図4に示す例においては、例えば、「膜F」を生成するための複数種類の原料「原料A」・・・「原料Z」のうち、「原料A」と反応すると共にある温度T0において「原料A」の飽和蒸気圧よりも少なくとも10倍高い飽和蒸気圧を有する「原料B」が選択される。識別するための識別情報および高飽和蒸気圧原料を識別するための識別情報を通知部130へ出力する。制御装置101の算出部124は、制御装置100の算出部124と同様の機能を有する。制御装置101の制御部125は、制御装置100の制御部125と同様の機能を有する。高飽和蒸気圧原料をユーザに通知する。高飽和蒸気圧原料を表示する表示装置、例えば液晶ディスプレイ、によって実現される。しての「原料A」および高飽和蒸気圧原料としての「原料B」をユーザに通知する。【0115】このように、本開示の一実施形態の変形例による制御装置101において、取得部122は、被処理体Wに膜を生成するために用いられる複数種類の原料を識別するための識別情報および複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。選択部123は、飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて複数種類の膜の原料のうち、ある温度T0において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびその原料と反応すると共にある温度T0において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも10倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料を選択する。通知部130は、温度T0において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびその原料と反応すると共にある温度T0において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも10倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料をユーザに通知する。【0116】これにより、温度T0において最も低い飽和蒸気圧を有する原料の流量を制御するが、ある温度T0において最も低い飽和蒸気圧よりも少なくとも10倍高い飽和蒸気圧を有する少なくとも一つの原料の流量の公差をより確実に増加させることができる。よって、膜の生成をより容易に制御することができる複数種類の原料をユーザに通知することができる。次に、図11を参照して、本開示の一実施形態の変形例による制御方法の処理手順の一例を説明する。図11は、本開示の一実施形態の変形例による制御方法の処理手順の一例を示すフローチャートである。【0118】ステップS301において、制御装置101は、被処理体Wに生成する膜を識別する情報をユーザから受け付ける。【0119】ステップS302において、制御装置101は、膜を識別する情報に基づいて、飽和蒸気圧曲線データ111から膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータを取得する。112から第1の飽和蒸気圧の値P1、第2の飽和蒸気圧の値P2、および第3の飽和蒸気圧の値P3を取得する。【0120】ステップS303において、制御装置101は、膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、膜を生成するための複数種類の原料のうち、ある温度において最も低い飽和蒸気圧を有する原料を選択する。【0121】ステップS304において、制御装置101は、膜を生成するための複数種類の原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、膜を生成するため複数種類の原料を決定すると共に膜を生成するため複数種類の原料をユーザに通知する。制御装置101は、ある温度T0において最も低い飽和蒸気圧を有する原料およびある温度T0において最も低い飽和蒸気圧を有する原料の飽和蒸気圧よりも少なくとも10倍高い飽和蒸気圧を有する原料を選択すると共にユーザに通知する。【0122】ステップS305において、制御装置101は、選択された原料についての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、第1の温度T1、第2の温度T2、および第3の温度T3を算出する。第1の温度T1は、選択された原料についての第1の飽和蒸気圧の値P1に対応する温度である。第2の温度T2は、選択された原料についての第2の飽和蒸気圧の値P2に対応する温度である。第3の温度T3は、選択された原料についての第3の飽和蒸気圧の値P3に対応する温度である。第1の温度T1、第2の温度T2、および第3の温度T3は、T2>T1>T3の関係を満たす。【0123】ステップS306において、制御装置101は、被処理体Wの温度、チャンバー10および排気管15の温度、および捕獲装置16の温度を、それぞれ、第1の温度T1、第2の温度T2、および第3の温度T3に制御する。【0124】<実施例1>次に、図12を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第1の実施例を説明する。図12は、本開示の一実施形態による制御方法の第1の実施例を説明する図である。第1の実施例においては、図1に示すような成膜装置1を用いて被処理体Wとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図12に示すように、ポリ尿素を生成するための原料として1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン(H6XDI)および1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン(H6XDA)を用いた。制御装置100は、原料H6XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−3459.7×(1/(絶対温度[K]))+8.888の直線の傾き−3459.7および切片8.888を取得した。同様に、制御装置100は、原料H6XDAについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−3534.2×(1/(絶対温度[K]))+10.171の直線の傾き−3534.2および切片10.171を取得した。制御装置100は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrを取得した。次に、制御装置100は、原料H6XDIおよび原料H6XDAについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料H6XDIおよび原料H6XDAのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料H6XDIを選択した。原料H6XDAは、ある温度において原料H6XDIの飽和蒸気圧の約10倍程度の飽和蒸気圧を有する。次に、制御装置100は、選択された原料H6XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料H6XDIについての所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrに対応する温度350K(77°C)を算出した。次に、制御装置100は、ウェハの温度を算出された温度77°Cに制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度77°Cにおいて173nm/分であった。【0129】<実施例2>次に、図13を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第2の実施例を説明する。