protection.(JA)基板を載置する第1の電極と、前記第1の電極に対向する第2の電極とを有する基板処理装置におけるエッチング方法であって、第1のガスを導入し、基板に形成された対象膜上の所定膜のパターンに該対象膜を途中までエッチングする第1の工程と、前記第1の工程を実行した後にArガスとH2ガスと堆積性のガスとを含む第2のガスを導入し、前記第2の電極に直流電圧を印加し、保護膜を形成する第2の工程と、前記保護膜を形成する工程を実行した後に第3のガスを導入し、前記対象膜をエッチングする第3の工程と、を有する、エッチング方法が提供される。