(1/2)2018年8月に開催された「フラッシュメモリサミット」から、半導体メモリの技術動向に関する講演の内容を紹介するシリーズ。今回は、次世代メモリが期待される3つの理由のうち、スケーリング(微細化または高密度化)について解説する。毎年8月に、米国カリフォルニア州サンタクララで開催される。FMSは講演会と展示会で構成されており、来場者は製品や技術、産業などのさまざまな情報を得られる。Memories」のタイトルで述べた、半導体メモリの技術動向に関する解説がある。その内容が興味深かったので、講演の概要を前回から、シリーズでお届けしている。講演の内容だけでは説明が不十分なところがあるので、本シリーズでは読者の理解を助けるために、講演の内容を適宜、補足している。Memories)に期待する理由。XPointメモリ(スリーディークロスポイントメモリ)、ReRAM(抵抗変化メモリ)、NRAM(カーボンナノチューブメモリ)、「そのほかのメモリ」を挙げてそれぞれのメモリの特徴を5点法(5点が最も優れている)で採点した。採点結果を一覧表で示していた。Memories)に期待する理由を説明したところから、始めよう。期待する理由は主に3つある。1つは、現行世代のメモリ(DRAMとNANDフラッシュメモリ)のスケーリング(微細化あるいは高密度化)が将来、止まる可能性があること。1つは、現行世代のメモリが、速度と品質の点で市場のニーズと合致しなくなってきていること。Memory)」が欲しがられていることだとする。NANDフラッシュメモリのスケーリング限界とブレークスルーWebb氏は続いて、現行世代メモリの代表であるNANDフラッシュメモリのスケーリングについて論じた。NANDフラッシュメモリの3次元化が現実となるよりも、はるか以前の時代には、リソグラフィ技術の微細化によるNANDフラッシュメモリの高密度化は、ずっと限界論にさらされてきた。2006年には、40nm技術でNANDフラッシュメモリを実現することは、困難だと考えられていた。実際には40nm世代で限界となることはなく、さらに微細化は続いた。微細化の限界が論じられる状況そのものは、基本的には変わらなかった。NANDフラッシュメモリ技術である。NANDフラッシュメモリ技術は、スケーリングの手法そのものを根本から変革した。メモリセルを垂直方向に積層することで、微細化に頼らないスケーリング(高密度化手法)を実現したのだ。この結果、従来のNANDフラッシュメモリ(プレーナー型NANDフラッシュメモリ)における微細加工の限界論は、意味を成さなくなった。NANDフラッシュメモリのスケーリングと限界論。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。