わが国の半導体研究の草分け的な人物の一人で、NECの半導体事業の立ち上げに大きく寄与した。長船広衛は1941年にNECに入社以来、研究所を拠点にブラウン管用蛍光体の研究に従事していたが、第2次大戦終結後、ベル研究所でトランジスタが発明されるや、半導体の研究にいち早く着手、社内のマイクロ波グループの要請もあって1950年にはシリコンによるマイクロ波ダイオードの試作に成功、翌51年には少量生産に着手している。トランジスタの開発はこれより遅れたが、文部省から「点接触トランジスタの試作研究」で補助金を受け、ゲルマニウム単結晶の作製から素子化を1953年に完了、55年までに高・低周波接合型およびパワートランジスタを試作している。シリコントランジスタの主流となるメサ型およびエピタキシャルプレーナ型の製品化でも手腕を発揮、この実績を踏まえて1962年にはAND、NOR、フリップフロップなどのバイポーラ半導体IC約10品種を開発している。2010/12/1↑TOPへ。