観察ができ、さらにシリコン内部のギャップや段差計測も可能になりました。MEMSの中空構造や接着面、SOIウエハのグラインド量測定などにも有効です。これからの実装SiP技術やMEMS技術をサポートします。1310nm半導体レーザーでシリコンを透過し、フリップチップ実装後のICパターン観察が可能です。共焦点光学系により中間フレア像を極限まで除去するため、高コントラストでの観察が可能です。シリコンの厚みを考慮した新設計の対物レンズを採用することにより、高倍率観察も可能です。XYでの計測はもちろん、Z方向の計測も可能です。COC実装におけるチップのギャップも高精度に計測できます。Policy.OKSearchCancel。