おいて、キャリア制御のために導入したドーパント不純物の状態を非破壊・非接触で検出することに成功した。独立研究者らの研究グループによって得られた。現在の半導体トランジスタ材料の主流はシリコンであり、高速動作等の性能向上のためにそのサイズは年々縮小化されている。このまま縮小化を進めようとしても、リーク電流の増大、発熱の問題等により材料・構造の変革なくしては、更なる性能向上は見込めない。ゲルマニウム中の電子・正孔の移動度はシリコン中に比べてそれぞれ2倍、4倍と高いため、現在のシリコントランジスタの性能を凌駕する高速デバイスの実現が期待できる。ゲルマニウムを1次元のナノワイヤ構造にすることで、従来の平面型ではない縦型トランジスタが実現できる。これにより、リーク電流を低減し、低消費電力化による発熱の減少、そして、現行のLSIより飛躍的に高い集積度が期待されるなど、機能・構造の変革を同時に成し遂げることができる。微細なナノワイヤ半導体にどのようにしてキャリア制御のためのドーピングを行い、ドープされた不純物の状態をどのようにして観測するかということは大きな課題であった。導入する手法を確立し、均一性の高い不純物ドープゲルマニウムナノワイヤの作製に成功するとともに、ドープされた不純物の化学結合状態と電気的活性度を同時に非接触・非破壊で観測することに初めて成功した。これは高感度の検出器を備えた顕微ラマン分光装置で不純物の局在振動ピーク1)およびファノ共鳴が観測され新しい解析手法が確立されたことによって可能になったものである。近日中に掲載される予定である。Readerが必要です。(NIMS)このページの先頭へ。