クラスレートの製造方法は、ゲスト原子を収容している開口部5を有する容器3と、ホスト原子からなる基板2と、を反応容器1内に配置し、不活性ガスの雰囲気下で500°C以上の温度により0.5時間以上24時間以下の加熱時間で加熱して前駆体を生成する第一加熱工程と、容器3と基板2とを収容した状態で反応容器1を冷却する冷却工程と、基板2を、10-2Pa以下の陰圧下で300°C以上450°C以下の温度により1時間以上加熱する第二加熱工程とを備えている。本発明のクラスレート製造方法は、第一加熱工程において、基板2を、容器3の開口部5よりも低い位置に配置することを特徴とする。概要クラスレート(包摂化合物)は、ホスト原子によって形成される三次元的な籠状の構造の中にゲスト原子が内包されている化合物であり、従来の結晶構造物とは異なる特性を備えている。Iとも言う)からVIII型(構造8、TypeVIIIとも言う)に分類される。ホスト原子がシリコンであるシリコンクラスレートが、ナトリウムをゲスト原子として内包している場合、ナトリウムを多く含有するシリコンクラスレートは金属的性質を持つが、ナトリウムの含有量を低減したシリコンクラスレートは、半導体としてのバンドギャップ特性を明確に示すことが知られている。ナトリウムを内包するシリコンクラスレートを製造した場合には、主にI型とII型(構造2、TypeIIとも言う)の混合物からなるクラスレートが生成される。I型のシリコンクラスレートは、十二面体構造であるシリコン20と、十四面体構造であるシリコン24とで構成される立方晶構造を有している。II型のシリコンクラスレートは、十二面体構造であるシリコン20と、十六面体構造であるシリコン28とで構成される立方晶構造を有している。I型のシリコンクラスレートは、ナトリウム原子を一旦内包すると、その後の工程でナトリウム原子がほとんど除去されないという特性がある。これに対してII型のシリコンクラスレートは、加熱処理等を行うことによって、ナトリウムを除去して含有量を低減できることが知られている。そこで、半導体としての利便性を高めるために、II型のシリコンクラスレートを、膜状に高効率で製造する技術が求められている。ホスト原子がゲルマニウムで構成されているクラスレートは、ガリウムヒ素に近い特性を示すことから、太陽電池用の光吸収材料への応用が期待されている。して機能し、合金化により赤外から可視光領域において光の吸収特性を変化させることが可能なクラスレートが存在する。したがって、膜状のIV族クラスレートを効率よく製造することのできる、汎用性の高い技術が求められている。発明者は、これまで、膜状のシリコンクラスレートを製造する新規な方法を特許文献1に開示している。シリコンとゲルマニウムとをホスト原子とするII型クラスレートを製造する新規な方法を特許文献2に開示している。ゲルマニウムクラスレートを製造する新規な方法を特許文献3に開示している。本発明は、ゲルマニウム、シリコン等のIV族元素をホスト原子としたIV族クラスレートを効率よく製造する方法に関する。岐阜大学における知的財産の創出・管理・活用のマネジメントをしています。上記の特許・技術に関心のある方は、下記問い合わせ先に整理番号とともにご相談下さい。同じキーワードでJ-STORE内を検索することが出来ます。