クレームの翻訳について、技術的見地と法律的観点の両方から考察する。semiconductor)について簡単に説明する。化合物半導体は2つ以上の原子が弱い静電引力で結合したものである。典型的な化合物半導体は、周期律表のIII族とV族の組み合わせ(GaAs、GaP、InP等)である。ほかにもII族とVI族の組み合わせ(CdTe、ZnSe等)や、IV族同士の組み合わせ(SiC)があり、それぞれ異なった機能を発揮する。III族とV族の組み合わせの代表的な化合物半導体のうち、窒化物半導体は窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、および窒化インジウム(InN)である。窒化アルミニウムは実際には絶縁体だが、このカテゴリーに含まれている。リン化物半導体には、リン化インジウム(InP)やリン化ガリウム(GaP)がある。ヒ化半導体には、ヒ化ガリウム(GaAs)のような2元素系とヒ化アルミニウムガリウム(AlGaAs)のような3元素系のものがある。化合物半導体の日英翻訳で注意すべきことがある。「ヒ化ガリウム」は、日本語では「ガリウムヒ素半導体」と化合物名ではなく、単に元素名を並べただけの表記がまかり通っていることである。arsenicになってしまい、これでは化合物にならない。phosphide(phosphorusではない)と、きちんと訳さないといけない。今回は、III族とV族の組み合わせに関する化合物半導体特許のクレームの翻訳を試みる。前記発光層よりもバンドギャップの小さい層に電極が形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の発光素子。各層の材料についての明細書の記述をまとめると下記のようになる。N(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)。活性層4(発光層)インジウムを含むIII-V窒化物半導体。N(0≦X、0≦Y、X+Y≦1)。小バンドギャップ層88、88’活性層4よりもバンドギャップの小さいInXAlYGa1-X-YN層。活性層よりもインジウム含有率(X)を高くすることで達成できる。翻訳に先立って、請求項1で理解すべきことはつぎのとおりである。この化合物半導体のV族元素が窒素に限られていることである。III族元素は、インジウム、アルミニウム、および/またはガリウムで構成されている。このうちガリウムは必須成分である。言い換えれば、GaN半導体に、第3成分と場合によっては第4成分が入り得ることを表している。「発光層」の定義を明細書と図面から読みとる必要がある。図面のnコンタクト層2からpコンタクト層6までの5層で発光層が構成されていることが理解できるまで明細書を丁寧に読む必要がある。この明細書では「発光層」は実は二重定義になっている。請求項1を読む限り、発光層は積層体であるから5層であると理解しないとつじつまが合わないが、段落【0015】では発光層があたかも活性層4であるかのような書き方になっている。【0013】から【0018】までの記述を見ると、すべての層がインジウム(In)を含むことが好ましいことが記載されているので、発光層は活性層に限定すべきでないと判断すべきである。「互いに導電型の異なる」は、III族元素の割合が異なると導電型も異なることを意味している。「バンドギャップの小さい層が、発光層ではない層に少なくとも一層以上形成されている」の意味を正確に把握する必要がある。ここが本発明のポイントなので、技術的理解と同時に法律的にどうカバーするか表現に工夫を要するところである。逆に言えば、この部分をうまく表現できれば、残りの部分は何とかなる。図面を見ると小バンドギャップ層88、88’と2つあるが、明細書の記述によれば88’が必須で88は必須ではない。物の発明なので、「積層されて」や「形成されて」などの流し書き表現を無視して、純粋に構造的な記述に修正して翻訳する。【請求項3】における「バンドギャップの小さい層に電極が形成されている」が言葉足らずである。図面を見るとp電極のことで有ることが明らかなので、「p電極」と補強して訳す必要がある。以上の考察を踏まえて、訳例を以下に示す。moreとしたのは、請求項3では一層のみの記述になっているので、整合性を取るためである。layerも奇妙である。oneは、実際は複数あるのが一般的だが、単数のケースも担保するという場合に使用されている。oneの単複の取り扱いに苦慮しているケースがよく見られる。数の概念の厳密な英語の問題点の一つである。いずれにしても、日本語の字句をそのまま訳すのではなく、技術的意味をよく理解し、法律的な観点も考慮して最適な英文にする技術が求められる。