Japanese)測定対象物の応力を測定するための様々な技術が提案されている。このような技術の中に、X線又は中性子線等の測定対象物を形成する材料の結晶粒で回折する性質を持つビームを、測定対象物に照射したときのビームの回折の情報から、測定対象物の照射部分の応力を測定する技術がある。測定対象物の材料の結晶粒による結晶格子面の間隔は、結晶粒に作用する応力によって変化する。結晶格子面の間隔の変化は、測定対象物に衝突して反射するビームの回折角度等の回折後のビームの状態に影響を与える。よって、回折後のビームの状態から、測定対象物の応力が算出され得る。測定対象物の材料の多数の結晶は、様々な方位に乱雑に配置されているため、測定対象物で反射したビームは、円錐面を形成するように様々な方向に指向される。反射後のビームは、円錐の軸と直交する面上で環状の像を形成し、このような環状の像は、回折環と呼ばれる。特許文献1には、測定対象物にX線を照射して得られる回折環に基づき、測定対象物内に存在する応力を測定する技術が記載されている。特許文献1では、4つの入射方向から測定対象物の表面の測定点にX線を照射して得られる4つの回折環を用いて、測定点での3軸垂直応力成分及び3軸せん断応力成分が求められる。Japanese)本発明は、回折する性質を持つビームを測定対象物に照射することによって、測定対象物の応力を測定する応力測定方法及び応力測定装置に関する。前記データ処理部は、前記特定部分に入射する前記ビームと前記回折ビームとから前記回折ベクトルを決定する応力測定装置。