比べて結晶品質や電子移動度は劣るが、単結晶基板が不要で、ガラスやプラスチックなどの安価で、加工が容易な基板を用いて形成することができるという利点がある。Si多結晶薄膜は、薄膜トランジスタ用材料として重要である。GaAsなどのIII-V族化合物半導体においては、その単結晶薄膜は高周波用トランジスタや、半導体レーザ、太陽電池などの光学装置に用いられているが、その多結晶薄膜は、InSb多結晶薄膜を除いて、あまり用いられていない。その理由は、最も代表的なIII-V族化合物半導体であるGaAsの場合、多結晶の粒界にトラップ準位ができ、これが自由電子をトラップしてしまうため、充分な伝導性が得られないという問題点があったためである(非特許文献1)。III-V族化合物半導体のなかでもInSbにおいては、電気伝導性の良い多結晶薄膜が300~450°Cの比較的低い基板温度で容易に作製でき、さらに、その電子移動度が大きいため、ホール素子として用いられている。III-V族化合物半導体の中でもInAsは、そのバンドギャップ及び電子移動度が大きいため、トランジスタ用材料として使える可能性がある。実際に、40年以上も前に、InAs多結晶薄膜を用いて薄膜トランジスタが作製された例がある(非特許文献2)。有する半導体装置に関する。4】Ga組成xが0.l5≦x≦0.45を満たす、多結晶のIn1-xGaxAs薄膜をn型チャネル層として有することを特徴とする薄膜トランジスタ。【請求項5】Ga組成xが0.l5≦x≦0.45を満たす、多結晶のIn1-xGaxAs薄膜をn型電子走行層として有し、前記In1-xGaxAs多結晶薄膜よりバンドギャップが大きい半導体多結晶薄膜を電子供給層として有することを特徴とするヘテロ接合型薄膜トランジスタ。【請求項6】Ga組成xが0.l5≦x≦0.45を満たす、多結晶のIn1-xGaxAs薄膜をn型光吸収層として有することを特徴とする太陽電池。