特許第3590464号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。特許第3590464号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。)は平成7年12月8日に出願され、その請求項1ないし3に係る発明は平成16年8月27日にその特許権の設定登録がなされたものである。本件特許に対して、平成25年2月21日に本件訂正審判の請求がなされ、その後の方式上の手続を除く手続の経緯は次のとおりである。2.手続補正書の適否1.平成25年4月26日付けの手続補正書についてこの手続補正書による補正は、平成25年2月21日付けの審判請求書における訂正事項に、新たに「訂正事項8」を付け加えるものであって、その内容は、「特許請求の範囲の請求項2を削除し、これに整合させるため、同請求項3の引用請求番号を1のみとし、発明の詳細な説明の段落【0009】を削除する」ものである。かかる補正事項は、特許請求の範囲の請求項2を削除という訂正事項を追加する補正と、この補正に整合させるための明細書、特許請求の範囲についての訂正事項の補正であるから、審判請求書の要旨を変更しないものである。2.平成25年5月21日付けの手続補正書についてこの手続補正書による補正は、審判請求書に添付された訂正明細書の段落【0008】に記載された「本発明の単結晶炭化珪素の製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に不純物を5×10^(18)cm^(-3)以上5×10^(19)cm^(-3)導入することを特徴とするものである。」とあるのを、「本発明の単結晶炭化珪素インゴットの製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に窒素を5×10^(18)cm^(-3)以上5×10^(19)cm^(-3)以下導入することを特徴とするものである。」に補正するものである。この補正は、審判請求書において「訂正事項5」としてあげられていた訂正事項が、同請求書に添付された訂正明細書の段落【0008】において正しく記載されていなかった不備を補正するものであるから、審判請求書の要旨を変更しないものである。3.よって、上記1及び2の手続補正書による補正は、特許法第131条の2第1項の規定に適合する適法なものといえるので、これら補正を認める。)のとおり訂正することを求めるものであって、次の訂正事項1?8のとおりのものである。(1)訂正事項1特許請求の範囲の請求項1に「炭素原子位置に不純物を」とあるのを「炭素原子位置に窒素を」に訂正する(請求項1の記載を引用する請求項2及び請求項3も同様に訂正する。(2)訂正事項2特許請求の範囲の請求項1に「5×10^(18)cm^(-3)以上6×10^(20)cm^(-3)以下」とあるのを「5×10^(18)cm^(-3)以上5×10^(19)cm^(-3)以下」に訂正する(請求項1の記載を引用する請求項2及び請求項3も同様に訂正する。(3)訂正事項3特許請求の範囲の請求項1に「4H型単結晶炭化珪素の製造方法」とあるのを「4H型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法」に訂正する(請求項1の記載を引用する請求項2及び請求項3も同様に訂正する。(4)訂正事項4特許請求の範囲の請求項2に「前記不純物が窒素である」とあるのを「単結晶炭化珪素を成長させる際に、雰囲気ガスとしてArガスに窒素ガスを含んだ混合ガスを流入させる」に訂正する(請求項2の記載を引用する請求項3も同様である。(5)訂正事項5願書に添付した明細書の段落【0008】に記載された「本発明の単結晶炭化珪素の製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に不純物を5×10^(18)cm^(-3)以上6×10^(20)cm^(-3)以下導入することを特徴とするものである。」とあるのを、「本発明の単結晶炭化珪素インゴットの製造方法は、炭化珪素からなる原材料を加熱昇華させ、単結晶炭化珪素からなる種結晶上に供給し、この種結晶上に単結晶炭化珪素を成長する方法において、炭素原子位置に窒素を5×10^(18)cm^(-3)以上5×10^(19)cm^(-3)以下導入することを特徴とするものである。(6)訂正事項6願書に添付した明細書の段落【0009】に記載された「また本発明においては、前記不純物が窒素であることを特徴とする。」とあるのを、「また本発明においては、単結晶炭化珪素を成長させる際に、雰囲気ガスとしてArガスに窒素ガスを含んだ混合ガスを流入させることを特徴とする。(7)訂正事項7願書に添付した明細書の段落【0010】に記載された「さらに、本発明においては、前記4H型単結晶炭化珪素の製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が150μm以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする。」とあるのを、「さらに、本発明においては、前記4H型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が150μm以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする。