研究成果の概要(和文):分子性導体の主要構成分子であるテトラチアフルバレン(TTF)誘導体が常磁性金属イオンであるCu(II)イオンに配位したTTF-金属錯体を用いた電界効果トランジスタ(FET)の特性を向上させるため,TTF-金属錯体の誘導体を新たに合成し特性の向上を達成した。新しいシッフ塩基型錯体としてTTF部位を持たないsalphen錯体が大気中で安定に作動するFETデバイスを与えることを見出した。スピン多重度が大きな金属イオンと配位可能な新規TTF-配位子,ならびにその錯体の合成に成功し,強磁性相互作用を示すキューブ錯体や水素結合ネットワークを有する一次元チューブ状錯体の開発に成功した。