陰極として機能して還元反応が生じる。図1に従って光触媒半導体素子を作製した。族原子との割合(V/III比)が約5000程度となるようトリメチルガリウム(TMGa)およびアンモニア(NH3)を水素ガスをキャリアガスとして継続的に供給し、10分間、窒化ガリウム(GaN)よりなる50nmの厚みのバッファ層を成長させた。−V族化合物層(基層)Aを成長させた。Pauw法により測定したところ、シランをドープした基層Aのキャリア濃度は2.0×1018cm-3であり、マグネシウムをドープしたキャリア移動促進層Bのキャリア濃度は1.2×1017cm-3であった。(0002)面のX線ロッキングカーブの半値全幅を測定したところ、280arcsecであった。1a〕の表面は鏡面状であった。1b〕の表面は鏡面状であった。図1に従って光触媒半導体素子を作製した。族原子との割合(V/III比)が約5000程度となるようトリメチルガリウム(TMGa)およびアンモニア(NH3)を水素ガスをキャリアガスとして継続的に供給し、10分間、窒化ガリウム(GaN)よりなる50nmの厚みのバッファ層を成長させた。−V族化合物層(基層)Aを成長させた。Pauw法により測定したところ、キャリア促進移動層Aのキャリア濃度は2.0×1018cm-3であり、キャリア移動促進層Cのキャリア濃度は1.2×1017cm-3であった。(0002)面のX線ロッキングカーブの半値全幅を測定したところ、330arcsecであった。2〕の表面は鏡面状であった。図1に従って光触媒半導体素子を作製した。族原子との割合(V/III比)が約5000程度となるようトリメチルガリウム(TMGa)およびアンモニア(NH3)を水素ガスをキャリアガスとして継続的に供給し、10分間、窒化ガリウム(GaN)よりなる50nmの厚みのバッファ層を成長させた。−V族化合物層(基層)Aを成長させた。Pauw法により測定したところ、基層Aはn型であってそのキャリア濃度は2.0×1018cm-3であり、キャリア移動促進層DはIn原子組成比xが0.06、n型であってそのキャリア濃度は1.2×1017cm-3であった。(0002)面のX線ロッキングカーブの半値全幅を測定したところ、320arcsecであった。3a〕の表面は鏡面状であった。基層Aの原子組成比からバンドギャップエネルギーEgHを算出したところ3.40eVであり、キャリア移動促進層Dの原子組成比からバンドギャップエネルギーEgLを算出したところ3.15eVであった。3b〕〜〔3d〕を得た。3b〕〜〔3d〕の表面は鏡面状であった。図1に従って光触媒半導体素子を作製した。族原子との割合(V/III比)が約5000程度となるようトリメチルガリウム(TMGa)およびアンモニア(NH3)を水素ガスをキャリアガスとして継続的に供給し、10分間、窒化ガリウム(GaN)よりなる50nmの厚みのバッファ層を成長させた。Pauw法により測定したところ、2.0×1018cm-3であった。(0002)面のX線ロッキングカーブの半値全幅を測定したところ、290arcsecであった。X〕の表面は鏡面状であった。