吐出される現像液の吐出圧を上記の範囲とすることにより、現像後のレジスト残渣に由来するパターンの欠陥を著しく低減することができる。このメカニズムの詳細は定かではないが、恐らくは、吐出圧を上記範囲とすることで、現像液がレジスト膜に与える圧力が小さくなり、レジスト膜・パターンが不用意に削られたり崩れたりすることが抑制されるためと考えられる。2)は、現像装置中の現像ノズル出口における値である。[0349]現像液の吐出圧を調整する方法としては、例えば、ポンプなどで吐出圧を調整する方法や、加圧タンクからの供給で圧力を調整することで変える方法などを挙げることができる。[0350]また、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に、他の溶媒に置換しながら、現像を停止する工程を実施してもよい。[0351]有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後には、リンス液を用いて洗浄する工程を含んでいてもよいが、スループット(生産性)、リンス液使用量等の観点から、リンス液を用いて洗浄する工程を含まなくてもよい。[0352]有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後のリンス工程に用いるリンス液としては、レジストパターンを溶解しなければ特に制限はなく、一般的な有機溶剤を含む溶液を使用することができる。ケトン系溶剤、エステル系溶剤、アルコール系溶剤、アミド系溶剤及びエーテル系溶剤の具体例としては、有機溶剤を含む現像液において説明したものと同様のものを挙げることができ、特に、酢酸ブチル及びメチルイソブチルカルビノールを好適に挙げることができる。なる群より選択される少なくとも1種類の有機溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行い、更に好ましくは、アルコール系溶剤又は炭化水素系溶剤を含有するリンス液を用いて洗浄する工程を行うことが好ましい。用いることがより好ましい。中でも、特に好ましくは、デカン、ウンデカン、ドデカンであり、最も好ましくはウンデカンである。)を用いることで、現像後にわずかにレジスト膜に染み込んでいた現像液が洗い流されて、膨潤がより抑制され、パターン倒れが抑制されるという効果が一層発揮される。[0354]上記各成分は、複数混合してもよいし、上記以外の有機溶剤と混合し使用してもよい。[0355]リンス液中の含水率は、10質量%以下が好ましく、より好ましくは5質量%以下、特に好ましくは3質量%以下である。含水率を10質量%以下にすることで、良好な現像特性を得ることができる。[0356]有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程の後に用いるリンス液の蒸気圧は、20°Cに於いて0.05kPa以上、5kPa以下が好ましく、0.1kPa以上、5kPa以下が更に好ましく、0.12kPa以上、3kPa以下が最も好ましい。リンス液の蒸気圧を0.05kPa以上、5kPa以下にすることにより、ウェハ面内の温度均一性が向上し、更にはリンス液の浸透に起因した膨潤が抑制され、ウェハ面内の寸法均一性が良化する。[0357]リンス液には、界面活性剤を適当量添加して使用することもできる。[0358]リンス工程においては、有機溶剤を含む現像液を用いる現像を行ったウェハを上記の有機溶剤を含むリンス液を用いて洗浄処理する。洗浄処理の方法は特に限定されないが、たとえば、一定速度で回転している基板上にリンス液を吐出しつづける方法(回転塗布法)、リンス液が満たされた槽中に基板を一定時間浸漬する方法(ディップ法)、基板表面にリンス液を噴霧する方法(スプレー法)、などを適用することができ、この中でも回転塗布方法で洗浄処理を行い、洗浄後に基板を2000rpm~4000rpmの回転数で回転させ、リンス液を基板上から除去することが好ましい。リンス工程の後に加熱工程(PostBake)を含むことも好ましい。ベークによりパターン間及びパターン内部に残留した現像液及びリンス液が除去される。リンス工程の後の加熱工程は、通常40~160°C、好ましくは70~95°Cで、通常10秒~3分、好ましくは30秒から90秒間行う。[0359]リンス液を用いて洗浄する工程を有さない場合、例えば、特開2015-216403の段落〔0014〕~〔0086〕に記載の現像処理方法を採用できる。[0360]また、本発明のパターン形成方法は、有機系現像液を用いた現像工程と、アルカリ現像液を用いた現像工程とを有していてもよい。有機系現像液を用いた現像によって露光強度の弱い部分が除去され、アルカリ現像液を用いた現像を行うことによって露光強度の強い部分も除去される。このように現像を複数回行う多重現像プロセスにより、中間的な露光強度の領域のみを溶解させずにパターン形成が行えるので、通常より微細なパターンを形成できる(特開2008-292975号公報の段落[0077]と同様のメカニズム)。