8以下は非対応となっております。先進CMOSプロセスの設計は、TCADから始まります。実際のウェハを使用した実験を比較的長期間行うことは、効率が悪すぎ費用もかかります。TCADの高速プロトタイピングを利用する方がはるかに効率的であり、詳細なシミュレーションに裏打ちされた統合フローを決め、プロセスレシピの詳細を決定することができます。コンフォーマル・メッシュシルバコ・ツールは、FinFET、FD-SOI、およびその他の新規デバイスなどの先進プロセスのアーキテクチャに対し、完全な経路探索型解析を行うことができます。MRAMに向けた重要なテクノロジの1つである、イオン増速型エッチングをサポートしています。FinFETの経路探索型3次元シミュレーション3次元NAND型フラッシュメモリのIECEエッチング・シミュレーション標準的なBSIMモデルをTCADモデルから抽出することにより、新規プロセスの設計と、製造に向けた設計作業に使用するツール環境との間をつなぐことができます。SRAMおよびその他の新規構造に対応した寄生素子データの高精度抽出には、フル3次元フィールド・ソルバを使用可能です。