製造方法および製造装置に関する。して熱電子源と冷陰極電子源の2種類が知られている。5248(1976)等が知られている。646(1961)等が知られている。(1965)等がある。基板上に形成された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用するものである。No.1号、22頁(1983)]等が報告されている。ハートウェルの素子構成を図15に示す。図15に示すように基板1041と、基板1041上にスパッタで形成した金属酸化物薄膜等をフォトリソ技術等によりH型形状のパターンにした導電性薄膜1044からなり、後述の通電フォーミングと呼ばれる通電処理により電子放出部1045が形成される。FIG.は、0.5〜1mm、W'は、0.1mmで設定されている。電子放出部1045の位置及び形状については、確定的でないので模式図として表した。おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜1044を予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子放出部1045を形成するのが一般的であった。forming/分程度を印加通電し、導電性薄膜を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、電気的に高抵抗な状態にした電子放出部1045を形成することである。電子放出部1045は導電性薄膜1044の一部に亀裂が発生しその亀裂付近から電子放出が行われる。上述導電性薄膜1044に電圧を印加し、素子に電流を流すことにより上述電子放出部1045より電子を放出せしめるものである。構造が単純で製造も容易であることから大面積にわたり多数素子を配列形成できる利点がある。そこでこの特徴を生かせるようないろいろな応用が研究されている。表示装置があげられる。film,通常の半導体製造技術の一種である真空成膜、フォトリソグラフィー、エッチング技術を用いて行っていた。technique.【0010】他に、レーザー加工を導電性薄膜のパターン形成に応用する場合が考えられるが、凹凸のある試料表面を精度良く、高速に加工しなければならない。speed.【0011】レーザーで凹凸のある試料表面を高精度に加工する場合、レーザーの焦点を試料表面に合わせる必要がある。従来のレーザー加工機では、レーザーの焦点調整はCCDカメラなどにより得られた画像情報をもとに、CCDカメラのピントを合わせることにより行っている場合が多かった。そのため焦点調整速度には限界があり、加工しながら焦点調整を行うことは困難であった。製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。製造方法において、前記導電性薄膜の表面の凹凸情報を第2のレーザー光を用いて検出し、かつ該凹凸情報に基づき前記導電性薄膜の表面に対する前記レーザー光の焦点を調整しながら前記導電性薄膜を加工することを特徴とする。製造方法において、前記第2のレーザー光を分割ミラーにより、前記レーザー光による加工点の進行方向の導電性薄膜の表面に照射し、前記導電性薄膜の表面にて反射した第2のレーザー光を光センサーに入射させることにより前記導電性薄膜の表面の凹凸情報を検出する方法や、前記第2のレーザー光をスイング機構により、前記レーザー光による加工点の進行方向の導電性薄膜の表面に照射し、前記導電性薄膜の表面にて反射した第2のレーザー光を光センサーに入射させることにより前記導電性薄膜の表面の凹凸情報を検出する方法が考えられる。considered.【0015】上記のような方法の場合、前記レーザー光を分岐し、その分岐した一方のレーザー光を前記導電性薄膜が加工されない程度まで減衰することにより前記第2のレーザー光を得ることが好ましい。means,前記光学系による第1のレーザー光の焦点を前記導電性薄膜の表面に合わせるために前記光学系を昇降させる昇降手段と、を備えたことを特徴とする。filmのレーザー光を受光して、前記第1のレーザー光による加工点の進行方向の導電性薄膜の表面の凹凸情報を得る光センサーと、から構成される。point.【0018】また、前記照射手段としては分割ミラーや、前記第1のレーザー光による加工点の進行方向に応じて前記減衰器により出力が減衰された第2のレーザー光の入射方向を変えるスイング機構が考えられる。considered.【0019】さらに前記昇降手段としては、リニアモーターや圧電素子を用いることが考えられる。constant,高速でかつ精度の良い加工が達成される。achieved.【0021】さらに、前記レーザー光を分岐し、その分岐した一方のレーザー光を前記導電性薄膜が加工されない程度まで減衰することにより前記第2のレーザー光を得ることにより、装置の小型化が可能となる。はしご型配置電子基板を有する画像形成装置には電子放出素子からの電子の飛翔を制御する電極である制御電極(グリッド電極)を必要とする。