Intel)〜集積回路〜1960年代、半導体メモリとしてまずバイポーラRAMが登場した。Dennardが1トランジスタのDRAMセルを考案し、1968年に特許を出願した。Regitzが3トランジスタのDRAMセルを考案して、半導体メーカに製品化を提案してまわった。1102を開発したが、幾つかの問題のため製品化まで至らなかった。1102の問題点を対策して設計し直したのが1103である。1103も1102同様にPMOSの1Kビットの製品であった。1103は爆発的な成功を収め、それまでコンピュータメモリとして使われていた磁気コアメモリを急速に置き換えていった。Intelの成功をみて、半導体各社は雪崩を打ってDRAMビジネスに参入する。その中でPMOSからNMOSへの転換が進んだ。1971年にはNECが1KビットNMOS-DRAMを開発した。1トランジスタセルの4KDRAMであるTMS4030を発売した。1973年にMOSTEKが、ボード上の実装密度を上げるためアドレスマルチプレックス方式を採用した16ピンパッケージの4KDRAMを発売した。して、NMOS、1トランジスタセル、アドレスマルチプレックス方式というDRAMの標準仕様が固まっていった。SRAMができなかった磁気コアメモリの置き換えを簡単に成し遂げたのは、ビット単価が低かったからである。ビット単価が低いDRAMはリフレッシュ動作が必要であるという欠点にかかわらず、以後半導体メモリの主役として発展を続ける。集積回路/該当年代へ【最終変更バージョン。