(8)訂正事項8特許請求の範囲の請求項2を削除する訂正をし、この訂正に整合させるために、同請求項3の「請求項1または2記載の」を「請求項1記載の」と訂正し、願書に添付した明細書の段落【0009】を削除する訂正をする。当審からの平成25年4月1日付けで訂正拒絶理由通知の概要は次のとおりである。(1)訂正事項4は、新たに、窒素の導入方法を特定するものであって、窒素の種類を限定するものでないし、誤記又は誤訳の訂正でも、明瞭でない記載の釈明でもないから、特許法第126条第1項ただし書きの何れをも目的とするものではない。(2)本件訂正後の特許請求の範囲の請求項1?3に係る発明(以下、それぞれ「本件訂正発明1?3」ということがある。)は、引用例1?6に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。(3)本件訂正発明1?3は、引用例5、1及び4に記載された発明に基づいて、当業者であれば容易に発明をすることができたものであるから、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができない。引用例1?6は、次のとおりのものである。第5.判断1.訂正の目的について(1)訂正事項1について訂正事項1は、訂正後の請求項1?3からなる一群の請求項の発明特定事項である請求項1に記載された「炭素原子位置に不純物を」の不純物について、その種類を特定しないものから「炭素原子位置に窒素を」と種類を窒素に限定するものであって、特許法第126条第1項ただし書き第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。(2)訂正事項2について訂正事項2は、訂正後の請求項1?3からなる一群の請求項の発明特定事項である請求項1に記載された「5×10^(18)cm^(-3)以上6×10^(20)cm^(-3)以下」について、その上限を「5×10^(19)cm^(-3)以下」とするものであって、特許法第126条第1項ただし書き第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。形態を「インゴット」に限定するものであって、特許法第126条第1項ただし書き第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。訂正事項8によって、特許請求の範囲の請求項2を削除する訂正をし、この訂正に整合させるために、同請求項3の「請求項1または2記載の」を「請求項1記載の」と訂正することは、特許法第126条第1項ただし書き第1号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当し、願書に添付した明細書の段落【0009】を削除する訂正は、特許請求の範囲の請求項2を削除する訂正によって生じる特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の齟齬を解消するものであるから、特許法第126条第1項ただし書き第3号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。この訂正事項8によって、訂正事項4及6は、実質的になくなったものといえ(以後、訂正事項4及6はなくなったものとして検討対象から外す。)、訂正事項4に係る訂正拒絶理由通知で指摘した不備は解消した。(5)訂正事項5及び7について訂正事項5及び7は、訂正事項1?3に係る訂正によって生じる特許請求の範囲の記載と発明の詳細な説明との記載の齟齬を解消するものであるから、特許法第126条第1項ただし書き第3号に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものに該当する。2.新規事項の追加の有無について訂正事項1?3、5、7及び8が願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであるか否かについて検討すると、訂正事項1?3、5、7及び8に係る事項は、同明細書の段落【0007】、【0012】、【0013】、【0020】、【0021】に記載されているから、訂正事項1?3、5、7及び8は、いずれも同明細書に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである。したがって、訂正事項1?3、5、7及び8は、特許法第126条第5項の規定に適合する。3.特許請求の範囲の実質上の拡張・変更の存否について訂正事項1?3、5、7及び8は、上記2.で述べたように特許請求の範囲の減縮または該減縮に伴う明瞭でない記載の釈明を目的とするものであるから、これら訂正事項によって、実質上特許請求の範囲が拡張されたり、変更されたりするものでもないことは明らかである。したがって、訂正事項1?3、5、7及び8は、特許法第126条第6項の規定に適合する。4.訂正の対象の一群の請求項について(1)本件特許の特許請求の範囲の請求項1、3についてみてみると、訂正事項1?3を含む請求項1を請求項3が引用しているから、訂正事項1?3に係る訂正後の請求項1、3は一群の請求項を構成している。