1997年スーパージャンクションMOSFET発明(富士電機)〜個別半導体・他〜従来型高耐圧パワーMOSFETでは、耐圧を確保するために、ドリフト層を低濃度なn層で形成し,空乏層を伸ばして電圧を保持する。そのため、高耐圧の素子ほどドリフト層が厚くなり、濃度が低くなって、ドリフト抵抗が増加し、MOSFETのオン抵抗は高くなる。これが、オン抵抗−耐圧トレードオフと呼ばれ、従来構造では、オン抵抗をRon、耐圧をVbで表わすと、Ron∝(Vbの3乗)の関係がある。富士電機の藤平らは、ドリフト層にスーパージャンクション(SJ)構造と呼ばれる周期的なp-nカラム構造を形成するMOSFETを考案した。従来の素子では、オフ状態デpベース底部から低濃度n層(ドリフト層)中に縦方向に空乏層が伸びていたのに対して、SJ構造は縦方向に伸びるp-n接合から横方向に空乏層が伸びる。電流通路であるn層の濃度を上げても空乏化しやすいので、オフ状態での高耐圧を確保しながら、オン抵抗を従来型に比べて1/100以下に下げることが出来る。進歩でSJ構造の横方向微細化によるアスペクト比を大きくすることで、単位面積当たりのオン抵抗の低減が進んでいる。2010/10/26。