大和田敦之の日米の開発現場から次世代のロジック系LSIにおいて活躍する能動素子はやはり電界効果型トランジスタを用いたCMOS回路になるだろう。脳に匹敵する300億トランジスタからなる1チップLSI(参考資料1)は動作速度が十分に速く、かつリーク電流が小さく消費電力が抑えられて初めて可能だ。筆者が考えるにこの利点を有するデバイスに注目するとMOSFETの先端を走るのがFINFETだ、と考えている。後述するがFINFETは、その誕生前から注目を集め祝福されて生まれたデバイスだ。インテルやTSMCはそれぞれ自社のFINFETの実用化に向けた進展を発表している。Technology」のセッションにおいて、米Intel社が22nm世代のCMOS技術を発表した、としている。VLSIシンポジウムでインテルが紹介したと報じている。この報告では、混載メモリーが集積密度において過去最高値の7.5Mビット/sq.mmを達成している。混載メモリーではFINFETの強さが発揮されている。CPUが登場し、マイクロアーキテクチャが完成した。同社は様々な省電力技術を導入して、Ultrabookやタブレット、最新のノートパソコンにも好適な設計だ、としている。nm世代のFINFETプロセスの提供時期を明言した、との報告がある。PresidentのHou(人名、すべて敬称略)が語った。それによれば、SoC向けのプロセス技術を使い2013年末には、立体トランジスタFINFETに基づく16nm世代プロセスの提供を始めるとしている。東芝はそのホームページで「立体構造トランジスタの3次元ひずみエンジニアリング技術」とのタイトルでその開発の進展を示している(参考資料5)。必要に応じて量産を展開するとの姿勢だ。finスープでも使い、この名前は大変に親しみやすい。Huが発表している図(参考資料6)がわかりやすい。SOI)構造で作製されている。Berkeleyゲート電極の下に絶縁膜上にFinがありFinの両端はソースSとドレインDが作られ各々電極につながる。Insulator)を使った例を示している。実用化されているFINFETはバルク構造になっている。SOIはコスト高なので実用には向かない面がある。FINFET特性における最大の特長は、オフ時のリーク電流が少ない点にあるのだが、従来のMOSFETと比べその構造上オフ時の空乏層がほぼ完全に遮断されるのがその理由だ。FINFETが最初に知られる発端になったのは1998年サンフランシスコで開催されたIEDMでの発表だ。Hisamoto)である。Berkley)に留学していた最中だった。Berkleyの側から見ると留学生が成果を出し、査読が厳しいIEDMにパスし、発表するのだから当然ながら歓迎したのだ。Berkleyであるとのスタンスを取っている。それを否定することはできない。Berkleyの貢献は大きい。米政府から研究資金を引きだしたのだ。)AMEプログラムの契約番号N66001-97-1-8910を得て、お金をもらっている。Deviceにはこのことが明示されている。IEDM論文の筆頭者は久本であり、発表したのも久本だから、中心になって研究に貢献したのは間違いなく久本なのだ。2011年に山崎貞一賞をFINFETの発明者に授与した。Berkleyが誕生前のアイデアの段階でこのデバイスを高く評価しDARPAに申請しその支援を受けてIEDMで発表しFINFETの地位を不動のものにしたのと比べて、いかにも遅い。米国と日本との実力の差はこんな形で現れた。SRAMにおいては東芝、IBM、AMDは2008年とやや古い情報だが、フィン形状の立体構造電界効果トランジスタを用いた世界最小のSRAMセルを開発し、動作を確認したと発表している(参考資料7)。この場合は、セルにおいてビットデータ読み書きのためのスイッチとしてFINFETが使われるケースであり、FINFETは当然DRAMやフラッシュメモリーでも使えるのだと思われる。先の報告でも明らかになったが、FINFETの実用化には相当の時間が経過している。久本が最初に発表してから今まで15年の月日がたった。?筆者が考えるに最初はウェーハがSOIであるため、コスト高にならざるを得なかった。それ故にFINFET量産実用化はワンチップ上に搭載するトランジスタ数において、もう一段の飛躍が必要だったが、SOIを使わないバルク構造でのプロセス開発に更に時間が必要だったのではないかと考えている。「今日のニュース」の著作権は日本経済新聞社及び日刊工業新聞社に帰属します。