平坦化・裏面研削はNSFseries世界最高レベルの能率と精度でSiCの平坦化・薄化が可能。SiC・GaN等の化合物半導体専用の超精密研削盤/バックグラインダーNSFseries。従来の研削方法を凌駕する加工レート。ラッピング工程を不要にする面粗さ、SSD。■4~6インチ単結晶SiCウェハの超高能率薄化加工6インチの単結晶SiCウェハもt600μm→100μmへ薄化、Ra1nm以下まで約10分で可能。4インチの複数枚の同時加工も可能。従来ウェハ工程にて用いられていたラップでは不可能だったエッジまでフラットな超平面の創成が可能。■4インチ単結晶SiCウェハの超鏡面加工Ra0.6nm、Rz5.1nmとラップ同等の加工が可能。超高番手砥石を用いた際も、工具磨耗が極小。従来の固定砥粒方式では実現できなかった加工歪み層の超極小化に成功。ウェハメイキング工程のCMP工程を劇的に削減します。照明用デバイスなどに用いられるサファイアの高能率・高精度な薄化、平坦化加工も得意としています。1μm以下の平面度が容易に出せます。支持基板として使用されるセラミックスなどの硬脆性材料加工も抜群の精度と能率で加工。難削材ウェハ加工の常識を覆す、まったく新しい研削加工。従来の加工方法を、すべての面で凌駕。より従来にない圧倒的な加工能率、品位、SSDの極小化、工具寿命を実現。ワークへのダメージを極少に抑えるために開発された画期的な技術です。常にワークと砥石にかかる圧力を検知し、NCによって切り込み圧力と量を複合制御。常に最高の条件での研削加工を実現します。3.超鏡面、超フラット面創成を可能にする究極の回転・位置決め技術(特許取得)。実現するためにダブル静圧軸受けを開発し、ワーク軸に採用しました(特許取得)。振動減衰性に優れ、面ぶれがない超精密な回転と高精度な上下軸位置決めの実現により、従来にない超鏡面かつ超フラットな面の創成を可能としました。ベッド及び独自のガントリフレーム構造の設計により各軸単独での切り込み及び加工面の倒れが極少です。5.ウェハ厚みの測定、自動加工が可能。自動加工、クリーンルーム対応も可能。オプションにて±1μm精度にてワーク厚みを測定し、自動加工に対応することができます。自動ワーク供給、クリーンルーム仕様に対応することも可能です(詳細仕様については弊社本社営業までお尋ね下さい)。リアルタイムでワークと砥石にかかる圧力を検知し、NCによって切り込み圧力と量を複合制御。オプションご要望に応じて、自在なカスタマイズが可能。■精密真空チャックお客様のご要望により、ウェハ吸着、BGテープ、ワックス貼り定盤に対応した精密チャック方式をご提案可能です。±1μmの精度でワーク厚み測定が可能な測定ユニット。全自動加工に対応することが可能です。■自動ワーク供給装置お客様のご要望に対して、最適なサイズ、枚数、キャリー方式でのマテハンの設置が可能です。■純水・クリーンルーム対応お客様のご要望により、純水・クリーンルーム対応を施した装置のご提案も可能です。)NSF-350(OP)6インチまでの各種ウェハ加工に対応。SiC、GaN、サファイア、LTなどのライン化に最適なモデルです。)NSF-600(OP)4インチ3枚、3インチ7枚まで各種ウェハの同時加工が可能。SiC、GaN、サファイア、LTなどに最適な数多くの実績を持つモデルです。)NSF-800(OP)6インチウェハ3枚、4インチウェハ7枚の同時研削が可能。大口径のセラミックスやガラスなどの加工にも対応できるモデルです。自動ワーク交換にも対応。φ800×40■内容・仕様等は、予告無く変更することがあります。説明の内容や写真はオプション仕様を含んでおりますので、御発注の際には、製作仕様書にて確認下さい。測定条件や加工条件に依って異なる場合があります。■製品を転売、又は、輸出される場合がありましたら、弊社までご連絡ください。製品を輸出等される場合は、外為法の定めるところに従い、必要な手続きをお取り下さい。■本製品を国際的平和及び安全の妨げとなる使用目的を有するものに再提供したり、また、そのような目的に自ら使用したり、第三者に使用させたりしないようにお願いします。・超精密ラッピングマシンの加工事例お問合せ先ご相談内容に応じて、各地域の営業担当者より最適なご提案・ご対応をさせて頂きます。設備をご検討のお客様には、テスト加工や工場見学を行なっております。ご興味のある製品に関して、お気軽にお問合わせ下さい。FAX:0575-46-2325。