Japanese)電界効果トランジスタ(FET)及び単一電子トランジスタ(SET)は、ゲートに入力される電圧信号を、ソース電極あるいはドレイン電極から出力される電流信号に変換する素子である。ソース電極とドレイン電極との間に電圧を加えると、チャネルに存在する荷電粒子がソース電極とドレイン電極との間を電界方向に沿って移動し、ソース電極あるいはドレイン電極から電流信号として出力される。この際、出力される電流信号の強さは荷電粒子の密度に比例する。絶縁体を介してチャネルの上方、側面、あるいは下方などに設置したゲートに電圧を加えると、チャネルに存在する荷電粒子の密度が変化するため、これを利用して、ゲート電圧を変化させることにより電流信号を変化させることができる。以下、電界効果トランジスタと単一電子トランジスタとを区別せずに述べる場合、単に「トランジスタ」という。現在知られている、トランジスタを用いた化学物質検出素子(センサ)は上に述べたトランジスタの原理を応用したものである。具体的なセンサの例としては、特許文献1に記載されているものが挙げられる。特許文献1には、トランジスタのゲートに検出すべき物質と選択的に反応する物質を固定化した構造を有するセンサが記載されている。検出すべき物質とゲートに固定化された物質との反応によるゲート上の表面電荷の変化により、ゲートにかかる電位が変化するため、チャネルに存在する荷電粒子の密度が変化する。これによって生じるトランジスタのドレイン電極あるいはソース電極からの出力信号の変化を読み取ることによって、検出すべき物質を検出することができる。Japanese)本発明は、電界効果トランジスタ及び単一電子トランジスタ、並びにそれを用いたセンサに関する。該チャネルが絶縁性部材で被覆されていることを特徴とする、センサ。該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることを特徴とする、センサ。該カーボンナノチューブの電気特性が半導体的性質を有することを特徴とする請求項1または2に記載のセンサ。該チャネルが絶縁性部材で被覆されていることを特徴とする、センサ。該チャネルと該相互作用感知ゲートとの間に、低誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることを特徴とする、センサ。該カーボンナノチューブに欠陥が導入されていること特徴とする、請求項4または5に記載のセンサ。該カーボンナノチューブの電気特性が金属的性質を有することを特徴とする、請求項4~6のいずれか1項に記載のセンサ。該チャネルが、該基板から離隔した状態で上記のソース電極及びドレイン電極間に装架されていることを特徴とする、請求項1~7のいずれか1項に記載のセンサ。該基板が、絶縁性基板であることを特徴とする、請求項1~8のいずれか1項に記載のセンサ。該チャネルと該電圧を印加されるゲートとの間に、高誘電率の絶縁性材料の層が形成されていることを特徴とする、請求項1~9のいずれか1項に記載のセンサ。該相互作用感知ゲートに、該特定物質を固定化したことを特徴とする、請求項1~10のいずれか1項に記載のセンサ。