【MB85RS2MTY】は、EEPROMやフラッシュメモリと比べて書換え耐性および書込み性能に優れ、低消費電力の不揮発性メモリ。メモリ容量:2Mビット、インターフェース:SPI、動作電源電圧:1.8~3.6V、動作温度範囲:-40~+125°C、書込み/読出し保証回数:10兆回、動作周波数:最大50MHz。AEC-Q100グレード1に準拠。EEPROMと置き換え可能な8ピンSOPに加えて、リードなし...ECC機能付きフラッシュメモリ日本ISSI(同)本製品は、高い信頼性を備えたフラッシュメモリ。低容量から大容量までの多彩なラインアップで、幅広い市場に向けて長期供給が可能。NAND(1~16Gbits)/eMMC(4~128GByte)、動作温度:Industrial(-40~+85°C)/Automotive(-40~+125°C)。Cortex-M3プロセッサをベースとして、512KBのエンベデッドフラッシュ、96KBのシステムRAM、1KBのバッテリバックアップされたAES自己暗号化NVSRAMを備えたフラッシュマイクロコントローラ。アプリケーションへの容易な集積と、セキュリティ機能によるシステムレベルの保護を実現する。けアプリケーション用のeMMCフラッシュメモリ。NANDフラッシュメモリとeMMCコントローラを1つのJEDEC標準パッケージに統合し、ホストとの標準インターフェースを提供。SPI搭載のNORフラッシュメモリ。セクタサイズを4KBに統一。パフォーマンスと最速のプログラムパフォーマンスを実現する。26262機能安全規格に適合で、ASIL-B機能安全にも準拠したNORフラッシュメモリ。業界最高クラスの仕様を備えており、過酷な動作環境でも長期間にわたって高い信頼性と性能を発揮する。IS29GLxxシリーズ日本ISSI(同)【IS29GLxxシリーズ】は、電圧:3Vで動作する256Mb/128Mb汎用パラレルNORフラッシュメモリ。リードサイクル:70ns、ページアクセスタイム:20nsを実現。動作温度:Industrial(105°C)、Automotive(125°C)対応。パッケージ:56ピンTSOP、64ボールBGAにて提供。64Mb品、32Mb品も順次リリース予定。シリアルフラッシュメモリ(株)アルテックス本製品は、SPIバスコンパチブルなシルアルインタフェースを持つエーミック社製8Mビットシリアルフラッシュメモリ。メモリ構成は各256ページ16セクタからなり、各ページ256バイト。1回に256Kバイトの書込みが可能、書込み防止機能も持つ。電圧は3.3V、消費電流15mA、ディープパワーダウンモードで1μA。クロックレートは最高75MHzと高速。Technology社の一次代理店として各種メモリーをアフターフォローまで含めて提供。メモリー)他メーカ様からコンパチ置き換え。16Mから1Mの広いラインナップで供給。32Mから1Mまで供給中。64Mは2010年Q4にリリース。IS25LP032/IS25LP064/IS25LP128日本ISSI(同)【IS25LP032/IS25LP064/IS25LP128】は、先進運転支援システムや車載カメラなどに適した、車載向け133MHzマルチIO/QPI/DTR対応SPIフラッシュフラッシュメモリ。Memoryファミリーとして512KB〜4MBまでの製品を提供しており、今回32MBの製品を新たに加えてサンプル出荷を開始した。これらのIS29GLファミリーは、他社のx29GL製品と互換性があるため、簡単に置き換えることが可能。き込みと高速消去、優れたデータ保持特性を持ち、20年/20万回の書換えを実現。SOP、USON、WSONおよびVVSOPなど豊富なパッケージと組み合わせ、ユーザーのさまざまなニーズに応えることが可能。岡谷エレクトロニクス(株)【MX29F040/400ファミリー】は、4MBの容量を持つNORフラッシュメモリ。アクセスタイムは70ns、電圧範囲5V、10万回以上のプログラム/消去サイクルに耐え、約20年間データを保持。プロセス150nmの自社工場で生産しており、TSOPやPLCCなどのパッケージオプションで提供。民生機器やOA機器、FA機器といった組込み用途に最適。Memoryの各種小型パッケージからKGDまでをフルラインアップにて提供している。取扱い内容は次の通り。(1)小容量SPI:256KB、512KB、1MB、2MB、4MB−pFlash技術:−40〜+105°C動作、20年/20万回書換(業界最高クラス)。