アニール活性化アニール活性化SiC半導体では、ドーパント活性化のための高温アニールが必須ですが、アニール温度が高温のため、アニール前のキャップ膜による表面保護が必要になります。高温アニールだけでなく、カーボンキャップ膜成膜のニーズにもお応え致します。高温高速アニール化合物半導体の活性化に必要とされている高温高速アニールが可能です。成膜アニール前にキャップ膜を成膜することにより、表面荒れを緩和することが可能です。Implantation)方法アセチレン(C2H2)を反応させて表面に膜を堆積させます。*ガスを原料としてプラズマで分解して成膜することから、CVDに近い手法です。