増分に従って低下します。通報するこの回答へのお礼inaraさん、ありがとうございます。正孔はエネルギーの高い側に行こうとするんですね。分かりやすい回答で理解できました。半導体レーザー溶接とレーザー溶接の違いがわかりません。回答数ランキングです。職業心理カウンセラーこの専門家の回答をチェック他の専門家の回答をチェックこのQ&Aを見た人が検索しているワード構造DHこのQ&Aと関連する良く見られている質問Q活性化エネルギーの求め方が分かりませんある反応において、35°Cにおける速度定数が25°Cの2倍になったという。この反応の活性化エネルギーはいくらか求めたいのですが、わかりません。教えてください!Aベストアンサーryota7さんがお答えのように『アレーニウスの式』を利用すれば計算できると思いますよ。K=Ae^(-Ea/RT)となります。ここで、25°Cにおける頻度因子、活性化エネルギーは35°Cにおけるそれらと等しい(この温度間で変化しない)と仮定します。25°Cの時の速度定数、K(25°C)と35°Cの時の速度定数、K(35°C)の比を計算します。A(25°C)e^(-Ea/RT2)となります。ここではT1は35°Cに相当する絶対温度で35+273(k)T2は25°Cに相当する絶対温度で25+273(k)です。この式から分かるように頻度因子は約分されてしまいます。両辺の自然対数(底が10の常用対数ではありません。常用対数を使うのならば換算しなければなりません。)をとるとln2=(-Ea/RT1)-(-Ea/RT2)Ea/Rは共通なのでln2=(Ea/R)(1/T2-1/T1)となります。ここへT1,T2、Rを代入すればEaは簡単に計算できます。用いる気体常数の単位に気をつけてください。私が学生の頃は旧単位系なので1.987を用いていました。これを用いると計算結果はカロリーで出てきます。それをキロカロリーに換算して用いていました。現在はSI単位系つまりKJ/molでないといけないと思いますが、考え方自体は変わらないはずです。ちなみに、ln2=0.693として計算すると12.6kcal/mol(旧単位系)となりました。ryota7さんがお答えのように『アレーニウスの式』を利用すれば計算できると思いますよ。K=Ae^(-Ea/RT)となります。ここで、25°Cにおける頻度因子、活性化エネルギーは35°Cにおけるそれらと等しい(この温度間で変化しない)と仮定します。25°Cの時の速度定数、K(25°C)と35°Cの時の速度定数、K(35°C)の比を計算します。半導体になる元素はC,Si,Geがありますが、なぜこれらと同じ14属のSn,Pbは半導体にはならないのでしょうか?分かる方いましたらお願いします。さんの説明通りですが、若干(かなり)補足します。同様の傾向は、化合物でも見られます。組成が大きいほど格子定数が小さくなります。これをベガード則といって、これを利用して格子定数の測定値から混晶の組成を求めるという方法がよく使われています。)化合物でも成り立ちます。主な半導体の格子定数とバンドギャップの関係を示したものですが、全体に右下がりになっています。横軸の格子定数が大きいほど縦軸のバンドギャップが小さくなります。この表の中で格子定数が最も大きく、バンドギャップは0.25eV程度と半金属になっています。直線で結ばれているように、混晶の格子定数とバンドギャップの関係は比例関係にあります。GaIs-InAs系は曲線で結ばれているのでリニアではありませんし、GaAs-AlAs系のように、組成が変わっても格子定数がほとんど変わらない場合もあります。原子間距離が小さいほどバンドギャップが小さくなるのは、化学結合や半導体物理を学ばれていないと理解が難しいのですが、まず孤立原子を考えます。これに対して、結晶のように、複数の原子が規則的に並んでいて、その距離を縮めていくと、準位が広がりを持ってきて、エネルギー的に幅を持った「バンド(帯)」の状態になります。原子間距離が小さいほどバンドが広がっていきますが、バンドが広がってくると、隣接バンド間の間隔(ギャップ)が狭まってくるので、バンド間の間隔(バンドギャップ)が小さくなります。するので、半金属や金属になってしまいます。小さいのもこのためです。格子定数が大きいほどバンドギャップが小さくなるというのは、バンドギャップの温度依存(高温ほどバンドギャップが狭くなる)の説明にもなります。物質は高温ほど伸びますが、これは格子定数が大きくなっているからで、このため高温ほどバンドギャップが狭くなるのです。蛇足ですが、バンドギャップと屈折率にも関係があって、バンドギャップが大きいほど屈折率が小さくなります。