State)の悪影響を克服できないため、動作には成功していなかった。FroschがSi単結晶を水蒸気中て高温熱処理することで、極めて良質の酸化膜がSi表面に成長することを発見した。Kahngは、この水蒸気酸化シリコン酸化膜をゲート酸化膜に用いるFET構造を考案し、世界で初めてその安定動作に成功、1960年に発表した。同時にUS特許3056888号、3102230号に登録された。Triode”となっている。ソース、ゲート、ドレインもまだ使われておらず、カソード、グリッド、アノードとなっている。MOSFETの商品化は1964年にGEやFairchildが、日本では1965年に日立が始めた。12はやや抵抗の高いp型シリコンで、アノード14とカノード13の部分は部分的にn型になっていて抵抗を低くしてあり、ここに金属の電極24、25を設ける。半導体(シリコン、Si)の表面は酸化されて二酸化珪素(SiO2)膜22が作られている。SiO2絶縁体膜の上にグリッド21となる金属電極が付けられている。アノードとカソードの電極はSiO2膜に穴を開け、半導体に直接、金属電極が接触させている。2010/10/26。