above.首先参考图1,其显示的是美国第6,504,214号专利(以下简称′214号专利)中的MOSFET10。图1引自′214号专利的图1,该MOSFET或其他半导体元件10形成于一个基底12中或其上。复合元件10,其包括NMOS和/或PMOS元件10,可以在基底12上形成,并通过隔离区域14而隔离。oxide,BOX)。18与漏极20之间的栅极22。26,上述高介电常数层26将栅极电极24与基底12隔离。rinterface)27上,而该缓冲界面层27可以依次位于基底12之上。formed.基底12中定义有介于源极18与漏极20之间的沟道28。