[0001]【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性基板の上に配線パターンを形成した配線パターン基板、特に、アクティブマトリクス型液晶表示装置に用いる薄膜トランジスタマトリクス基板とその製造方法に関する。thereof.【0002】液晶表示装置は、薄型で軽量の表示装置であるため現在急速にその用途が拡大されつつある。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、陰極線管(CRT)と同等の表示品質のカラー表示が得られることから、フラットディスプレイ装置として期待されている。device.【0003】このアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、液晶セルを駆動するための薄膜トランジスタの構造が複雑かつ微細であるため、製造歩留りが低く、製造コストが嵩むことが問題であり、この問題を解消するために、製造工程の簡略化を行うことが必要である。[0004]【従来の技術】上述の製造工程の簡略化の一つの方法として、ドレイン電極、ドレインバスライン、画素電極等を、ITO等の透明導電層と低抵抗の金属層の二重層によって形成し、画素電極の上に形成された金属層を選択的にエッチング除去して透明化する場合、画素電極上の金属層を選択的にエッチング除去するために用いる耐エッチング性の樹脂膜を、電着法によってドレイン電極とドレインバスライン上に選択的に形成することによって、フォトリソグラフィー工程を減らす方法が提案されている(特願平5−221645号明細書参照)。)は各工程を示している。34はゲートバスラインである。この製造工程説明図によって従来の薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法を説明する。絶縁性基板21の上にCr膜をスパッタ法によって成膜し、これをフォトリソグラフィー工程によってパターニングして遮光膜22を形成する。2膜からなる絶縁膜23を約6000Å堆積する。thereonからなる金属膜25を1000Åそれぞれスパッタ法により堆積する。ITO4をエッチングする。26、ドレイン電極27、ドレインバスライン28および画素電極29が形成される。ドレインバスライン28の上に形成されたCr膜は、ドレインバスライン28の抵抗を下げて、ドレインバスライン28における信号遅延を防いでいる。ここまでの工程を経た基板を電着液に浸し、レジストを電着すべきドレイン電極27およびドレインバスライン28と対向電極の間に通電して、樹脂膜30を電着する。30.【0009】次いで、窒素オーブン等で乾燥し、樹脂膜30が紫外線硬化型である場合は、紫外線を照射して硬化する。この樹脂膜30をマスクにして、選択的にソース電極26および画素電極29の上の金属膜25をエッチング除去し、ソース電極26および画素電極29を透明化する。500Å、窒化シリコン(SiN)からなるゲート絶縁膜を3000Å順次堆積し、さらにスパッタ法によりAlからなる電極膜を3000Å堆積する。32、半導体層31を一括形成する。removed,薄膜トランジスタマトリクス基板を完成する。302μm以上にする必要がある。1が電着されてしまい選択的な電着ができなくなっていた。その結果、画素電極29の上のCr等の金属膜25の選択的なエッチングが行えなくなる問題があった。simultaneously,充分なエッチング耐性を有する膜厚の樹脂膜を形成することができる薄膜トランジスタマトリクス基板を提供することを目的とする。[0015]【課題を解決するための手段】本発明の、絶縁性基板の上に配線パターンが形成された配線パターン基板、あるいはその製造方法においては、配線パターンの少なくとも一部の周辺部を、周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成し、これに樹脂膜を電直することによって、配線パターンの周辺部に、周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成する。electrode,該ソース電極に対向するドレイン電極、該ドレイン電極に接続されるドレインバスライン、該ソース電極とドレイン電極の間隙の上に形成されたゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極、該ゲート電極に接続されたゲートバスラインからなる複数の薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタマトリクス基板、あるいはその製造方法においては、ドレイン電極及びドレインバスライン等の少なくとも一部の周辺部を、周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成し、ドレイン電極及びドレインバスライン等の該周辺部に、周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成する。portion.【0017】この場合、電着レートが小さい材料として、例えばシート抵抗が10Ω/□より高い電気抵抗を有するITO等の導電性酸化物を用い、電着レートが大きい材料として、例えばシート抵抗が10Ω/□より低いCr等の金属を用いることができる。[0018]【作用】本発明による効果は下記の通りである。配線パターン等の電着される部分の少なくとも一部の周辺部を、周辺部以外の部分の材質よりも電着レートの小さい材質で構成すると、周辺部への樹脂膜の付着を少なくし、樹脂膜を形成する必要がある部分の樹脂膜を充分に厚くすることができ、その結果、下地の金属を選択性よくエッチングすることができる。