よって、本件請求は特許法第126条第3項に適合するものである。5.本件訂正発明1?3(本件訂正発明2は削除された。訂正事項1?3は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、本件訂正発明1?3が、特許出願の際独立して特許を受けることができるかについて検討する。本件訂正発明1?3は、次のとおりである。前記4H型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法に用いる炭化珪素原料として、粒径が150μm以上の炭化珪素粉末を使用することを特徴とする請求項1または2記載の4H型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。1994,pp377-382」(以下、「引用例1」という。)には次の事項が記載されている。SiCバルク結晶の成長に関する幾つかの話題から得られた結果について記す。低抵抗基板として使用するための10^(20)/cm^(3)に至るまでの窒素をヘビードープした4H結晶の発展について、直径2インチの6H-SiCのウェハ生産について、及び2インチを超える直径の4Hと6H結晶の成長についての可能性について議論する。比較的大きく、デバイス開発用の高品質の炭化珪素(SiC)ウェハの有用性は、この材料を電子的及び光電子的に応用する上で、最近の関心の高まりにおける主要な要因であった。単結晶SiCブール(boule)を製造するためにクリー研究所が用いた方法、すなわち改良された種付き昇華法は、他のところで詳細に述べられている[6]。・・・・・・われわれは最近、窒素をヘビードープした4H-SiCウェハであって、Nd=1×10^(20)cm^(-3)の高さであり、抵抗率が0.0028Ω-cmの低さであるものを製造した。このポリタイプの生産の進歩は、パワーディバイスにとって特に興味深い・・・・・・。(ノースカロライナ州立大学))(3-2)本願出願前に頒布された刊行物である米国特許第4866005号明細書(以下、「引用例2」という。)には次の事項が記載されている。炭化珪素種晶へのSi、Si_(2)CとSiC_(2)蒸気フローを生成し維持することを有する方法。crystal.」(7欄3?21行)(当審訳:ここで使用したように、「一定のポリタイプ組成」という語は、一定比率の特定のポリタイプからなる粉末源に関するものであり、単一のポリタイプからなるものを含む。50%がアルファポリタイプ、50%がベータポリタイプである粉末源が一定のポリタイプ組成を示すように、実質的に完全に6Hアルフア炭素珪素からなる粉末源も一定のポリタイプ組成を示す。言い換えると、この組成は、ポリタイプに関して同質であろうと異種成分からなっていようと、昇華プロセスを通じて同じ組成を保つように制御しなければならない。直接的に述べるならば粉末源が一定のポリタイプ組成を実質的に有するように選択し、制御すると、発生するSi、Si_(2)C及びSiC_(2)の相対量又は比率が一定に保たれ、このプロセスの他のパラメータを適切に制御でき、種晶上に所望の単結晶成長を生じさせる。growth.」(10欄17?19行)(当審訳:昇華成長の間に炭化珪素結晶に不純物をドープする場合には、この技術が特に重要である。used.」(10欄22?26行)(当審訳:例えば、アルミニウムをドーピングすると4H炭化珪素の成長に有利であることが知られているが、軸の外れた種を使用すると、本発明に従ってアルミニウムをドーピングすることで炭化珪素の6H結晶を成長させることができる。1.」(12欄30行?13欄27行)(当審訳:実施例16Hアルフアポリタイプ炭化珪素から種を準備した。粉末源とをるつぼ内へと装備し、この粉末源は実施例1で記載したものと同じ粒径分布を有する。(昭和60年3月25日)」(以下、「引用例3」という。)には次の事項が記載されている。特別に設計された炉の中で、小さな種結晶を回転しながら、溶融物質からゆっくり引き上げて得られる、単結晶性の原子的構造をもつ、たとえばシリコンのような、純粋の結晶。」(1553頁の「ボウル」の項)(3-4)本願出願前に頒布された刊行物である特開平6-340498号公報(以下、「引用例4」という。)には次の事項が記載されている。粉末状SiC原料を加熱昇華させて原料温度より低い温度に保ったSiC単結晶よりなる種結晶上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、該粉末状SiC原料の温度を成長時間の経過とともに徐々に下げることにより成長を行うことを特徴とするSiC単結晶の成長方法。」(特許請求の範囲の請求項1)(チ)「実施例1種結晶として6H形の{00001}面ウェハの(000-1)C面(当審注:「-1」は1の直上にマイナスが付いたもの。)を使用し、成長スタート時の原料温度を2380°C、種結晶温度を2320°C、雰囲気圧力を20Torrとしてアンドープで成長を行った。成長中の原料温度のプロファイルを図3に示す。成長開始2時間後から1時間に約6°Cの割合で降下させた。得られた結晶は上部に大きな(000-1)ファセットを有し透明度がよかった。このインゴットから{0001}ウェハを切り出したところ、特に種結晶に近い部分のウェハは黒い結晶欠陥が多数見られた。