board.【0023】以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する。製造方法を好適に実施する製造装置の第1実施例を最もよく表す図である。導電性薄膜を形成する際に用いられるレーザー加工機であって、レーザー発振器1を有する。レーザーの焦点調整用の系と試料加工用の系とに大別されており、これらの二つの系にレーザー発振器1より放出されたレーザー光を分岐させるため部分反射ミラー2を有する。systems.【0026】レーザーの焦点調整用の系は、部分反射ミラー2により反射されたレーザー光1aを試料12が加工されない程度まで減衰させる、NDフィルターから成る減衰器6の他、検出手段として、減衰器6により減衰されたレーザー光をX、Y方向に分割して試料12に照射する照射手段の分割ミラー7、および分割ミラー7からのX、Y方向のレーザー光が試料12に反射して入射される、光学系を備えた光センサー8a、8bとから構成される。このような系にて光センサー8a、8bの信号変化を検出することにより、試料12の表面凹凸情報を検出することができる。3,スリット4を通過したレーザー光を試料12に集束させる対物レンズ5とから構成される。12.【0028】対物レンズ5は昇降機構10により取り付けられており、光センサー8a、8bにより検出されたZ方向の位置変化をもとに、位置制御機構9によりZ方向に微動可能になっている。9.【0029】また、試料12はXY方向走査機構11上に固定されており、位置制御機構9によりXY方向に走査可能になっている。9.【0030】レーザー発振器1、位置制御機構9は制御コンピュータ13により制御され、任意のパターンを描画することができるように構成されている。pattern.【0031】前述された構成のレーザー加工機を用いて、試料12を加工する際の動作を説明する。12.【0032】試料12をXY方向走査機構11にセットし、制御コンピュータ13によりレーザー発振器1の出力を所望の値にセットする。13.【0033】次に加工パターンに応じてXY方向走査機構11が移動するように、制御コンピュータ13から位置制御機構9に制御信号を送る。2つの光センサーからの信号を選択する。sensor.【0035】これにより加工方向に一致した試料表面の凹凸情報を検出することができ、昇降機構10を微動させることにより、試料表面の凹凸にレーザー光1bの焦点のあった加工を行なうことが出来る。製造する際に有効である。有するマトリクス型配置電子源基板を例に説明する。shown),及びY方向配線93を印刷法を用い作製した。C.0分間焼成した後に、Pdを主成分とする微粒子膜からなる導電性薄膜を生成した。532nm)に、作製された電子源基板91をXY方向走査機構11の上にセットし、絶縁層上に塗布されている導電性薄膜に加工を行った。6(本実施例ではNDフィルター)を通過させることにより、十分に加工面にダメージを与えない程度に減衰させ照射した。surface.【0042】対物レンズ5の昇降機構にリニアモータを用い、位置制御機構9の信号をもとに焦点調整を行った。one,往復動作を行う時にも加工を行う場合は、光センサーを加工用レーザー光1bの前後左右に設ければ良い。21は配線、符号22は絶縁層、符号23は導電性薄膜を指し示している。film.【0045】図2のように加工用レーザー光1bの先(加工方向の前方)を、凹凸測定用のレーザー光1aが走査している。scanning.【0046】今回加工用に用いたマトリクス型配置電子源基板の1ステップの凹凸は20μm程度であり、十分に加工用レーザー光1bの焦点を合わせたまま、加工を行うことができた。processing.【0047】続いて、通電フォーミングを、後でも説明するが図7に示すような電圧を印加することにより行った。この時、フォーミング電圧波形としては、パルス幅T1を1msec、パルス間隔T2を10msecの矩形波で波高値15Vとし、真空雰囲気下で行った。この通電処理により導電性薄膜23を局部的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造の変化した電子放出部45(図4参照)が得られた。有するマトリクス型配置電子源基板を作製し、後でも説明するが図10に示すように、フェースプレート106、支持枠102、リアプレート101等と封着することにより画像形成装置を作製した。by.【0049】本実施例では、対物レンズ5の昇降機構にリニアモータを用いたが、なんら制限されることはなく、圧電素子を用いても同様の結果を得ることができた。element.【0050】本発明のレーザー加工機を用いマトリクス型配置電子源基板を加工することにより、加工むらの少ない電子源基板を短時間で作製することができた。製造方法を好適に実施する製造装置の第2実施例を最もよく表す図である。この図にて第1実施例と同一の構成要素には同一符号が付してあり、ここでは第1実施例と同一の構成要素の説明は割愛する。