成膜プロセスは、先進のトランジスタ向けのHigh-k/メタルゲートにおける、極薄キャップ相とメタルゲート膜の作成、配線の極薄バリア材料とシード層の形成に使用されます。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。PVDシステムは、チップパッケージングアプリケーションにおいて、金属成膜の生産性および信頼性に新たな標準機能を提供致します。PVD(物理気相成長)システムは、高アスペクト比のゲートやコンタクトアプリケーション向けに、シンプルかつ高性能なシリサイドソリューションを提供します。PVD今日まで、イオン化物理気相成長(PVD)は電気めっきのための全ての成膜表面上に、要求された厚みと再現性のあるカバレージを達成してきました。PVD(物理気相成長)技術は、High-k/メタルゲートアプリケーションと同様、22nm世代以降のロジックコンタクトのシリサイド化にも適応可能です。TiNは、次世代のデバイスが直面するハードマスクの拡張性における課題を解決します。マイグレーション性能を提供します。TTN業界をリードするEnduraプラットフォームに統合された、同システムの成膜プロセスは、微細化に向けたCuバリア層およびCu-AlまたはCu-W拡散バリア層への要求に応えます。PVD同システムは、DRAM周辺のダイレクトコンタクトアプリケーション向けに、Siconiプリシリサイドクリーン技術とPVDコバルト、TiNキャップ成膜を統合しています。Ownership)を実現しつつダイの損失を最低限に抑えながら、配線メタルとはんだバンプの統合を促進します。PVDタングステンはプロセスフローや統合のスキームを変更することなく、三次元デバイス構造のゲートスタックに使用することができます。設計者には、より柔軟な回路レイアウトが可能になるという利点があります。PVD集積回路と他のコンポーネントのスケールダウンが進むに連れ、メタル配線とコンポーネント間のコンタクトも縮小しています。結果として、これらのコネクタにおける抵抗が増大しています。技術の用途を提供します。PVD/CVDを使用した技術ベースを32nm以降へと拡張します。Reserved.[+]。