図13は、本開示の一実施形態による制御方法の第2の実施例を説明する図である。第2の実施例においては、図1に示すような成膜装置1を用いて被処理体Wとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図13に示すように、ポリ尿素を生成するための原料としてm−キシリレンジイソシアナート(XDI)およびm−キシリレンジアミン(XDA)を用いた。制御装置100は、原料XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−3882×(1/(絶対温度[K]))+9.9947の直線の傾き−3882および切片9.9947を取得した。同様に、制御装置100は、原料XDAについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−3376×(1/(絶対温度[K]))+9.17の直線の傾き−3376および切片9.17を取得した。制御装置100は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrを取得した。次に、制御装置100は、原料XDIおよび原料XDAについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料XDIおよび原料XDAのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料XDIを選択した。原料XDAは、ある温度において原料XDIの飽和蒸気圧の数倍程度の飽和蒸気圧を有する。次に、制御装置100は、選択された原料XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料XDIについての所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrに対応する温度353K(80°C)を算出した。次に、制御装置100は、ウェハの温度を算出された温度80°Cに制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度80°Cにおいて690nm/分であった。【0134】<実施例3>次に、図14を参照して、本開示の一実施形態による制御方法の第3の実施例を説明する。図14は、本開示の一実施形態による制御方法の第3の実施例を説明する図である。第3の実施例においては、図1に示すような成膜装置1を用いて被処理体Wとしてのウェハにポリ尿素の膜を生成した。図14に示すように、ポリ尿素を生成するための原料としてm−キシリレンジイソシアナート(XDI)およびベンジルアミン(BA)を用いた。制御装置100は、原料XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−3856.8×(1/(絶対温度[K]))+9.9288の直線の傾き−3856.8および切片9.9288を取得した。同様に、制御装置100は、原料BAについての飽和蒸気圧曲線のデータとしてlog10(飽和蒸気圧[Torr])=−2325.9×(1/(絶対温度[K]))+7.6346の直線の傾き−2325.9および切片7.6346を取得した。制御装置100は、ウェハについて設定された所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrを取得した。次に、制御装置100は、原料XDIおよび原料BAについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて、原料XDIおよび原料BAのうち、ある温度においてより低い飽和蒸気圧を有する原料である原料XDIを選択した。原料BAは、ある温度において原料XDIの飽和蒸気圧の約100倍程度の飽和蒸気圧を有する。次に、制御装置100は、選択された原料XDIについての飽和蒸気圧曲線のデータに基づいて選択された原料XDIについての所定の飽和蒸気圧の値0.1Torrに対応する温度353K(80°C)を算出した。次に、制御装置100は、ウェハの温度を算出された温度80°Cに制御した。ウェハにポリ尿素を生成する成膜速度は、ウェハの温度80°Cにおいて32nm/分であった。【0139】<ハードウェア構成>上述してきた制御装置100,101は、例えば、図15に示すような構成を備えたコンピュータ1000によって実現される。図15は、制御装置100,101の機能を実現するコンピュータの一例を示すハードウェア構成図である。Drive)1400を含む。コンピュータ1000は、通信インターフェイス(I/F)1500、入出力インターフェイス(I/F)1600、およびメディアインターフェイス(I/F)1700を含む。【0140】CPU1100は、ROM1300またはHDD1400に格納されたプログラムに基づいて動作することで各部の制御を行う。ROM1300は、コンピュータ1000の起動時にCPU1100によって実行されるブートプログラム、コンピュータ1000のハードウェアに依存するプログラムなどを格納する。【0141】HDD1400は、CPU1100によって実行されるプログラム、および、そのようなプログラムによって使用されるデータなどを格納する。通信インターフェイス1500は、ネットワークNを介して他の機器からデータを受信すると共にCPU1100へ送信し、ネットワークNを介してCPU1100によって生成されたデータを他の機器へ送信する。【0142】CPU1100は、入出力インターフェイス1600を介して、ディスプレイまたはプリンタのような出力装置、および、キーボードまたはマウスのような入力装置を制御する。CPU1100は、入出力インターフェイス1600を介して、入力装置からデータを取得する。CPU1100は、入出力インターフェイス1600を介して生成したデータを出力装置へ出力する。【0143】メディアインターフェイス1700は、記録媒体1800に格納されたプログラムまたはデータを読み取り、RAM1200を介してCPU1100に提供する。CPU1100は、そのようなプログラムを、メディアインターフェイス1700を介して記録媒体1800からRAM1200上にロードし、ロードしたプログラムを実行する。半導体メモリなどである。コンピュータ1000が制御装置100,101として機能する場合、コンピュータ1000のCPU1100は、RAM1200上にロードされたプログラムを実行することにより、制御装置100,101の機能を実現する。コンピュータ1000のCPU1100は、そのようなプログラムを記録媒体1800から読み取って実行するが、他の例として、他の装置からネットワークNを介してそのようなプログラムを取得してもよい。【0145】また、上記実施形態において説明した各処理のうち、自動的に行われるものとして説明した処理の全部または一部を手動的に行うこともできる。データやパラメータを含む情報については、特記する場合を除いて任意に変更することができる。各図に示した各種情報は、図示した情報に限られない。【0146】また、図示した各装置の各構成要素は機能概念的なものであり、必ずしも物理的に図示の如く構成されていることを要しない。各装置の分散・統合の具体的形態は図示のものに限られず、その全部または一部を、各種の負荷や使用状況などに応じて、任意の単位で機能的または物理的に分散・統合して構成することができる。【0147】また、上述してきた各実施形態に記載された各処理は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。【0148】また、上述してきた「部(section、module、unit)」は、「手段」または「回路」などに読み替えることができる。取得部は、取得手段または取得回路に読み替えることができる。今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。上記の実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。Reserved.15。