旨2017~18年は、電気自動車(EV)の開発に向け大きく進展する年となった。世界最大の自動車市場である中国をはじめヨーロッパはハイブリッド車、EVシフトなど車の電動化開発へ舵を切った。日本、アメリカを巻き込んで世界全体で車の電動化開発がいよいよ本格化した年となった。EV,HEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。現状では、性能、信頼性、さらには価格の面で市場の要求に十分応えられているとは言えない。本セミナーでは、最新シリコンIGBTデバイスの状況からSiC・GaNパワーデバイスの最新技術、さらに、最新の実装技術についても解説する。SiC/GaNパワーデバイスを広く市場に普及するためのポイントは何かについて丁寧に解説したい。シリコンMOSFET・IGBTだけが生き残った。各社SiC-MOSFETを開発。