Laser)は、共振器が半導体の基板面に対して垂直方向に形成されている。よって、レーザー光も基板面に垂直に射出される。考えると、半導体端面をへき開する必要がなく、VCSELチップの製造をウェハ上で一括して行えるため大量生産に向いており低価格化が可能である(3インチのウェハから2万個のVCSEL素子を製造可能)。性能面では、発振電流閾値がmA以下と小さく、消費電力も小さいこと、高出力用途には向かないことが挙げられる。これは、活性領域が短いことに起因している。通常の端面発光レーザーと異なり活性領域が短いため(活性層に垂直にレーザー発振するため)、利得長を長くとれず、高出力用途には向いていない。1W弱の出力のVCSELパッケージが市販されている。射出光は端面発光レーザーのように楕円錐状ではなく、円錐状となる。高密度なアレイ化が可能であるという面も大きな特長である。Configurationである。続きを読むにはユーザー登録が必要です。登録することで3000以上ある記事全てを無料でご覧頂けます。Google+)アカウントが持っているお客様は、右のサイドバーですぐにログインできます。登録されている方はユーザー名とパスワードを入力してログインしてください。*メールアドレスの間違いが増えています。正しいメールアドレスでないとご登録が完了しないのでお気を付けください。