SiCN或SiCN制成的蚀刻停止层101和103。(例如,由掺杂氟的硅玻璃(FSG)或未掺杂的硅玻璃(USG)形成)。以形成用于MIM电容器的沟槽。(用于MIM电容器)。lll、电容器介质膜112以及金属阻档层113。TiCM莫以及Ab03膜)构成。可以用作MIM电容器的上电极。下金属阻挡层111可以用作MIM电容器的下电极。capacitor.参考图9,在金属阻挡层113上淀积第一导电膜114。114、金属阻挡层111和113以及电容器介质膜112。114、金属阻挡层ni和113以及电容器介质膜112没有被除去。电容器介质膜U2和下电极111的MIM电容器110。151.参考图11,淀积蚀刻停止层105。之后,淀积第二导电膜124。121和第二导电膜124的互连结构120。平面化之后,MIM电容器110和互连结构120具有相同的深度。)通孔147和157。MIM电容器IIO连接到互连结构140的通孔147和将互连结构120连接到互连结构150的通孔157。因此,在实施例中,当形成通孔157时,可以防止形成通孔147时损坏上电极113和上电极113上的第一导电膜114。147和157形成上互连结构140和150。140和150,而不损坏MIM电容器的上电极113或上电极113上的第一导电膜114。