Japanese)単層カーボンナノチューブは、直径が0.6~数nmで長さが数μm以上になり、アスペクト比が非常に大きい。した細長い形状から走査プローブの針や電子放出源として省電力の薄型テレビへの応用が期待されている。その優れた電気・電子的特性と安定性から、トランジスタや透明電極、バッテリー・キャパシタの電極等、様々な応用が提案されている。カーボンナノチューブの合成法は種々開発されてきた。カーボンブラックやフラーレン等の炭素材料を無触媒反応で大量合成する方法として実績がある。この火炎合成法をカーボンナノチューブの合成に適用する例が報告されている(例えば、非特許文献1および2参照)。非特許文献1ではアセチレンおよび酸素の混合ガスの燃料等量比が1.6~1.8という狭い領域で単層カーボンナノチューブが合成できたとしている。非特許文献2では燃料をメタン、触媒原料をフェロセンとし、フラーレン合成でスケールアップした実績のあるバーナーを用いることで、5g/hの生産量が得られたとしている。無し火炎を確立し、ポスト火炎領域中で単層ナノチューブを合成するための非担持触媒を提供することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。燃料に炭素を含む予混合火炎に対して触媒金属を近接させ、触媒金属上にカーボンナノチューブを合成する方法が提案されている(例えば、特許文献2参照)。燃料、酸化剤および金属触媒微粒子を供給して火炎を形成し、浮遊する金属触媒微粒子上にカーボンナノチューブを生成・成長させる方法が提案されている(例えば、特許文献3参照)。その他の燃焼法によるカーボンナノチューブの製造方法も、多数報告されている(例えば、特許文献4~7参照)。支持体上に担持された触媒上に炭素源を供給してカーボンナノチューブを合成する際に、加熱炉により支持体を加熱することで触媒を高温化して、カーボンナノチューブを合成する提案がなされている(例えば、特許文献8参照)。硫黄を添加することでカーボンナノチューブの収量が増加することが知られている(例えば、非特許文献3参照)。硫黄源としてはパウダーの硫黄やチオフェン、硫化水素を用いる例がある(例えば、非特許文献4~6参照)。触媒に硫黄を添加すると、鉄の表面エネルギーを下げ、小さい粒子を安定化させる効果があるとされている(例えば、非特許文献7参照)。FeSの共晶を作ることで鉄触媒粒子からの炭素析出を促進するとも言われている(例えば、非特許文献7および8参照)。Japanese)本発明はカーボンナノチューブの製造装置に関し、特に予混合火炎用の管・バーナーを備えたカーボンナノチューブの製造装置に関する。前記保温手段が加熱炉または断熱材からなることを特徴とする請求項1~4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブの製造装置。