トップコート形成用組成物など)は、金属、ハロゲンを含む金属塩、酸、アルカリ、硫黄原子又はリン原子を含む成分等の不純物を含まないことが好ましい。ここで、金属原子を含む不純物としては、Na、K、Ca、Fe、Cu、Mn、Mg、Al、Cr、Ni、Zn、Ag、Sn、Pb、Li、またはこれらの塩などを挙げることができる。これら材料に含まれる不純物の含有量としては、1ppm以下が好ましく、1ppb以下がより好ましく、100ppt以下が更に好ましく、10ppt以下が特に好ましく、実質的に含まないこと(測定装置の検出限界以下であること)が最も好ましい。各種材料から金属等の不純物を除去する方法としては、例えば、フィルターを用いた濾過を挙げることができる。フィルター孔径としては、ポアサイズ10nm以下が好ましく、5nm以下がより好ましく、3nm以下が更に好ましい。フィルターの材質としては、ポリテトラフロロエチレン製、ポリエチレン製、ナイロン製のフィルターが好ましい。フィルターは、これらの材質とイオン交換メディアを組み合わせた複合材料であってもよい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルター濾過工程では、複数種類のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種類のフィルターを使用する場合は、孔径及び/又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用しても良い。各種材料を複数回濾過してもよく、複数回濾過する工程が循環濾過工程であっても良い。各種材料に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をテフロン(登録商標)でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行っても良く、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用しても良い。有機系吸着材を使用することができる。本発明の有機系処理液に含まれる金属等の不純物を低減する方法としては、各種材料を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、各種材料を構成する原料に対してフィルター濾過を行う、装置内をテフロン(登録商標)でライニングする等してコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。各種材料を構成する原料に対して行うフィルター濾過における好ましい条件は、上記した条件と同様である。フィルター濾過の他、吸着材による不純物の除去を行ってもよく、フィルター濾過と吸着材を組み合わせて使用してもよい。有機系吸着材を使用することができる。[0362][収容容器]現像液及びリンス液に使用し得る有機溶剤(「有機系処理液」ともいう)としては、収容部を有する、化学増幅型又は非化学増幅型レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器に保存されたものを使用することが好ましい。施された金属から形成された、レジスト膜のパターニング用有機系処理液の収容容器であることが好ましい。この収容容器の上記収容部に、レジスト膜のパターニング用有機系処理液として使用される予定の有機溶剤を収容し、レジスト膜のパターニング時において、上記収容部から排出したものを使用することができる。施された金属から形成されることが好ましい。[0364]ここで、シール部とは、収容部と外気とを遮断可能な部材を意味し、パッキンやOリングなどを好適に挙げることができる。[0365]ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、及び、ポリエチレン-ポリプロピレン樹脂からなる群より選択される1種以上の樹脂とは異なる樹脂は、パーフルオロ樹脂であることが好ましい。[0366]パーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂(PTFE)、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合樹脂(FEP)、四フッ化エチレン-エチレン共重合体樹脂(ETFE)、三フッ化塩化エチレン-エチレン共重合樹脂(ECTFE)、フッ化ビニリデン樹脂(PVDF)、三フッ化塩化エチレン共重合樹脂(PCTFE)、フッ化ビニル樹脂(PVF)等を挙げることができる。[0367]特に好ましいパーフルオロ樹脂としては、四フッ化エチレン樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、四フッ化エチレン-六フッ化プロピレン共重合樹脂を挙げることができる。ニッケルクロム鋼、ニッケルクロムモリブデン鋼、クロム鋼、クロムモリブデン鋼、マンガン鋼等を挙げることができる。しては、皮膜技術を適用することが好ましい。