103-1标识,而晶片IOO的已织构化背面用103-2标识。103-1收集太阳辐射。该背面与所述正面103-1相对。IOO背面的进行抛光。用图1D中的晶片IOO对图2-9进行了说明。所提到的晶片IOO可包括N型硅晶片。该背面与所述正面103-1相对。所述掺杂剂源201和202可包括N型掺杂剂例如磷,其中掺杂剂源201轻掺杂(N-),掺杂剂源202重掺杂(N+)。和204可包括P型掺杂剂例如硼,其中掺杂剂源203轻掺杂(P-),掺杂剂源204重掺杂(P+)。