>半導体レーザーのDH構造によるキャリアの閉じ込めなど入力中の回答があります。ページを離れますか?※ページを離れると、回答が消えてしまいますページを離れるA回答を続ける入力中のお礼があります。半導体レーザーでDH(ダブルへテロ)構造を用いたキャリアの閉じ込めについてなんですが、この場合電子が伝導帯に出てくるヘテロ障壁によって閉じ込められることは分かるのですが、正孔は価電子帯にあると思うので、ヘテロ障壁が価電子帯に出てきても、ヘテロ障壁がエネルギー的に低い側にできてしまって、正孔がより安定なエネルギーの低い方へ行くとすれば、正孔は閉じ込められない気がするのですが、どう考えれば良いですか?あと、半導体レーザーは消費電力が小さいということなのですが、一般的なレーザー(He-Neレーザーなど)と比べると、どの程度消費電力が小さいのですか?通報するこの質問への回答は締め切られました。」に関するQ&A:パワー半導体とは何か。図3(2ページ目)に、DH構造のバンドラインナップが出ています。DH構造とはヘテロ接合が2つあるだけでなく、以下のような構造をいいます。キャリア(電子・正孔)の閉じ込めに関連する項目です。電子はバンド図の下側(エネルギーの小さい方向)に落ちようとする性質があり、正孔は上に昇ろうとする性質があります(電子を玉、正孔を水の中の泡と考えてください)。ように価電子帯上端がクラッド層の価電子帯上端より高い位置にあるので、クラッド層から活性層に注入された正孔は活性層両側の価電子帯不連(壁)にはばまれて閉じ込められます。自動的に満たされます。周期律表の同じ族の半導体なら通常成り立ちます(バンドギャップが大きい材料ほど屈折率が小さくなる)。(消費電力について)He-Neの消費電力は知りませんが、半導体レーザのエネルギー変換効率は10-60%程度です。半導体レーザには「しきい値電流」というのがあって、これ未満の電流では発振(発光)しませんので、「しきい値電流×そのときの電圧」の電力が、発光に寄与しない損失になります。しきい値電流より大きな電流を流せば、その電流増分に比例した光パワー(W単位)が出てきます。よばれる量で、電流によらずほぼ一定です。