126的突出部分200上。/漏极118/120并将基底112底切,因而在基底112以及高介电常数层126的突出部分200间形成延伸区148与150的相对凹陷处138a与140a。138a与140a中的延伸区148与150,并且覆盖于源极118与漏极120,如图4I图中的步骤326所示。148与150的结合。(robustness)。current.图5A至图5F用来说明图4中步骤312至326的两个替代方法,以制造与图2和图3图中的MOSFET相似的MOSFET100′与100′′。高介电常数层126的延伸部分200突出至栅极电极124的周边外。124的侧边和突出部分200的上方闲置表面。138a′与140a′中形成浅延伸区148′与150′。因此,上述浅延伸区148′/150′位于突出部分200以及栅极电极124边缘的下方。148′与150′以及基底112中而形成,从而形成MOSFET100′。118′与120′至栅极122的范围。122.步骤408与410是步骤406的替换选择。231′的浅延伸区148′与150′部分,并且深至基底112中而形成。