レーザ加工装置2は、被加工物としての単結晶シリコン基板1を載置する加工テーブル3と、レーザ光Lを照射するレーザ発振器4と、上記レーザ光Lを導光するライトガイド5と、上記ライトガイド5を回転させるとともに進退動させる駆動手段6とを備えている。上記ライトガイド5は断面多角形の角柱状を有しており、上記レーザ発振器4が照射したレーザ光Lを集光レンズ8が集光して上記ライトガイド5の内部に入射させると、レーザ光Lは上記ライトガイド5の内部で反射しながら導光され、該ライトガイド5の先端から拡散した状態で出射されるようになっている。加工スピードが速く、また加工くずの排出性に優れている。上記被加工物は単結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項3に記載のレーザ加工方法。構成するシリコンウエハをエッチングするためにプラズマエッチング装置が用いられており、このようなプラズマエッチング装置には単結晶シリコン製の電極板(単結晶シリコン基板)が設けられている(特許文献1)。単結晶シリコン製の電極板には複数の貫通孔が形成されており、上記特許文献1ではこの貫通孔をダイヤモンドドリルによって穿設しているが、ドリルの消耗による交換が必要であるため、ランニングコストが高いという問題点があった。【0004】しかしながら、上記特許文献2のレーザ加工方法では、傾斜レンズを光ファイバに設ける必要があることからライトガイドが高価となり、またレーザ光は傾斜レンズによって集光された状態で照射されるため、加工孔の底部の一部にしかレーザ光が照射されず、レーザ光の照射位置を加工孔の底部に沿って移動させる必要があることから、加工スピードが遅くなるという問題があった。上記光ファイバの外周は円形であるため、加工した加工孔の内周との隙間が狭く、加工により発生した加工くずをこれらの隙間から排出しにくいという問題もあった。このような問題に鑑み、本発明は加工スピードが速く、また加工くずの排出性に優れたレーザ加工装置およびレーザ加工方法を提供するものである。上記レーザ光は上記ライトガイドの内部で反射しながら導光され、該ライトガイドの先端から拡散した状態で出射されることを特徴としている。請求項2の発明にかかるレーザ加工装置は、請求項1の発明におけるレーザ加工装置において、上記被加工物は単結晶シリコン基板であることを特徴としている。上記ライトガイドは断面多角形の角柱状を有するとともに、該ライトガイドの内部で反射させながら導光したレーザ光を該ライトガイドの先端から拡散した状態で照射することを特徴としている。請求項4の発明にかかるレーザ加工方法は、請求項3の発明におけるレーザ加工方法において、上記被加工物は単結晶シリコン基板であることを特徴としている。上記請求項1の発明にかかるレーザ加工装置および請求項3の発明にかかるレーザ加工方法によれば、上記ライトガイドの先端からは該ライトガイドの断面形状と相似する多角形のレーザ光が出射されることとなる。被加工物とライトガイドとを相対的に回転させることで、出射された多角形のレーザ光の頂点部分の移動軌跡により円形の照射範囲が得られるため、断面円形の加工孔を穿設することができ、かつレーザ光は加工孔の底部の大部分に照射されることから、高速に加工孔を加工することが可能となっている。ライトガイドを断面多角形とすることで、穿設された加工孔とライトガイドとの間には空間が形成されることから、加工により発生した加工くずをこの空間を介して排出することが可能となっている。※以下のタグをホームページ中に張り付けると便利です。収集に関しては慎重に行っておりますが、もし掲載内容に関し異議がございましたらお問い合わせください、速やかに情報を削除させていただきます。