[0370]皮膜技術には、金属被覆(各種メッキ),無機被覆(各種化成処理,ガラス,コンクリート,セラミックスなど)および有機被覆(さび止め油,塗料,ゴム,プラスチックス)の3種に大別されている。[0371]好ましい皮膜技術としては、錆止め油、錆止め剤、腐食抑制剤、キレート化合物、可剥性プラスチック、ライニング剤による表面処理が挙げられる。[0372]中でも、各種のクロム酸塩、亜硝酸塩、ケイ酸塩、燐酸塩、オレイン酸、ダイマー酸、ナフテン酸等のカルボン酸、カルボン酸金属石鹸、スルホン酸塩、アミン塩、エステル(高級脂肪酸のグリセリンエステルや燐酸エステル)などの腐食抑制剤、エチレンジアンテトラ酢酸、グルコン酸、ニトリロトリ酢酸、ヒドロキシエチルエチオレンジアミン三作酸、ジエチレントリアミン五作酸などのキレート化合物及びフッ素樹脂ライニングが好ましい。好ましいのは、燐酸塩処理とフッ素樹脂ライニングである。[0373]また、直接的な被覆処理と比較して、直接、錆を防ぐわけではないが、被覆処理による防錆期間の延長につながる処理方法として、防錆処理にかかる前の段階である「前処理」を採用することも好ましい。[0374]このような前処理の具体例としては、金属表面に存在する塩化物や硫酸塩などの種々の腐食因子を、洗浄や研磨によって除去する処理を好適に挙げることができる。[0375]収容容器としては具体的に以下を挙げることができる。鋼製ドラム缶(接液内面;燐酸亜鉛皮膜)[0377]また、本発明において用いることができる収容容器としては、特開平11-021393号公報[0013]~[0030]、及び特開平10-45961号公報[0012]~[0024]に記載の容器も挙げることができる。[0378]本発明の有機系処理液は、静電気の帯電、引き続き生じる静電気放電に伴う薬液配管や各種パーツ(フィルター、O-リング、チューブなど)の故障を防止する為、導電性の化合物を添加しても良い。導電性の化合物としては特に制限されないが、例えば、メタノールが挙げられる。添加良は特に制限されないが、好ましい現像特性を維持する観点で、10質量%以下が好ましく、更に好ましくは、5質量%以下である。薬液配管の部材に関しては、SUS(ステンレス鋼)、或いは帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など)で被膜された各種配管を用いることができる。フィルターやO-リングに関しても同様に、帯電防止処理の施されたポリエチレン、ポリプロピレン、又はフッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン、パーフロオロアルコキシ樹脂など)を用いることができる。[0379]なお、一般的に、現像液およびリンス液は、使用後に配管を通して廃液タンクに収容される。その際、リンス液として炭化水素系溶媒を使用すると、現像液中に溶解したレジストが析出し、ウェハ背面や、配管側面などに付着することを防ぐために、再度、レジストが溶解する溶媒を配管に通す方法がある。配管に通す方法としては、リンス液での洗浄後に基板の背面や側面などをレジストが溶解する溶媒で洗浄して流す方法や、レジストに接触させずにレジストが溶解する溶剤を配管を通るように流す方法が挙げられる。配管に通す溶剤としては、レジストを溶解し得るものであれば特に限定されず、例えば上述した有機溶媒が挙げられ、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、2-ヘプタノン、乳酸エチル、1-プロパノール、アセトン、等を用いることができる。中でも好ましくは、PGMEA、PGME、シクロヘキサノンを用いることができる。[0380][フォトマスク]また、本発明は、上記したパターン形成方法を用いて作製されたフォトマスクにも関する。上記したパターン形成方法を用いて作成されたフォトマスクは、ArFエキシマレーザー等で用いられる光透過型マスクであっても、EUV光を光源とする反射系リソグラフィーで用いられる光反射型マスクであってもよい。[0381][電子デバイスの製造方法]また、本発明は、上記したパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法にも関する。通信機器等)に、好適に搭載される。実施例[0382]以下に実施例に基づいて本発明を更に詳細に説明する。処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す実施例により限定的に解釈されるべきものではない。[0383]<溶剤>(乳酸エチル1~5の合成)グルコースを乳酸菌によって乳酸発酵させ、得られた乳酸をエチルエステル化により、乳酸エチル1~5をそれぞれ得た。(乳酸エチルC1の合成)アセトアルデヒドとシアン化水素から乳酸ニトリルを合成し、加水分解し乳酸得た。上記で得られた乳酸をエチルエステル化することで、乳酸エチルC1を得た。得られた乳酸エチル1~5、及び乳酸エチルC1の具体的な組成について、以下に記載する。