チョーク用として内蔵されています。このパワーアンプは、外付け部品が一切不要です。GHzにおいて、供給電圧1.0V、1.5V、2.4V時に、それぞれ、出力電力17.7dBm、21.6dBm、25dBmを達成しています。応する電力効率(PAE)は、15.6%、22.4%、24%です。小信号利得は26dBです。トポロジーを紹介しています。この直接注入同期スキームにより、極めて低い入力容量とすぐれた高周波特性が達成されました。.13μm標準CMOS技術で作成した2つの試験回路によって検証されました。この発振器のうち一つは、消費電力が僅か3mWで、50GHzを同期範囲80MHzで2分周します。値がより低いもう一つの発振器は、消費電力が同じく3mWで、42GHzを同期範囲1.5GHzで2分周します。CMOS技術による完全集積4バンドGSMトランシーバについて述べています。帯域にわたる位相誤差が1.6°以下でGSM仕様を満足します。完全集積されたVCOは、周波数4GHzで動作し、正確な周波数は10ビット精度で設定できます。相雑音が低いため、送信SAWフィルタは不要です。受信側は57dBの一定した利得を持ち、14ビットADC内蔵のベースバンド・プロセッサに適しています。全帯域にわたる位相雑音の標準値は3dB以下です。消費電力は、トランジット・モード時が210mW、レシーバが250mWにすぎません。CMOS技術を適用したレジスタとトランジスタに関して、ディスタンス・ミスマッチとペア・マッチングの比較について述べています。parame-ter)を用いて解説しています。ャネルの短いトランジスタや幅の狭いレジスタを使用する場合、ミクストシグナルICの性能に関して、この勾配パラメータを考慮する必要があります。function)です。この論文は、ディスタンス・ミスマッチとペア・ミスマッチの量的比較を示しています。路シミュレータのための基本的なインプットとなるもので、回路設計の際の指針となります。CMOS技術で作られた、広帯域の連続時間シグマ・デルタADCを紹介しています。常のしきい値電圧のデバイスだけです。この回路は、ビデオや無線基地局などの広帯域アプリケーションをターゲットとしています。ペアンプとRC回路網をベースとしたループフィルタと、4ビットの内部量子化器(Quantizer)を採用しています。1ビットのダイナミックレンジを達成し、帯域幅は15MHzです。供給電圧1.5V時の電力損失は70mWです。CMOS技術で作られた、高速で低消費電力の完全集積4:1マルチプレクサを紹介しています。しいアーキテクチャが採用されています。デューティ比25%のパルスが入力をセレクトし、それらの入力がMUX出力時に現れます。ゲート数が少ないので、低消費電力設計が可能です。イミング条件が緩和されるのが、1段MUXトポロジーのもう一つの長所です。このMUXは、DCから最大20Gbpsまで動作し、消費電力は僅か82mWです。技術によるUMTS用10ビット、3mWの連続時間シグマ・デルタADCこのプレゼンテーションは、UMTS用の分解能10ビットの連続時間マルチビット・シグマ・デルタADCについて述べています。力効率のすぐれた三次マルチビット変調器が実現されました。レメントを低減することができます。0dBを達成し、供給電圧1.2V時の低消費電力は僅か3mWです。動車および産業分野や有線通信市場のアプリケーションへ向けた半導体およびシステムソリューション、セキュア・モバイル・ソリューション、メモリ製品などを供給しています。ジア太平洋地域ではシンガポール、そして日本では東京を拠点として活動しています。2003会計年度(9月決算)の売上高は61億5,000万ユーロ、2003年9月末の従業員数は約32,300名でした。ンフィニオンは、フランクフルトとニューヨークの証券取引所に株式上場されています。