INFO知って得するキーポイントモータドライブに適したパワーデバイス非絶縁ゲートドライバおよびパワーデバイスロームには、モータドライバICに加えて、モータドライブに適した非絶縁ゲートドライバと、ディスクリートのパワーデバイスとしてIGBTとパワーMOSFETが用意されています。ラッチアップフリーSOIプロセスを採用した高信頼性非絶縁ゲートドライバロームの非絶縁ゲートドライバは、ブートストラップ方式を用いたハイサイド/ローサイドゲートドライバです。ラッチアップフリーSOIプロセスを採用したことにより高信頼性を実現しています。ラッチアップが生じると大電流が流れ、ICやパワーデバイスが破壊に至ることがあります。Insulator)プロセスは、SOI基板による完全誘電体分離法により高耐圧化を成し構造的にラッチアップを起こしません。逆回復時間を高速化したスーパージャンクションMOSFET:PrestoMOSTMPrestoMOSTMは、従来のスーパージャンクションMOSFETの課題である内部寄生ダイオードの逆回復時間trr特性を高速化し、損失を低減したスーパージャンクションMOSFETです。PrestoMOSTMはIGBTとの比較において、低~中電力領域においては損失電圧が小さいことから損失を低減できます(下記左のグラフ参照)。モータドライブ回路などで一般のMOSFETやIGBTの回生電流による転流損失を低減するために外付けするファストリカバリダイオード(FRD)を使わずに、高速化された内部寄生ダイオードを利用できます。FRDに比べてPrestoMOSTMの寄生ダイオードはVFが低いので低損失です。