各乳酸エチルのL体比率、D体比率は、質量比である。8%、D体比率92%)乳酸エチルC1:(L体比率50%、D体比率50%)[0384]また、上記乳酸エチル1と同様に乳酸エチル6~8を合成した。乳酸エチル6~8の具体的な組成について、以下に記載する。(L体比率88%、D体比率12%)[0385]<実施例1~5、比較例1>上記乳酸エチル1~5、及び乳酸エチルC1を用いて、下記のように酢酸含有量、及び純度を測定した。ガスクロマトグラフ質量分析装置GCMS-QP2010)を用いて測定した(初期値(ppm))。ガスクロマトグラフ質量分析装置GCMS-QP2010)を用いて測定した(経時後の酢酸含有量(ppm))。「経時後の酢酸含有量(ppm)-初期値(ppm)」の値が低いほど、保存安定性が良好となる。ガスクロマトグラフ質量分析装置GCMS-QP2010で)を用いて測定した(初期値(%))。ガスクロマトグラフ質量分析装置GCMS-QP2010)を用いて測定した(経時後の純度(%))。「経時後(%)-初期値(%)」の値が低いほど、保存安定性が良好となる。[0388]酢酸含有量、純度の評価結果について、下記の表1に示す。[0389][表1][0390]表1から明らかなように、乳酸エチルC1と比べて、乳酸エチル1~5は、保存安定性に優れることが分かった。[0391]<樹脂(A)>使用した樹脂(P-1)~(P-7)について以下に示す。各樹脂の繰り返し単位の構造及びその含有量(モル比率)、重量平均分子量(Mw)、及び分散度(Mw/Mn)も示す。[0392][化64][0393][化65][0394]<光酸発生剤>使用した光酸発生剤の構造を以下に示す。[0395][化66][0396]光酸発生剤(S-1)~(S-4)から生成される酸のpKaは、-10以上5以下である。[0397]<酸拡散制御剤>使用した酸拡散制御剤の構造を以下に示す。[0398][化67][0399]<溶剤>使用した溶剤を以下に示す。EL1:乳酸エチル1EL2:乳酸エチル2EL3:乳酸エチル3EL4:乳酸エチル4EL5:乳酸エチル5EL6:乳酸エチル6EL7:乳酸エチル7EL8:乳酸エチル8ELC1:乳酸エチルC1(比較例用)PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートPGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル[0400]<実施例101~116、比較例101~102>[レジスト組成物の塗液調製及び塗設]下記表2に示す成分を下記表2に示す溶剤に溶解させ、下記表2に示した固形分濃度の溶液を調製し、これを0.02μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物R-1~R-16、R-C1~R-C2を得た。これらのレジスト組成物を、予めヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した6インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、130°C、300秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚100nmのレジスト膜を得た。ここで、1インチは、0.0254mである。上記Siウェハをクロム基板に変更しても、同様の結果が得られるものである。[0401][EB露光及び現像]上記で得られたレジスト膜が塗布されたウェハを、電子線描画装置((株)日立製作所製HL750、加速電圧50KeV)を用いて、パターン照射を行った。この際、1:1のラインアンドスペースが形成されるように描画を行った。電子線描画後、ホットプレート上で、100°Cで60秒間加熱した後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液をパドルして30秒間現像し、純水でリンスをした後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、95°Cで60秒間加熱を行うことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S-4300)を用いて観察した。線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを解像するときの露光量(電子線照射量)を感度(Eop)とした(経時前の感度)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、感度を測定した(経時後の感度)。上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペース(ライン:スペース=1:1)が分離解像する最小の線幅)をL/S解像力(nm)とした(経時前の解像力)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、L/S解像力を測定した(経時後のLS解像力)。