第39回結晶成長討論会において、上記の題目のポスター発表が活発な討論の対象となったことが評価され名誉ある「ポスター賞」を受賞しました。配線材料や透明電極など様々なアプリケーションへの応用が期待されています。現在、グラフェンの成長にはCuやNiを触媒金属として利用するCVD成長が主に使われていますが、触媒金属上に成長させたグラフェンをデバイス応用する際に転写プロセスが必要であり、生産性の上で大きな問題となっています。大面積グラフェンの転写プロセスは技術的に難易度が高く、転写時のグラフェンの品質低下も問題となっております。私たちは、Wキャップ層を用いた析出法により、サファイア基板上に多層グラフェンを直接成長することに成功しました。この手法は今後のグラフェンデバイスの作製に大きく貢献する技術となることが期待されています。University。