以及掺杂剂源523中的P型掺杂剂扩散形成P-有效扩散区533。接触窗口536贯穿介电层535形成,使金属栅线与N+有效扩散区532和P+有效扩散区534相接触。603和604选择性沉积在晶片IOO的背面上,该背面与正面103-1相对。例如,掺杂剂源602可用N型掺杂剂重掺杂,掺杂剂源603可用P型掺杂剂轻掺杂,而摻杂剂源604可用P型掺杂剂重掺杂。-有效扩散区633,以及掺杂剂源604中的P型掺杂剂扩散形成P+有效扩散区634。接触窗口636贯穿所述介电层635形成,使金属栅线能与N+有效扩散区632和P+有效扩散区634相接触。该背面与正面103-1相对。旋制成厚度大约为2微米。在图7C中,掺杂剂源702旋涂在图7B中的试样上。例如,掺杂剂源702可包括用N型掺杂剂重掺杂的SOG,并在摻杂剂源704的顶部旋涂大约2微米的厚度。702扩散到晶片100中形成N+有效扩散区712。中形成有效扩散区714。