インゴットの中央部と先端部から切り出したウェハにはこのような黒色の欠陥は見られなかった。種結晶に近い部分より取り出したウェハはアンドープにかかわらずやや緑がかっていた。そのウェハの一部は多少黄色がかっていた。これは、系内に残っていた残留窒素がドープされたものと思われる。色の違いは多形の種類によるものと思われる。取り出したウェハは非常に透明でウェハ全体が6H形であることが確認された。」(段落【0018】?【0022】)(ツ)「実施例2実施例1と同じ成長条件で成長を行った。成長速度を調べるため、約1時間毎に窒素ガスを流しマーキングを行った。成長した結晶をc軸を含む面で縦切りにしウェハを取り出した。窒素がドープされた部分は緑となるためこれより成長速度を見積った。成長開始直後の1時間でc軸方向に約1.6mm成長していた。これに対し成長終了前の1時間には約0.5mmしか成長しておらず、成長速度は徐々に小さくなっていることが確認された。」(段落【0023】)(3-5)本願出願前に頒布された刊行物である特開平6-316499号公報(以下、「引用例5」という。)には次の事項が記載されている。(ナ)「【産業上の利用分野】本発明は昇華再結晶法を用いた六方晶の炭化珪素単結晶を成長させる方法に関する。」(段落【0001】)(ニ)「図1(a)及び図1(b)に基づき第1の実施例について説明する。種結晶として、成長面方位が(0001)方向である六方晶型の炭化珪素単結晶からなる基板1を用意した。この基板1を黒鉛製坩堝蓋4の内面に取り付けた。黒鉛製坩堝3の内部には、原料として高純度の珪素2a及び炭素粉末2bを充填した。珪素2aとしては、粒状で2?5mm破砕状で純度が5Nもの、炭素粉末2bとしては粒度が10μmで純度が4Nのものを用いた。原料を充填した黒鉛製坩堝3を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋4で閉じ、黒鉛の支持棒6により二重石英管5の内部に設置した。黒鉛製坩堝3の周囲には黒鉛製フェールト7で被覆した。雰囲気ガスとしてアルゴンガス(Ar)を、ステンレス製チャンバー10の枝管9から二重石英管5の内部に流した。Arガスの流量は1l/分に設定した。次に、ワークコイル8に高周波電流を流し、高周波電流を調節することで珪素2aと炭素粉末2bの温度が1700°C、ワークコイルとして坩堝の位置を調節することで珪素2aと炭素粉末2bの原料と種結晶1との温度差が無くなるようにした。この状態で2時間保持することで珪素と炭素が反応して炭化珪素2が形成される。続いて、高周波電流を調節して種結晶の温度を2150°C、ワークコイルと坩堝の位置を調節し炭化珪素2の温度を2200°Cに設定する。次に、真空ポンプ13を用いて二重石英管5の内部を減圧した。この減圧は大気圧から?30Torrまで20分間かけて徐々に行い、30Torrの真空度で保持した。この状態で5時間保持することにより、約5mmの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。このようにして得られた炭化珪素単結晶をX線回折法、ラマン分光法により分析したところ、六方晶の炭化珪素単結晶が成長していることがわかった。以下)、高品質の6H形炭化珪素単結晶である。」(段落【0018】?【0020】)(ヌ)「次に、図1(a)及び図1(c)に基づき、第2の実施例について説明する。原料となる高純度の珪素2aと黒鉛ブロック2cを充填した。珪素2aとしては、JIS粒度が#300、黒鉛ブロック2cとしてはかさ密度が0.5の多孔質黒鉛を用いた。これらの原料を充填した黒鉛製坩堝3を、種結晶を取り付けていない黒鉛製坩堝蓋4で閉じ、黒鉛製の支持棒6により二重石英管5の内部に設置した。黒鉛製坩堝3の周囲には黒鉛製フェールト7で被覆した。雰囲気ガスとしてArガスを、ステンレス製チャンバー10の枝管9から二重石英管5の内部に流した。Arガスの流量は1l/分に設定した。ワークコイル8に高周波電流を流し炭化珪素粉末の温度が1800°Cになるように調節し、360分保持した。この処理により珪素と多孔質黒鉛が反応して炭化珪素2が形成される。その後、種結晶として、成長面方位が(0001)方向である六方晶型の4H型炭化珪素単結晶からなる基板1を用意した。この基板1を黒鉛製坩堝蓋4の内面に取り付けた。次に、原料を充填した黒鉛製坩堝3を、種結晶を取り付けた黒鉛製坩堝蓋4で閉じ、黒鉛製の支持棒6により二重石英管5の内部に設置した。黒鉛製坩堝3の周囲には黒鉛製フェールト7で被覆した。雰囲気ガスとしてアルゴンガス(Ar)、n型不純物添加用の窒素ガス(M_(2))(当審注:「N_(2)」の誤記と認める。)を、ステンレス製チャンバー10の枝管9から二重石英管5の内部に流した。Arガス、N^(2)(当審注:「N_(2)」の誤記と認める。)ガスの流量はそれぞれ1l/分、0.8cc/分に設定した。ワークコイル8に高周波電流を流し基板1の温度が2200°C、炭化珪素2(b)の温度が2300°Cになるように調節した。続いて、Arガスの流量を調節すると共に、真空ポンプ13を用いて二重石英管5の内部を減圧した。この減圧は大気圧から10Torrまで60分間かけて徐々に行い、10Torrの真空度で6時間保持した。この状態で8時間保持することにより、約8mmの厚さの炭化珪素単結晶が成長した。このようにして得られた炭化珪素単結晶をX線回折法、。