metal.【0019】また、ドレイン電極とドレインバスラインの少なくとも一部の周辺部を周辺部以外の部分の材質よりも電着レートの小さい材質で構成すると、ドレイン電極とドレインバスラインの周辺の電着精度を向上し、かつ、ドレイン電極とドレインバスラインの樹脂膜を必要とする部分には充分な膜厚の樹脂膜を形成することができるため、下地金属を選択性がよくエッチングすることができる。film,選択性よくエッチング耐性のある樹脂膜を電着することができる。/□より小さい周辺部以外のドレイン電極とドレインバスラインでは電着レートを大きくして充分な膜厚の樹脂膜を電着することができるため、選択性よくエッチング耐性のある樹脂膜を電着することができる。to.【0022】また、ドレイン電極とドレインバスラインの少なくとも一部の周辺部を導電性酸化物で構成し、周辺部以外のドレイン電極とドレインバスラインを金属で構成すると、導電性酸化物では電着レートが小さいため電着精度が向上し、金属部分では電着レートが大きいため樹脂膜を充分な膜厚に電着することができる。part.【0023】また、ドレイン電極とドレインバスラインの少なくとも一部の周辺をITO膜で構成し、周辺部以外のドレイン電極とドレインバスラインをCr膜を用いて構成すると、ITO膜はシート抵抗が大きく、電着レートが小さいためその部分の電着精度は向上し、Cr膜はシート抵抗がITO膜より小さく電着レートが大きいためITO膜上よりも多くの樹脂膜を電着することができる。film.【0024】このように、本発明によると、エッチング耐性に必要な樹脂膜の膜厚を維持しつつ電極部等の周辺においては、樹脂膜の拡がりが小さくなるため、電極部等の微細なパターンに対しても高精度の選択的な樹脂膜の電着が可能になる。その結果、電着法を用いた簡略な製造工程により特性が優れた薄膜トランジスタマトリクス基板等を製造することができる。)は各工程を示している。p)は平面を示し、1は透明絶縁性基板、2は遮光膜、3は絶縁膜、4は透明導電膜、5は金属膜、6はソース電極、7はドレイン電極、8はドレインバスライン、9は画素電極、10は樹脂膜、11は半導体層、12はゲート絶縁膜、13はゲート電極、14はゲートバスラインである。この製造工程説明図によって従来の薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法を説明する。ガラス板等の透明絶縁性基板1上にCr膜をスパッタ法によって成膜し、これをフォトリソグラフィー工程によってパターニングして遮光膜2を形成する。2膜からなる絶縁膜3を約6000Å堆積する。その上にスパッタ法によってITOからなる透明導電膜4とCr等の金属膜5をそれぞれ500Å,1000Å堆積する。deposited.【0027】その上にフォトリソグラフィー工程によってレジストパターンを形成し、Cr等の金属膜5をエッチングし、次いでITOからなる透明導電膜4をエッチングする。electrodeOからなる透明導電膜4を露出させる。anode,対向電極との間に、例えば10Vの直流電圧を移管して、20秒間電流を流し、ドレイン電極7およびドレインバスライン8の通電部に樹脂膜10を電着する。8.【0030】この時、ドレイン電極7およびドレインバスライン8の周辺部が樹脂膜10の電着レートの小さい材質であるITOからなる透明導電膜4で形成されているため、ドレイン電極7およびドレインバスライン8の周辺部に電着される樹脂膜10の厚さは薄くなる。その結果、樹脂膜10の電着精度が高くなり選択性が向上し、この樹脂膜10がドレイン電極7とソース電極6の間を電気的に接続して、画素電極9の金属膜5の上に電着されることがない。on.【0031】また、金属膜5の上には、従来の場合と同様の膜厚の樹脂膜10が電着されるため、金属膜5上にはエッチング耐性が充分な樹脂膜10が得られる。5分間程度乾燥し、この樹脂膜10が紫外線硬化型の樹脂である場合は、樹脂膜10に紫外線を照射して硬化させる。10.【0032】以上の工程を経た薄膜トランジスタマトリクス基板をエッチング液に浸して、樹脂に覆われていないソース電極6と画素電極9の上の金属膜5をエッチング除去してITOからなる透明導電膜4を残して透明化する。樹脂膜10を水酸化ナトリウム水溶液等によって剥離した後、プラズマCVD法によってアモルファスシリコン(a−Si)からなる半導体膜を500Å、窒化シリコン(SiN)からなる絶縁膜を3000Å順次堆積する。sputtering00Å堆積する。14を形成すべき領域に、フォトリソグラフィー工程によりレジスト膜を形成する。エッチング除去して、半導体層11、ゲート絶縁膜12、ゲート電極13、ゲートバスライン14をそれぞれ形成する。レジストを剥離し、薄膜トランジスタマトリクス基板を完成する。oxide,その場合、周辺部を10Ω/□より高いシート抵抗を有する材質で構成し、周辺部以外を10Ω/□より低いシート抵抗を有する材質で構成すると好適であった。resistance.【0036】また、上記実施例においては、ドレイン電極及びドレインバスラインに対し、その周辺部を電着レートの小さい材料によって構成した例を説明したが、本発明はこれに限らず、ゲートバスライン等の他の電極またはバスライン等に対して適用することもできる。like.【0037】また、電界発光装置(EL)、発光ダイオード、光検知装置等の透明電極と低抵抗の配線を形成する必要がある場合、あるいは、他の選択的にエッチングする必要がある配線パターン基板に適用することができる。