ONNN)は、ショットキ・ダイオードを内蔵した新しい30V製品を発表し、Nチャネル・パワーMOSFETデバイスのポートフォリオを拡張しました。mΩで、より高い電力効率を達成するために、バック・コンバータ・アプリケーションにおける同期サイド用に最適化されています。V時)であり、スイッチャ損失も最小限に抑えられます。(point-of-load)変換、ロウ・サイド・スイッチング・タスクなどがあります。Leonard氏は次のように語っています。「基礎FET構造と同じダイにショットキを集積することによって、デッドタイム導通損失が低減され、効率と波形が改善されます。」「これらの新しいデバイスは、お客様が固有のデザイン問題を解決するための幅広い製品群を提供します。mm、RoHS準拠パッケージで提供されます。これらのデバイスの10,000個注文時の単価はUS$0.45~US$0.90です。詳細については、https://www.onsemi.jpをご覧ください。Twitterで@onsemi_jpをフォローしてください。ON)は、お客様にグローバルな省エネルギーを実現していただけるよう、高効率エネルギーへのイノベーションをリードしてまいります。オン・セミコンダクターは半導体をベースにしたソリューションのリーディング・サプライヤーで、エネルギー効率の高い、電力管理、アナログ、センサ、ロジック、タイミング、コネクティビティ、ディスクリート、SoCおよびカスタム・デバイスの包括的なポートフォリオを提供しています。アプリケーションにおける特有な設計上の課題を解決します。デザイン・センターのネットワークを運営しています。クラスのサプライ・チェーンと品質保証プログラム、厳格な企業倫理とコンプライアンスを備え、お客様のご要望にお応えしていきます。詳細については、https://www.onsemi.jpをご覧ください。LLCの登録商標です。本ドキュメントに記載されている、それ以外のブランド名および製品名はすべて、各所有者の登録商標または商標です。オン・セミコンダクターは、本ニュースリリースで同社Webサイトを参照していますが、Webサイト上の情報はここには記載されていません。