outcomesCareerGalleryArticlesAccessEnglish検索:High-k絶縁膜シミュレーションMOSFETに高誘電率(high-k)ゲート絶縁膜を導入すると、しきい値電圧のコントロールが難しくなります。これは、high-k絶縁膜と界面SiO2層の間に電気的ダイポール層が形成されるためと考えられています。MD)シミュレーションを用いて調査しています。High-kゲートスタックに生じる界面ダイポールとhigh-k/SiO2モデルAl2O3/SiO2積層構造の場合、MOSFETのしきい値がプラスの方向にシフトすることが実験で明らかにされています。我々のMDシミュレーションでも、Al2O3側からSiO2側へと酸素イオンの移動が起こり、しきい値シフトの実験値を定量的に再現するダイポール層が自然に出現することがわかりました。