增大1^2的MOST结构也是重要的。因此,使BOX层的厚度薄,从而提高下部MOST的作用。所以氮氧化物(SiON)膜等也是适合的。这种情况下,以二氧化硅膜换算,可以薄膜化至1.5nm左右。PM0ST也是同样的。则即使是非常低的VDD,也可以使第1电路高速地动作。例如,输入小于等于VDD而MN21导通时,MP23的栅极下降,输出OUT'趋向VDH并开始充电。另一方面,输入从VDD变为0V时,MN21截止,MP21导通,所以同样地,输出高速地放电到VBB。