以下のとおり書かれています。SLCの場合、この書き込み寿命は数万回〜数十万回とされる。(略)回数だけで比較すれば、MLCはSLCの2倍、TCLは3倍の書き込み頻度になるので、その分書き込み寿命が2分の1/3分の1になる計算だが、実際にはMLCはSLCに比べて1桁、TCLは2桁書き込み寿命が減少する。この記事を参考にした書き換え回数の上限は以下のとおりです。ついては書かれていません。以下のとおり書かれています。MLCチップでは、一般論として書き換え回数は1万回程度と言われているが、(略)データ保持期間の短縮など、信頼性の低下を度外視すれば、物理的に4万回程度であれば書けるものが存在しても不思議ではないです。SLCの書き換え回数は10万回と言われていますが、10万回に達した瞬間に壊れるわけではありません。書き換え回数というのは、規定のデータ保持期間などの信頼性要件を達成できる、保証の範囲を示している数値なのですこの記事を参考にした書き換え回数の上限は以下のとおりです。ついては書かれていません。1万回となるようです。先の記事には書き換え回数の上限の基準について書かれておらず、後に紹介する記事でも書かれていないことがありますが、同じように保証範囲を示す書き換え回数の上限と思われます。以下のとおり書かれています。エンデュランスはSLC方式のメモリセルが最も多く、チップ全体で10万回の書き換えを保証することが多い。MLC方式のメモリセルは隣接するしきい電圧値を分離するためのマージンが小さい。このためエンデュランスはSLC方式よりも少なくなる。1000回〜3000回が、製品で保証する書き換え回数である。TLC方式ではエンデュランスはさらに少なくなり、300回〜500回くらいに下がってしまう。エンデュランスとは保証する書き換え回数のことです。この記事を参考にした書き換え回数の上限は以下のとおりです。ついては書かれていません。以下のとおり書かれています。NANDだと10万回の書き込みで10年のデータ保持がが保障される。NANDだと10年のデータ保持だが書き込み寿命は3000回だ。標準化されている何らかの仕様を満たす場合の書き換え回数と考えられます。この記事を参考にした書き換え回数の上限は以下のとおりです。ついては書かれていません。以下のとおり書かれています。プレーナ型NANDフラッシュメモリの時代には、書き換え可能な回数はSLC方式では10万回、MLC方式では1万回、TLC方式では1,000回とされていた。1bit増やすごとに、10分の1に減少するというのが、おおよその目安である。NANDフラッシュ技術の登場によって一時的に食い止められた。NANDフラッシュにおける書き換え可能な回数は3,000回〜5,000回と言われている。NANDフラッシュである。TLC方式からQLC方式への変更によって書き換え可能な回数は5分の1〜10分の1になるとされる。具体的には、300回〜1,000回である。フラッシュメモリーとも呼ぶものです。フラッシュメモリーには、データを記憶するためのセルが多数あります。このセルを平面に敷き詰めるような構造をしています。フラッシュメモリーでは、セルを平面に敷き詰め、さらに立体的に積み上げるような構造をしています。フラッシュメモリーの構造の違いによって書き換え回数の上限が変わってくるようです。この記事を参考にした書き換え回数の上限は以下のとおりです。型どちらの書き換え回数の上限なのか書かれていませんでしたので不明です。