to.【0038】また、上記実施例においては、電極及びバスラインの周辺部を電着レートの小さい材質で構成する方法として、上層の金属をオーバーエッチングすることにより周辺部に下層の電着レートの小さい材質の層を露出させる方法を採用したが、これに限らず、フォトリソグラフィー工程により形成することもできる。process.【0039】また、上記の実施例においては、電着樹脂膜形成および画素電極上の金属膜のエッチングをプラズマCVD法によるアモルファスシリコン(a−Si)形成前に行ったが、ゲート電極およびゲートバスラインパターン形成およびこのパターンによるゲート絶縁膜、半導体層のエッチング除去後に行うこともできる。layer.【0040】さらに、上記の実施例においては、電着した樹脂膜を除去したが、この樹脂膜を残しておいて、リフロー工程を施す等によって、下地の電極や半導体層や配線層を保護することもできる。invention,樹脂を電着する配線パターン基板、薄膜トランジスタマトリクス基板の電極等の少なくとも一部の周辺に薄い樹脂膜を高精度で形成することができるため、これをマスクとして用いて選択性よく下地の金属層をエッチングすることが可能になり、アクティブマトリクス型液晶表示装置等の製造技術分野において寄与するところが大きい。)は各工程を示している。)は各工程を示している。絶縁性基板の上に配線パターンが形成された配線パターン基板において、該配線パターンの少なくとも一部の周辺部が、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成され、該配線パターンの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする配線パターン基板。electrode,該電極及びバスラインの少なくとも一部の周辺部が、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成され、該電極及びバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板。ドレイン電極及びドレインバスラインの少なくとも一部の周辺部が、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成され、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項2に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板。ドレイン電極及びドレインバスラインの少なくとも一部の周辺が、該周辺部以外の材質よりも電気抵抗が大きい材質で構成され、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項3に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板。[Omega/□より低いシート抵抗を有する材質で構成され、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項4に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板。ドレイン電極及びドレインバスラインの少なくとも一部の周辺が導電性酸化物で構成され、該周辺部以外の領域が金属で構成され、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜が形成されていることを特徴とする請求項5に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板。6に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板。絶縁性基板の上に形成された配線パターンの少なくとも一部の上に電着によって樹脂膜を形成する工程において、該配線パターンの該少なくとも一部の周辺部を、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成し、該配線パターンに樹脂膜を電着することによって、該配線パターン該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成することを特徴とする配線パターン基板の製造方法。該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。ドレイン電極及びドレインバスラインの少なくとも一部の周辺部を、該周辺部以外の材質よりも樹脂膜の電着レートが小さい材質で構成し、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成することを特徴とする請求項9に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。10に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。portion1に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。ドレイン電極及びドレインバスラインの少なくとも一部の周辺部をITOで構成し、該周辺部以外の領域をCrで構成し、該ドレイン電極及びドレインバスラインの該周辺部に、該周辺部以外の領域よりも薄い樹脂膜を形成することを特徴とする請求項11に記載された薄膜トランジスタマトリクス基板の製造方法。