506的关断脉冲重设,例如单脉冲电路628。探测电路630可在开通信号V。n2的上升沿之后检测VSD。它将产生控制信号Vd(例如波形610)来减少延时^。从而延迟了MOS管S2的开通。实现探测电路630的方法有许多种。这里,跨导放大器634在时间间隔、内(如,约为50ns到500ns),对VSD和第三阈值VTH3的差值进行积分,从而产生控制信号VC1。630D(如,图6B中探测器630)。在这里,比较器640在V。^将检测电压VSD的与开关阈值VT^(约为-0.5V)相比较。产生的信号V^如图6A中波形610所示。(如,增益过滤器638)以滤除V^的噪声。Va可用于调整晶体管S2的开通时间。VT^来调节开通时间。在该特定例子中,通过调节阈值VTH2来控制晶体管S2的开通时间。当探测电路630在信号V。n2之后检测到VSD低于阈值VTH3时,阈值VTH2增加(如,从约IV增加到3V)以允许V。nl提前通过与门624。detects到VDs仍然为正值时M0S管S2过早导通,,将降低阈值VTH2来推迟MOS管S2的导通。在这个例子中,通过调节阈值VTH1来控制MOS管S2的开通时间。当探测器630在开通信号V。n2后检测到VSD低于阈值VTH3时,增加阈值VTH1(如,从3.3V增加到5V)以提前产生V。nl,因此提前开通MOS管&。tj例如,约为10ns到2us)以最优化MOS管的关断时间。5和7B(检测电路508)来看。当VSD(如图702)减少到低于阈值Vth4(例如,约为-lOOmV),探测电路718将产生关断信号V。FF1(例如,波形704)。Vqff2(如,波形706),然后被连接到或门716的输入。如果V0FF2变高(或者有关断信号),MOS管S2被关断(例如,Ves波形708)。输入到或门716的关断信号将关断MOS管S2。为了精确控制MOS管S2的关断时间,探测电路714在第二关断信号V。FF2的上升沿之后检测VsD。Vc2(例如,波形710)来增加延迟td3。如图4B所示,产生控制信号Vc2以减少延迟td3。t2里,使用放大器722对检测到的VSD和阈值V^5的差异进行积分,而产生控制信号Vc2。/过滤器(例如,增益/过滤728)来过滤VS2上的噪声。控制信号VC2可用来调节晶体管S2的关断时间。V^4来调节关断时间。OOmV)以延迟MOS管&的关断。则阈值VTH4将被减小(或者更负)以提前关断MOS管。例子中单个MOS管导通损耗大概为OW到2W。