使用にはヒートシンク(放熱器)を必ず付けてください。一般に、素子のジャンクション温度TJが10°C上がる毎に半導体素子の寿命はほぼ半分になり、故障率は約2倍になるといわれており、シリコン半導体の場合はTJが約175°Cを超えると破壊されるのでTJを極力下げるように設計する必要があり、通常はTj=75-85°Cを目標に熱設計を行う。パワートランジスタのような高出力素子では、TJを85°C以下にすることは不可能で、仕様書に表示されているそのトランジスタの許容最高温度の0.8倍を目安にTjを設定するのが一般的である。Reserved.は空です。