GaNは、シリコンやSiCに比べて高速スイッチングが行え、大口径ウエハーによる生産がSiCに比べて容易などの特徴を持ち、主に1200~600V以下のこれまでパワーMOSFETが用いられてきた用途での活用が見込まれる。一方のSiCは、600~1200V以上の高電圧、大容量の電力を低損失に扱えるという利点などから、IGBT(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)を置き換えるデバイスと目されている。2013」(2013年7月17~19日、東京ビッグサイト)でも、GaN/SiCを用いた製品の展示が相次いだ。前年のTECHNO-FRONTIER以上に展示が目立ったのがGaNを用いた製品だ。アンテナ異世界アンテナアンテナαまとめサイト図鑑パッとま!2chまとめのまとめアンテナ速報アニポワニアンテナエクストラオカルト・アンテナみんなのアンテナウキウキアンテナ金は命より重いアンテナバンク2chまとめのまとめアンテナ5chまとめのまとめみんなのアンテナ名無しアンテナまとめニュースヤフーアンテナまとめツール2chまとめくすアクセスランキングパーツを表示するにはJavaScriptを有効にして下さい。