製品を展開しています。Inc.の部門としてシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスとガリウムナイトライド(GaN)RFのソリューションで、エネルギー効率の高い未来創出をめざしています。富士エレクトロニクスでは、エネルギーの効率化を追求する新時代に向けて、SiCの特徴を生かしたパワーデバイスソリューションを提供致します。省スペース、システムの軽量化に、シリコン製品の限界を超えた、高信頼性の次世代デバイス、シリコンカーバイド製品が新登場。Powerデバイスは、あらゆる産業機器電源、パワコン、インバータ等に量産採用され始めている注目デバイスです。新製品ページはこちらページTOPへ[↑]新製品ニュース■第三世代1200V耐圧MOSFETの低オン抵抗品にTO-247パッケージの3ピンタイプをリリースしました。TO-247-3)特徴:パッケージがTO-247の3ピンタイプですので、従来の基板レイアウトにも親和性があります。■第三世代1200V耐圧MOSFETの低オン抵抗21mΩ、32mΩ品をリリースしました。モジュールをリリースしました。MOSFETを新たにリリースしました。ショットキーダイオードをリリースしました。ショットキーダイオードをリリースしました。MOSFETの新製品をリリースしました。SiCショットキーダイオードの新製品をリリースしました。■900V/30mΩの第三世代MOSFETをリリースしました。パッケージ:ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。packageを採用した1000V/65mΩの第三世代MOSFETをリリースしました。型名:C3M0065100K特徴:・Wolfspeed製MOSFETの第三世代の1000V耐圧MOSFETです。MOSFETの置換えにも最適なデバイスとなっております。packageを採用。ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。■新たに650V/16A及び30Aのショットキーバリアダイオードをリリースしました。下記2製品を新たに加え、さらにラインナップを強化いたしました。)をリリースしました。窒化ケイ素絶縁基板によって温度サイクルに対する耐久性が向上しました。CAS325M12HM2用ゲートドライバボードを同時リリースしました。Modulesに最適化されています。・低インダクタンスデザイン・過電流保護、オーバーラップ保護、逆接保護を搭載。・ヒステリシスを設定可能なUVLOを搭載。D2PAKパッケージ製品用評価ボードがリリースされました。MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と小さなフットプリントを実現しております。新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路構成となっております。テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。■第3世代MOSFETリリース第3世代はWolfspeed製MOSFETの最新の世代の製品です。MOSFETの置換えに最適なデバイスとなっております。Tj=25°C⇒Tj=150°Cで約1.4倍と非常に小さい温度依存性を実現。Qg、Ciss等容量特性に優れており、高速スイッチングに最適。D2PAKで十数nsと非常に高速であり、リカバリーロスの低減に貢献します。詳細なスペックは下記製品のデータシートをご確認下さい。MOSFETがソースのケルビン端子付きの新パッケージにてリリースされました。(TO-263-7)製品型名の末尾がパッケージ種別を表しており、「J」の付くものが7LD2PAKの製品となっております。ケルビンソース端子を搭載することで、ソース端子の寄生インダクタンスを低減する事が出来、スイッチング損失を低減する事が可能です。左から、1.ゲート、2.ケルビンソース、3~7.ソース、TAB.ドレインページTOPへ[↑]ディスクリート製品評価ボード■To-247-4対応MOSFET評価用ボードをリリースしました。MOSFETの高速スイッチング性能をご評価頂けます。ソース間の7ミリメートルの広い沿面距離と小さなフットプリントを実現しております。新しいパッケージは、ゲートリンギングを減少させ、綺麗なゲート信号を提供するソースのケルビン端子を含みます。評価ボードは事前に絶縁されたヒートシンク、クーリングファン、2つのMOSFET(C2M0120090J)が実装されており、ハーフブリッジの回路構成となっております。テストピンを立てるスルーホールが用意されておりますので、波形の測定も容易に実施可能です。■TO247-3パッケージ製品用評価ボード型名:KIT8020CRD8FF1217P-1特徴:MOSFETを2つ、Diodeを2つを実装し、ハーフブリッジ回路構成となっておりますので、昇圧チョッパ、降圧チョッパ、フルブリッジ、ダイオードブリッジ等様々な回路を構成でき、同軸コネクタやテストピンも実装されておりますので測定が容易です。付属し、すぐにSiCの動作を確認することが可能となっており、他には絶縁シート、放熱フィン、ネジ、ワッシャー等必要なが全て揃っており、すぐに評価環境を構築する事が可能です。サポート資料をご覧いただけます。