従来の半導体装置の製造工程を示すBB'断面図。従来の半導体装置におけるトレンチ部分の拡大断面図。本発明の一実施例の半導体装置の平面図。本発明の一実施例の半導体装置の製造工程を示すCC'断面図。本発明の半導体装置におけるトレンチ部分の拡大断面図。本発明の他の実施例の半導体装置の製造工程を示すDD'断面図。従来の半導体装置と本発明の半導体装置のゲート耐量を比較して示したグラフ。本発明の変形実施例の半導体装置におけるトレンチ部分の拡大断面図。grooveの絶縁膜とを具備することを特徴とする半導体装置。前記半導体基板および前記拡散層よりも速い酸化速度を有する層が、実質的にポリシリコンからなることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。1の絶縁膜および前記速い酸化速度を有する層を貫いて、溝部を形成する工程と、前記速い酸化速度を有する層と前記溝部を第2の絶縁膜で覆う工程と、前記第2の絶縁膜上に電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。前記半導体基板および前記拡散層よりも速い酸化速度を有する層が、実質的にポリシリコンからなることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。前記ポリシリコンに不純物を添加することを特徴とする請求項4記載の半導体装置の製造方法。