検査装置は、忠実な空間像と先進の高精細画像を独自に組み合わせた第4世代の193nmベースの検査装置です。CTSマスクコートシリーズ世界トップクラスのCD均一性は、レジストコートの品質に依存します。ナノメータのスケールでは、数多くの要因が精度に影響を与えます。MRCマスク洗浄シリーズ193iおよびEUVリソグラフィーを使用したフォトマスクの洗浄方法は、繊細なマスク材料とマスクが使用される環境によって決まります。SFBマスクベークシリーズフォトマスク製造向けに化学的に増幅されたレジストの使用には、パターン露光によって開始された化学反応を完結する、ポスト露光ベーク(PEB)ステップの厳密な制御が要求されます。最終的なパターン形状はベーク温度および時間の影響を受けます。SFDマスク現像シリーズ露光されたレジストパターンの正確な現像は、コート、露光、ベークにおいて、高度に制御されたプロセスを経たフォトマスクのCD均一性を保つために非常に重要です。これを達成するためには、マスク表面に均一かつ同時に現像液を供給する必要があります。EtchEUVフォトマスクは、193nm波長の光を選択的に透過して回路パターンを投影する従来のフォトマスクとは基本的に異なる。Zは、10nm世代以降のロジック/メモリデバイス向けの光学リソグラフィーフォトマスクに要求される優れた性能を提供します。Reserved.[+]。