隆久)は、パワーMOSFETのポートフォリオに、データネットワーキング、通信、工業用アプリケーション向け高性能シングルNチャネルデバイスを新たに追加しました。これらデバイスは、非常に優れた低オン抵抗RDS(on)を実現することにより、伝導ロスを最小限に抑え、オペレーション全体の効率性を向上します。ゲートキャパシタンス(Ciss)が2164ピコファラド(pF)と非常に低いため、ドライバのロスが可能な限り低く抑えられます。VのNTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL、NTMFS5C646NLがあります。̊Cで動作するため、設計における熱の許容範囲が広くなります。オン・セミコンダクターは、さらにRDS(on)の追加や異なるパッケージ(例:micro8FL、DPAK、TO220)のデバイスにより、このポートフォリオを拡張していきます。Leonard)は次のように述べています。「お客様のエンジニアリング・チームは、高度の効率性を達成すると同時に基板面積を削減するパワーシステム設計の実現に常に取り組んでいます。0.42ドルからです。ON)は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。デザイン・センターのネットワークを運営しています。詳細については、https://www.onsemi.jpをご覧ください。LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。