しては、化学式LnMnOPn(Lnは、Y、及びLa、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、又はLuの希土類元素のうちから選ばれた少なくとも1種、Pnは、N、P、As、Bi、又はSbのプニコゲン元素のうちから選ばれた少なくとも1種)で示されるオキシプニクタイド層状化合物が挙げられる。この磁性半導体材料の薄膜からなる磁性pnホモ接合構造を用いて、高感度な磁気センサー、電流センサー及びメモリーデバイスを作成することができる。効果を利用して、磁気センサーなどへの応用が期待されている。同一化合物で、p型、n型の両伝導極性を発現できる磁性半導体化合物は、CdCr2Se4以外は報告されていない(非特許文献1)。CdCr2Se4では、磁性を担う電子は、Cr3+イオンの3d6電子であり、一方、伝導を担うホール及び電子は、Seの4p及びCdの4s電子である。気伝導の相互作用が小さい。非磁性半導体とのpn接合構造を用いて、各種の磁性デバイスを作成することが提案されている(非特許文献2~4)。これらのデバイスは、スピン・バイポーラ・デバイスと名付けられている。これらのデバイスは、高品質なpn接合構造の形成が難しいこと、磁性半導体の磁気転移温度が室温未満であることなどにより、実用デバイスは実現していない。オキシプニクタイド層状化合物からなる磁性半導体材料に関する。請求項1に記載の磁性半導体材料からなることを特徴とする薄膜。請求項5に記載される磁性体pnホモ接合構造を用いたことを特徴とする磁性体pnホモ接合デバイス。外部磁場を検出するデバイス、電流を検出するデバイス、又は情報の書き込み、読み出し、保持の機能を有するメモリーデバイスのいずれかであることを特徴とする請求項6記載の磁性体pnホモ接合デバイス。