(日本語)SearchRegionお問い合わせニュース技術開発ヒストリー1987年、NAND型フラッシュメモリは、当社で開発されました。私達は他社に先駆けて微細化技術を高め、高集積化を実現しました。積層化技術によって大容量化を行い、電子機器の進化や情報社会の進展をグローバルに支えてきました。FLASHTMの発明3次元フラッシュメモリ技術は、世界に先駆けて当社が学会発表を行いました。FLASHTMの多層化そしてSSD市場への投入を進めています。ストレージ需要の一層の増加に対して、高密度化を図りながら、大容量化を実現しています。FLASHTMの発明https://ieeexplore.ieee.org/document/43397082次元から3次元メモリへ当社では、先行開発投資により2次元から3次元への技術のパラダイムシフトを果敢に推進しました。FLASHTMでは、48層、64層そして96層の量産を行い、100層以上に高層化するための技術も開発中です。高度な生産技術の確立も行うと同時に、将来に向けた新規メモリの研究開発も進めており、長期的な高集積化、コスト競争力強化を実現していきます。その他、本ページに記載されている社名・商品名・サービス名などは、それぞれ各社が商標として使用している場合があります。