竹内哲也教授(本学光デバイス研究センター長)らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全・安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス(半導体レーザー)の開発を目指す中で、高効率GaN(窒化ガリウム)レーザーを実現するための新しい基盤技術のひとつを確立し、5月16日、東京で発表しました。デバイス応用を担う「パワーデバイス・システム領域」、「レーザーデバイス・システム領域」が、それぞれ連携しています。竹内教授は「レーザーデバイス・システム領域」の代表。発表によると、研究成果のポイントは3点。現状、50%未満にとどまっているGaNレーザーの効率を大きく改善する「低抵抗・低コストGaNトンネル接合」を実証。Ωcm2)に重要であったことを発見。(MOVPE装置)1種類のみで形成、低コストを実現。竹内教授は「今後はレーザーの効率を上げたい」と抱負を述べました。離陸する革新的省エネ技術-」で、竹内教授は成果を詳しく解説しました。詳細はプレスリリースをご覧ください。結晶の作製技術確立」について紹介しました。記者からは今後の見通しを聞かれ、省エネルギーでサステナブル(持続可能)な社会構築に寄与する意気込みを強調しました。University。