小さい電流を流すだけで、磁化の向きが反転する現象を発見した。小さい電流を流すだけで、磁化の向きが反転する現象を発見したと発表した。磁化反転に必要な電流密度は、従来に比べ2桁小さいという。研究グループは、半導体ガリウムヒ素(GaAs)にマンガン原子を数%加えた強磁性半導体「GaMnAs」で、膜厚7nmの極薄膜を作製した。この薄膜に、電流密度が3.4×105A/cm2の電流を流すだけで、N極とS極が反転する現象を発見した。強磁性半導体GaMnAsの物質内には、比較的大きなスピン軌道相互作用があることが知られている。研究グループは、これが低電流密度での磁化反転を可能にしたとみている。今回の実験では分子線エピタキシー法により、原子レベルの平たんな薄膜を形成した。高品質な単結晶を実現したことで、電流が流れるときもスピンの散乱は少ないという。出典:東京大学さらに、スピン軌道相互作用を十分に生かすためには物質の電子構造も重要だという。今回の研究で、大きな波数をもつ電子(または正孔)が伝導に寄与している必要があることも分かった。GaMnAsでは、波数の大きな正孔が集まるエネルギー帯を電流が流れることで、効率的な電流誘起磁化反転を引き起こしたと判断している。省エネルギーの観点から、磁化反転を応用したデバイスの研究が進んでいる。ところが、これまで用いてきた磁化反転の方法だと、磁化反転に必要な電流密度は約107A/cm2で、大きな電力消費が実用化に向けた課題であった。今回の研究に用いた材料は強磁性転移温度が低く、約40Kの低温で実験を行ったが、本質的な問題ではないという。電池の電極材料において充電中にその構造が自己修復される現象を発見した。新たな電極材料を用いることで、二次電池の長寿命化が可能となる。(産総研)の研究グループは、半導体工場にある既存の製造装置を用いて、極めて薄い半導体ひずみセンサーチップを基板から個別に切り離し、電子回路上に実装する技術を開発した。エレクトレットを外付け東京工業大学(東工大)は、新原理の振動発電素子を東京大学と共同で開発し、発電することを確認した。2019年6月10日、大容量で低消費電力な8nmの極薄IGZOチャネルを有するトランジスタ型強誘導体メモリ(FeFET)を開発した、と発表した。同所は、「IoTデバイスのエネルギー効率が飛躍的に向上し、より高度で充実したネットワーク、サービスの展開が期待される」としている。ナノ空間に閉じ込めた水が「負の誘電率」を持つ東京大学の山田淳夫教授らによる研究グループは、MXene(マキシン)と呼ぶ層状化合物の層間ナノ空間に閉じ込められた、リチウムイオンと結合している水分子が、「負の誘電率」という特性を持つことを発見した。高エネルギー密度の電気二重層キャパシター(EDLC)の開発につながる可能性が高い。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。