まで広い範囲での直接遷移型バンドギャップを有することから、可視から紫外領域での発光・受光素子の材料として期待されている。これまでにIII族窒化物半導体を用いてなる青、緑、紫色の発光ダイオードが実用化されるとともに、多くのグループから次世代DVD用ピックアップとして有望な、紫色レーザダイオードの室温連続発振の報告が成されている。III族窒化物半導体は、可視光に反応しない紫外線検出器等の受光素子への応用という点においても期待を集めている。電子デバイス、パワーデバイスとしてもきわめて重要である。従来、電子デバイスの殆どはSi系もしくはGaAs系のスイッチングデバイスが用いられている。Si系のデバイスでは,その集積度やオン抵抗などの特性はその眼界に近づいている。Siを用いたデバイスはその使用温度の上限が125°Cであるとされており、GaAs系でも200°C以上ではスイッチング速度などの特性が著しく低下する。実現する次世代高性能電子デバイスの材料として、ワイドギャップ半導体のひとつであるGaN系III族窒化物半導体が注目されている。一般に半導体素子の作製にはn型及びp型の伝導性制御が不可欠である。(MOVPE)法が用いられている。この場合においては、母体結晶の気相成長中にドナーもしくはアクセプタ不純物を同時供給し、これによって上記n型及びp型の伝導性制御を実施している。この方法によって作製した多層構造を用いることにより、発光ダイオード、レーザダイオード、MESFET、HEMT(またはMODFET)、HBT等が作製されている。具えることを特徴とする、HEMT。具えることを特徴とする、HBT。具えることを特徴とする、サイリスタ。