お問い合わせ会員登録/ログイン検索内容を選んでください。検索内容を選んでください。材料を用いたショットキーバリアダイオードを開発しました。高速スイッチング特性によるスイッチング損失の低減で、機器の動作周波数を向上させます。より、高速スイッチングが可能になります。小さいため、スイッチング損失を低減でき、機器の小型化に貢献します。Siファストリカバリダイオードのtrrは温度上昇に従って増大するのに対し、SiCではほぼ一定の特性を維持することができます。高温動作時もスイッチング損失が損なうことなく、駆動させることが可能です。ロームはデバイスプロセスの改善を継続し、世代変化に伴い低VFを実施しております。温度に対する特性の変動がSiに比べ小さいため、安定した特性で使用できます。Siのファストリカバリーダイオードとは逆で、順方向電圧が正の温度係数であるため、素子の並列接続が容易になります。並列接続時の熱暴走の防止に貢献します。第二世代SBDではプロセスを工夫することにより、リーク電流やリカバリ性能を従来品と同等に保ちながら立ち上がり電圧を約0.15V低減することに成功しています。第一とする」を企業目的に掲げるロームでは、SiC生産においても垂直統合生産体制を確立しています。2009年にはドイツのSiCrystal社をグループ企業に加え、ウエハからパッケージの製造まで全てのプロセスで品質を高める活動を行っています。世界に通用する製造技術力、安定した生産力に加え、コスト競争力を高め、さらなる新製品の長期安定供給につとめていきます。reserved.ロームWebサイトはCookieを使用しております。引き続きロームWebサイトを閲覧・利用することで、Cookieの使用に同意したものとみなします。Cookieおよび個人情報の取扱いに関しての詳細は、プライバシーポリシーをご覧ください。