目的ソース電極およびドレイン電極と半導体層との界面が3次元構造を有することで、ソース電極およびドレイン電極と半導体層との間の界面面積を大きくして、ソース電極およびドレイン電極のレイアウト面積を大きくすることなく、ソース電極およびドレイン電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。このような薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供する。効果ソース電極およびドレイン電極と半導体層との界面が3次元構造を有することで、ソース電極およびドレイン電極と半導体層との間の界面面積を大きくして、ソース電極およびドレイン電極のレイアウト面積を大きくすることなく、ソース電極およびドレイン電極と半導体層との間のコンタクト抵抗を低減した薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供することができる。このような薄膜トランジスタを有する半導体装置を提供することができる。