Integrated当ウェブサイトを利用することによりクッキーの使用に同意したことになります。モニタプログラム概要マキシムは、継続して不良率が基準に沿ったものであることを確認するために生産・出荷された製品の代表となるデバイスの信頼性をモニタしています。ログラム(RMP)を通じて、主要なウェハファブおよびアセンブリプロセスの信頼性が、加速条件下でモニタされます。通常1ファミリ当り200個以上のデバイスで、様々な環境ストレスに分けられます。RMPの結果は四半期毎にこのレポートで更新されます。RMPで生じた不良はすべて検証され、不良の原因が解析されます。解析結果は発見された不良メカニズムを取り除くための対策の確立に使用されます。(プロセス信頼性)」の項には、前四半期までのIC製品および高温動作ストレスの履歴データが含まれます。データは設計テクノロジー別に構成されています。(パッケージ信頼性)」の項では、前四半期までのアセンブリ/パッケージストレスが要約されています。Acrobat形式で提供されています。Readerを無償でダウンロードすることができます。ストレスは、アセンブリ後の環境がデバイスの信頼性に及ぼす影響をモニタするために使用されます。行われ、湿度に対して敏感であると判断されたすべてのパッケージタイプをモニタするために使用されます。TSSOP、TSOP、およびμSOPがあります。このストレスでは、ロットを様々なストレスグループに分ける前に、ベーキング、高湿保存、および2回または3回の対流式リフローが行われます。超音波テストは、パッケージの亀裂およびダイ表面の層間剥離を見つけるために前処理の前後に行われます。下で得られた不良率から実使用条件下での不良率を推定します。デバイスは、回路をダイナミックに動作させることができるように設定された寿命試験ボードを使用してバイアスされます。らの加速された条件下で初期および長期的にどのように動作するか決定するために、さまざまな読取り点で電気的にテストされます。イプに関わらず、すべての読取り点で全電圧および温度範囲にわたってデータシートの全仕様を満たす必要があります。通常条件は、125°C、5.5Vまたは6.0V、1000時間です。アレニウスモデルを使って、温度により加速される不良メカニズムのための加速係数を決定します。活性化エネルギ(例:0.7ev)不良メカニズムの活性化エネルギは内部の研究の結果または業界で受け入れられている標準的な値、あるいは、実際の不良メカニズムやその活性化エネルギが不明の場合は常に0.7evの活性化エネルギが使用されます。これは控えめな業界標準値です。すべての不良率の推定はストレス時周囲温度から使用時周囲温度まで行われます。電圧により加速される不良メカニズムの加速係数を決定するためには指数関数モデルが使用されます。不良メカニズムに依存する定数(例:1.0、2.4、2.7、など)不良メカニズムに関する定数Bは、内部の研究の結果または業界で受け入れられている標準的な値、あるいは、実際の不良メカニズムまたは定数Bが不明の場合は常にBをゼロとします。すべての不良率の推定は、ストレス電圧から最大動作電圧まで行われます。高温動作試験からの不良率データはカイ二乗統計モデルを使用して、60%または90%の信頼水準(Cf)にて報告されます。|高温保存試験このストレスの目的は保存状態で製品の経年変化を促進させることで、テレコム、EPROM、およびEEPROMの集積回路で使用されます。アスなしの150°C、1000時間です。ストレス試験装置は高温の保存状態に耐えうるオーブンです。レス(48時間)として高温保存を最初に受けるものもありますが、リチウムバッテリの温度制限のため85°Cまで低下させた温度下で行われます。バッテリバックアップ製品は70°Cまたは85°Cの温度で1000時間の高温保存の対象となります。点で電気的にテストされます。このストレスによって、パッケージに対するパッケージ素材およびダイの熱特性の不整合に関する設計の弱点が明らかになります。(バイアスなし)で1000サイクルが通常のストレスです。(バイアスなし)に狭められています。デバイスはデータシートの全仕様に沿って各読取り点で電気的にテストされます。|高温高湿バイアス試験このストレスは、高温、高湿環境に置かれた場合の製品の耐性を評価することを目的としています。品の全寿命にわたって出荷後の状態をシミュレートするように開発されました。85°C/85%の相対湿度で1000時間です。/5.5Vおよび0.0V、で行われます。デバイスは、内部の湿度の低下を招く内部の発熱を低減するように超低消費電力を実現するように設定されます。ストレスでは(樹脂)封止型デバイスの品質、および集積回路の電食を防ぐための表面保護膜(パッシベーション)の品質を調べます。集積回路の両方に使用されます。オートクレーブ試験は、バイアスなしの121°C、2気圧で96時間の評価となり、集積回路に対し行われます。書込みサイクルおよびデータ保持ストレスはEEPROMデバイスで行われます。データ保持のみEPROMデバイスで行われます。全マトリックスで0書込みとそれに続く1書込みの交互からなり、これが1サイクルとして定義されます。70°C、または85°Cで行われる場合があります。