)("ST")は23日、米特許商標庁(USPTO)が普通のガラスのように高価ではない基板上に単結晶で極めて手触りの粗いか粗大粒状の半導体フィルムを成長させることを含めて、幅広いテクノとジーに大量の特許(50以上の特許請求範囲に対して)を交付したと発表した。これらテクノロジーは1995年の米国家技術賞を授与されたプラビーン・チョウドリ博士が発明したもので、ソーラー、ディスプレー、LEDなどさまざまな産業に応用される。(VLS)成長法を改良した薄膜(TF)成長技術であり、高価ではない基板上に初めてシリコン、ゲルマニウム、GaN(窒化ガリウム)など各種材料から特に高品質の半導体フィルムを低温蒸着させることができる。共晶合金を巻き込む費用対効果のあるナノワイヤ状だが薄膜成長プロセスは、大規模産業アプリケーションに非常によく適合し、e-beam、CVD(化学気相蒸着)などさまざまな産業で現在用いられる共通の蒸着プロセスを利用して実行することができる。一般の問い合わせもしくはこのテクノロジーのライセンスに関する問い合わせは以下を参照。LLCは薄膜のスペシャリストでありガラスあるいはメタルテープに単結晶もしくは粗大粒状の半導体フィルムを成長させる特許技術の開発に専ら注力している。同社はこの目的のためのテクノロジーとIPについて幅広いポートフォリオを保有している。これらすべては米国家技術・イノベーション・メダル(1995年)を授与された材料科学者の故プラビーン・チョウドリ博士の発明に基づいている。)を含むR&Dの進歩を報告したいくつかの論文が発表されている。LLC関連情報http://prw.kyodonews.jp/opn/release/201504239638/本プレスリリースは発表元企業よりご投稿いただいた情報を掲載しております。お問い合わせにつきましては発表元企業までお願いいたします。Japan企業情報センターサービスへのお申し込みをいただく必要がございます。詳しくは以下のページをご覧ください。JapanTetsudo.com当サイトは最新ブラウザでの閲覧を推奨します。広告について当サイトは最新ブラウザでの閲覧を推奨します。permission.このサイトでは、利用状況の把握や広告配信などのために、Cookieなどを使用してアクセスデータを取得・利用しています。これ以降ページを遷移した場合、Cookieなどの設定や使用に同意したことになります。Cookieなどの設定や使用の詳細、オプトアウトについては詳細をご覧ください。