CGM20GTrB」を発表しました。Ceramics)パッケージに収納されています。速に成長する無線通信市場において大きな役割を果たしています。当社は、増大する需要に対応するため、レーゲンスブルク工場バックエンドラインの生産能力拡大をはかりました」と、語りました。このパワーアンプモジュールは、インフィニオンのGaAs-MESFET技術をベースとしており、高い信頼性を提供します。パッケージは金属カバーを備え、すぐれた高周波シールド特性を提供します。ため、携帯電話自体にシールドを施す必要がなくなり、コストの削減がはかれます。セラミックパッケージの配線面積(Footprint)は10mm×12mmです。シレータ内蔵の負電圧発生器(NVG)、ドレインスイッチ、制御ICなどの付加機能も統合されています。GSMとPCNの出力は、正の制御電圧(0.2~2.5V)によって調整できます。従って、このパワーアンプモジュールは、正の制御電圧だけで動作できます。SM最大出力34.5dBm、PCN/PCS最大出力32.0dBmが達成されています(供給電圧3.2V時)。ライバ段を挿入することも可能です。パッケージの全電極は、はんだ付け後に目視検査ができるので、携帯電話の生産歩留まり向上に寄与します。12対応)をベースとしています。ップリンクで最大約57.6kbpsのデータ速度を支援します。これは、標準のGSM(14.4kbps)よりも4倍も速い値です。AP技術に突破口を開くものです。今回発表の「CGM20GTriB」は、2001年の中頃に量産開始の予定です。サンプルは、すでに供給可能です。Transistor)これら3種類の技術をベースとしたインフィニオンのGaAs製品は、ドイツのミュンヘンにある新鋭の6インチGaAsウェーハ工場で生産されています。ここでは、充分な量産体制ができています。