竹内哲也教授(光デバイス研究センター長)らの研究グループは、青色LEDを発展させた、安全・安心な社会実現に寄与する新しい光デバイス(半導体レーザー)の開発を目指しており、このたび、トンネル接合を有する窒化ガリウム(GaN)青色レーザーとして世界最小しきい値電流密度を実現しました。この研究グループは、前年度に「低抵抗・低コストGaNトンネル接合」を実現しています(2018年5月16日に成果発表)。今回、このトンネル接合を用いて、波長450nmで動作する青色GaNレーザーを開発しました。レーザー動作に必要な電流密度は1.6kA/cm2であり、これまでに報告されたトンネル接合GaNレーザーとして最も低い値を実現しました。装置)1種類のみで形成されており、将来的な低コスト化も可能です。本成果により、高効率GaNレーザー開発が大きく加速することが期待されます。一環として行われました。同研究開発は2016年度から5カ年で進められています。システム研究所教授(本学特別栄誉教授)らが出席しました。竹内教授はレーザーデバイス・システム領域代表として発表し、「トンネル接合を用いたレーザーとして、世界で一番少ない電流で動作させることに成功しました。今後は高品質な活性層を組み込むことでさらに高効率なレーザーを作りたい」と意欲を示しました。*本研究成果(トンネル接合)は、特許出願(特願2017-239235)済みです。して選出されています。詳細はプレスリリースをご覧ください。University。