マイクロ波トランジスタとしての有望性にいち早く着目し、1970年から研究開発を開始した。このため結晶成長技術では、n型チャネル層と半絶縁性基板界面に高純度バッファ層を導入して基板界面での電子移動度の低下を防ぎ、高gmを実現した。電極形成技術では、低抵抗で安定なショットキー性を有するAlのサイドエッチングによる短ゲート形成、そのエッチングマスクを利用したソース・ドレインオーミック電極蒸着・形成という、通常の光リソグラフィーを用いた微細セルフアライン素子プロセスを開発し、高い遮断周波数と低いゲート−ソース間チャネル抵抗を達成した。Au-Ge系電極のGaAsとのアロイ反応機構を解明し、低接触抵抗で高信頼なオーミック電極形成技術を開発した。Device)として、世界に先駆けて商品化した。