Science(NIMS)AbstractSiに代わる新たなチャネル材料として、電子、ホールとともに高い移動度を有したGeが注目されている.しかしながら、high-k/Ge界面の界面準位が大きいことが問題となっている。この問題を解決するために、我々はGe表面のパッシベーション層としてのルチル型TiO_2の効果を調べた。HfO_2とGeとの間にルチル型TiO_2を堆積させた結果、GeO_xの生成が効果的に抑制された。C-V測定において、小さなヒステリシス、EOT=0.84nmの優れた電気特性が得られた。ServicesKAKENIRDBNII-REO。