ガラスやサファイヤなどバンドギャップが大きいものは屈折率が小さく、バンドギャップの小さいものほど屈折率が大きくなります(したがって光の反射率が高くなる)。この傾向を利用して、バンドギャップの小さい半導体を、バンドギャップの大きい半導体ではさんだダブルヘテロという構造が発光素子では使われています。すれば光を内部に閉じ込めることができるので発光効率を高めることができます。さんの説明通りですが、若干(かなり)補足します。同様の傾向は、化合物でも見られます。組成が大きいほど格子定数が小さくなります。双方向スイッチの双方向ってどういう意味ですか?CMOSでEXOR回路を作るとき、双方向スイッチを用いて回路を構成出来ると思います。動作自体はわかるんですが、双方向スイッチの双方向の意味がわかりません。いった部分が双方向なんでしょうか。AベストアンサーCMOSのEXOR回路に用いるスイッチってことなんで、バスのスイッチとかじゃなくて、CMOSスイッチ(パス・トランジスタ)のことをいっているんですかね。バイポーラトランジスタは、普通コレクタとエミッタが対称ではない(キャリアの濃度がかなり違う)ので、(VBEをONさせれば)コレクタからエミッタへは電流をたくさん流せますが、トランジスタを逆向きに使ってVBCをONさせてもエミッタからコレクタ側へは、あんまり電流を流すことができません。・もし、コレクタ側がエミッタ側よりも電位が高い場合には、(コレクタからエミッタに電流が流れて)、エミッタ側の電位はコレクタ側の電位に等しくなります。・逆に、もし、エミッタ側がコレクタ側よりも電位が高い場合には、(エミッタからコレクタへはトランジスタがONしてもあんまり電流が流れないので)、コレクタ側の電位は低いままです。いうわけで、バイポーラトランジスタをスイッチとして用いると、片方向にだけ通すスイッチになってしまいます。MOSトランジスタはバイポーラと違って、ソースとドレインが完全に対称なんで、オンさせると、ドレインからソースへ、あるいは、逆に、ソースからドレインへ、どっち向きにも電流が流れます。いうわけで、MOSでスイッチを作ると、双方向のスイッチができます。スイッチをONさせると、かならず、ドレインとソースの電位が等しくなります。MOSトランジスタはデバイスとして考えると、動作速度などバイポーラよりも劣っている部分も結構あるのですが、このソースとドレインが完全に対称で(双方向の)スイッチが簡単に作れるというのは大きな利点でして、CMOSアナログ回路は、いかにスイッチをうまく使うかってのがキモだったりします。CMOSのEXOR回路に用いるスイッチってことなんで、バスのスイッチとかじゃなくて、CMOSスイッチ(パス・トランジスタ)のことをいっているんですかね。バイポーラトランジスタは、普通コレクタとエミッタが対称ではない(キャリアの濃度がかなり違う)ので、(VBEをONさせれば)コレクタからエミッタへは電流をたくさん流せますが、トランジスタを逆向きに使ってVBCをONさせてもエミッタからコレクタ側へは、あんまり電流を流すことができません。バイポーラトランジスタをスイ...続きを読む他の回答も見るQRC並列回路(直流)の微分方程式が分かりませんRC並列回路(直流回路)の過渡応答の微分方程式がうまく導くことができません。初期状態で,電荷Qがコンデンサに蓄えられています。回路動作のイメージは出来ているのですが・・・。どなたか,助けていただけませんか?もうノートが真っ黒です。全クリア参照履歴を保存しない新規登録・ログインgooIDで新規登録・ログインログイン新規登録(無料)人気Q&Aランキングデイリーマンスリー3相200Vの1.5kwのモーターは何...電流の問題についてです。(3)...電流と電子の流れ方の違い4電流計の接続5高校物理:電流の基礎問題です。Inc.Q質問する(無料)Q&A検索goo検索gooIDで新規登録・ログイン新規登録する(無料)会員の方はこちら外部サービスのアカウントで新規登録・ログインYahoo!で新規登録・ログインGoogleで新規登録・ログインTwitterで新規登録・ログインFacebookで新規登録・ログインdアカウントで新規登録・ログイン※各種外部サービスのアカウントをお持ちの方はこちらから簡単に登録できます。お客様の許可なしに外部サービスに投稿することはございませんのでご安心ください。会員でない方、会員になるとあなたも質問や回答ができるようになります!!親切・丁寧な回答が集まる場30分以内に回答がもらえ回答数は平均3件!匿名(ニックネーム)での投稿なので。