得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S-4300)を用いて観察した(経時前の形状)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、形状を測定した(経時後の形状)。[0405]なお、下記表2において、溶剤以外の各成分の含有量(質量%)は、全固形分に対する含有比率を意味する。下記表2には用いた溶剤の全溶剤に対する含有比率(質量%)を記載した。評価結果を表3に記載した。[0406][表2][0407][表3][0408][表4][0409][表5][0410]<実施例201>[レジスト組成物の塗液調製及び塗設]下記表4に示す成分を下記表4に示す溶剤に溶解させ、下記表4に示した固形分濃度の溶液を調製し、これを0.02μmのポアサイズを有するポリエチレンフィルターでろ過して、レジスト組成物R-21を得た。これらのレジスト組成物を、予めヘキサメチルジシラザン(HMDS)処理を施した6インチSiウェハ上に東京エレクトロン製スピンコーターMark8を用いて塗布し、100°C、60秒間ホットプレート上で乾燥して、膜厚150nmのレジスト膜を得た。ここで、1インチは、0.0254mである。上記Siウェハをクロム基板に変更しても、同様の結果が得られるものである。Tool、NA(開口数)0.3、Quadrupole、アウターシグマ0.68、インナーシグマ0.36)を用い、露光マスク(ライン/スペース=1/1)を使用して、パターン露光を行った。露光後、ホットプレート上で、100°Cで90秒間加熱した後、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド(TMAH)水溶液を用いて60秒間浸漬した後、30秒間、水でリンスした。その後、4000rpmの回転数で30秒間ウェハを回転させた後、95°Cで60秒間ベークを行なうことにより、線幅50nmの1:1ラインアンドスペースパターンのレジストパターンを得た。得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S-4300)を用いて観察した。線幅50nmの1:1ラインアンドスペースのレジストパターンを解像するときの露光量(EUV照射量)を感度(Eop)とした(経時前の感度)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、感度を測定した(経時後の感度)。上記の感度を示す露光量における限界解像力(ラインとスペース(ライン:スペース=1:1)が分離解像する最小の線幅)をL/S解像力(nm)とした(経時前の解像力)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、L/S解像力を測定した(経時後のLS解像力)。得られたパターンの断面形状を走査型電子顕微鏡((株)日立製作所製S-4300)を用いて観察した(経時前の形状)。上記レジスト組成物を23°Cで1年保管し、前述の通りにレジストパターンを形成して、形状を測定した(経時後の形状)。[0415]なお、下記表4において、溶剤以外の各成分の含有量(質量%)は、全固形分に対する含有比率を意味する。下記表4には用いた溶剤の全溶剤に対する含有比率(質量%)を記載した。評価結果を表5に記載した。[0416][表6][0417][表7][0418]使用した樹脂(P-8)について以下に示す。樹脂(P-8)の繰り返し単位の構造及びその含有量(モル比率)、重量平均分子量(Mw)、及び分散度(Mw/Mn)も示す。[0419][化68][0420]酸拡散制御剤(Q-4)の構造を以下に示す。[0421][化69][0422]光酸発生剤(S-5)の構造を以下に示す。[0423][化70][0424]光酸発生剤(S-5)から生成される酸のpKaは、-10以上5以下である。[0425]表2~5の結果から、実施例のレジスト組成物は、一定期間保存した場合であっても、パターン形成において、良好な感度、良好な解像性、良好なパターン形状を極めて高次元で並立できることが分かった。びにこれを用いた、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、及びフォトマスクを提供することができる。[0427]本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は、2018年6月29日出願の日本特許出願(特願2018-125419)に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。用いて形成された感活性光線性又は感放射線性膜。露光された前記レジスト膜を、現像液を用いて現像する現像工程と、を含むパターン形成方法。[請求項12]請求項11に記載のパターン形成方法を用いて作製されたフォトマスク。