method.例文帳に追加MBE法を用いてIII−V化合物半導体膜を堆積するためのMBE用エピタキシャル基板を提供する。device.例文帳に追加そして、MBE装置内で、その基板を加熱するとともに、MBE装置内にAsH_3とともにCBr_4を流し込む。MBE.例文帳に追加この上に、クラスタを安定化するために、絶縁体であるC成分をMBE法により薄く堆積させ絶縁被膜(3)を形成する。formed.例文帳に追加MBE法を用い、成長温度300°C〜500°Cで成長させると、実質的に突起のないGaAs系キャップ層13が形成できる。method.例文帳に追加CaF_2(111)基板2上に、MBE法によってCaF_2buffer層3を形成する。液晶技術用語Weblio専門用語対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。MBEWeblio英和対訳辞書はプログラムで機械的に意味や英語表現を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。150).例文帳に追加III−V半導体表面を有する基板(12)をMBE装置(50、150)内に位置決めする。2.例文帳に追加さらに、例えばプラズマアシストMBE等のMBEを用いることによって、窒化物半導体層2の厚さおよび組成を遥かに正確に制御することができる。分子線材料の利用率を向上でき、結晶性を高めることができて、しかも、成長層の成長条件を安定させることができるMBE装置およびそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。半導体構造物19はサファイア基板の窒化した表面上に窒化ガリウム系半導体をMBE法で成長して作製される。conditions.例文帳に追加MBE法における、精密な結晶組成の制御および装置ごとの互換性、設定の再現性の問題点を解決する。device.例文帳に追加MOCVD装置内で、GaAs基板上に、下部DBRミラーを形成した後、その基板をMBE装置内に搬送する。一般に、無極性4H−AlNは分子線エピタキシー(MBE)により4H−SiC(11−20)上に成長させる。次に、フォトリソグラフィ法により、GaAs層53にストライプ状の溝54を形成した後、MBE法によりInAs層を形成する。参加元一覧にて確認できます。Licenseというライセンスの下で提供されています。留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。単語の閲覧履歴を確認できます。さんログインWeblio会員(無料)になると検索履歴を保存できる!語彙力診断の実施回数増加!weblio会員になると無料で単語帳や語彙力診断テストの機能を利用することができます。RSSnon-memberMBE。