イオン化を誘導します。コンダクタンスを増加します。スケールにミリ秒単位で発生するダイナミクスを特徴付けるしたい方お越しください。よって検出できる状態のコンダクタンスの非定常変化を介してダイナミクスが現れていることが重要です。pA)、信号がノイズで失われる、この手法では検出されません。システムの実験的変更は控えめなので、これらの技術は広くコミュニティにアクセス可能になりますが予想されます。制御ソフトウェアを関連付けられています。極低温走査トンネル顕微鏡をクールします。極低温に冷却されるべきこれは、適度な温度で熱活性化されるドーパントの電荷ダイナミクスを調査するときに特に重要です。他の部屋は、室温であります。装備されていることを確認します。つのチャネルを任意関数発生器を接続します。プローブの電圧パルスが個別に生成され、先端に渡す前にまとめたように、任意関数発生器を構成します。バイアスを適用します。つの高周波スイッチを任意関数発生器の出力チャンネルに接続します。間にできるようにスイッチを構成します。トンネルのサンプルに接続されているプリアンプを介してすべての測定のための電流を収集します。ウェーハからサンプルを切断します。商工会議所に隣接する超高真空チャンバーを紹介します。時間その温度に保持してサンプルをドガします。続行する前に室温に冷却するサンプルを許可します。フィラメントをドガします。続行する前に、フィラメント電源を切ります。サンプルすることができるために残る商工会議所このステップの間にそれがパッシベーションされるとその表面の自然酸化膜層によって、この手順から生じるサンプル表面の汚染はその後削除されます。フィラメントの温度は、特定の電流/電圧、温度計を使用してフィラメントに適用する校正する必要があります。圧力は、点滅する手順中に基本圧力からの大きさのいくつかの注文を増加します。このプロシージャ全体が点滅の後、部屋の温度、続行する前に基本の圧力に復旧するシステムを冷却するためのサンプルを待ちます。最後のフラッシュを達成するため高温にサンプルをフラッシュします。サンプル表面の汚染を得ることを防ぐために任意のフラッシュを中止します。フラッシュを達成するために使用される電圧・電流を記録します。サンプルを冷却すると結晶として熱に必要な電圧・電流を確認した後、室温に冷却し、続行する前に基本圧力回復システムのサンプルを聞かせてください。水素32H2を割れの効果があります。フィラメントをオフに、部屋の温度にサンプルを冷ます。これらの高いフラッシュ温度サンプル中のドーパント分布に影響を与えます。ドーパント空乏領域を誘導するために発見されています。間で平行を実行します。パルスの品質を評価します。探針を試料表面に近づきます。探針を使った作品は、多結晶タングステンを化学的にエッチングによって製作されました。Rezeqらによく記載されているプロシージャをエッチング窒素を使用してさらに研ぎ澄まされました。大規模な表面欠陥から無料サンプル表面の領域を探します。ダイマー列として表示されます。ローラーをオフにします。