低・中電圧パワーMOSFETベアチップインフィニオンの25Vから250VまでのOptiMOSTMとStrongIRFETTMベアチップファミリーは、低スイッチング周波数から高スイッチング周波数までの幅広い用途に対応します。(RDS(on))と極めて高速なスイッチングを組み合わせた製品で、さまざまな産業用アプリケーションや民生用アプリケーションで優れた性能を発揮します。大電流能力に最適化されており、性能と堅牢性が求められる低周波アプリケーションに最適です。AICuシステムパッシベーション:ポリイミド(エッジ構造のみ)StrongIRFETTMおよびOptiMOSTMパワーMOSFETベアダイ製品の詳細については、インフィニオンサービスセンターまたは販売代理店、インフィニオン担当者にお問い合わせください。