)相比相对较厚(例如,大约2000埃)。.在图9B中,掺杂剂源902和904在掺杂剂源903上形成并进入窗口906中。IOO的背面上进4亍沉积。903完全除去之前,对掺杂剂源902和904进行刻蚀,直到通到晶片100。100中形成N+有效扩散区922。100中形成P-有效扩散区913。903和904转换成介电层935。902和904余下的部分。922和924之上的介电层935部分。(参见图9C)的接触窗口936。