omitted.【0052】本実施例は、第1実施例の分割ミラーに代えて、図3に示すような、減衰器6によりパワーの減衰されたレーザー光を、レーザーによる加工点の進行方向に応じてX、Y方向に振るスイング機構7aを有する。direction.従って、第1実施例では常に光センサー8a、8bにレーザー光1aが入射されているが、本実施例ではレーザーによる加工点の進行方向に応じてXY方向が選択される。有するはしご型配置電子源基板を例に説明する。example.【0054】まず、後でも説明するが図13に示すように、ガラス基板の上に配線132、絶縁層(不図示)を印刷法を用い作製した。C.0分間焼成した後、Pdを主成分とする微粒子膜からなる導電性薄膜を生成した。532nm)に、作製された電子源基板131をXY方向走査機構11の上にセットし、絶縁層上に塗布されている導電性薄膜に加工を行った。6(本実施例ではNDフィルター)を通過させることにより、十分に加工面にダメージを与えない程度に減衰させ照射した。surface.【0058】対物レンズ5の昇降機構に圧電素子(トーキン製)を用い、位置制御機構9の信号をもとに焦点調整を行った。one,往復動作を行う時にも加工を行う場合は、光センサーを加工用レーザー光1bの前後左右に設ければ良い。1b.【0060】今回加工用に用いたはしご型配置電子源基板の1ステップの凹凸は20μm程度であり、十分に加工用レーザー光1bの焦点を合わせたまま、加工を行うことができた。processing.【0061】続いて、通電フォーミングを、後でも説明するが図7に示したような電圧を印加することにより行った。この時、フォーミング電圧波形としては、パルス幅T1を1msec、パルス間隔T2を10msecの矩形波で波高値15Vとし、真空雰囲気下で行った。structure(図4参照)が得られた。102、リアプレート101等と封着することにより画像形成装置を作製した。like.【0063】本実施例では、対物レンズ5の昇降機構に圧電素子を用いたが、なんら制限されることはなく、リニアモータを用いても同様の結果を得ることができた。results.【0064】本発明のレーザー加工機を用いはしご型配置電子源基板を加工することにより、加工むらの少ない電子源基板を短時間で作製することができた。構成を示し、(a)は模式的平面図、(b)は断面図である。製造方法の一例を示す工程図である。41,素子電極42,43が一定間隔Lでそれぞれ配置されている。この基板上41の各素子電極42,43の間には、導電性薄膜44が形成されている。44には、電子を放出する電子放出部45が形成されている。2を表面に形成したガラス基板及びアルミナ等のセラミックス基板が用いられる。2等の透明導電体及びポリシリコン等の半導体材料等から適宜選択される。polysilicon.【0070】素子電極間隔Lは好ましくは数百オングストロームより数百マイクロメートルである。素子電極間に印加する電圧は低い方が望ましく、再現良く作成することが要求されるため特に好ましい素子電極間隔は数マイクロメートルより数十マイクロメートルである。数マイクロメートルより数百マイクロメートルであり、また素子電極42、43の膜厚は、数百オングストロームより数マイクロメートルが好ましい。angstroms.【0072】尚、図4の構成だけでなく、基板41上に導電性薄膜44、素子電極42、43の電極を順に形成させた構成にしてもよい。angstroms,特に好ましくは10オングストロームより500オングストロームである。そのシート抵抗値は10の3乗乃至10の7乗オーム/□である。HfN等の窒化物、Si、Ge等の半導体、カーボン等があげられる。like.【0075】尚、ここで述べる微粒子膜とは複数の微粒子が集合した膜であり、その微細構造として、微粒子が個々に分散配置した状態のみならず、微粒子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態(島状も含む)の膜をさしており、微粒子の粒径は数オングストロームから数千オングストロームであり、好ましくは10オングストロームより200オングストロームである。angstroms.【0076】電子放出部45は導電性薄膜44の一部に形成された高抵抗の亀裂であり、通電フォーミング等により形成される。亀裂内には数オングストロームから数百オングストロームの粒径の導電性微粒子を有することもある。この導電性微粒子は導電性薄膜44を構成する物質の少なくとも一部の元素を含んでいる。電子放出部45及びその近傍の導電性薄膜44は炭素あるいは炭素化合物を有することもある。製造方法の一例について説明すると、図5において、まず、絶縁性の基板41として青板ガラスを用い、基板41上にNiを用いて素子電極42,43を形成した。この時、素子電極間隔Lを3μm、素子電極幅Wを500μm、素子電極の厚さを1000Åとした。diameter:70Å)からなる導電性薄膜44を形成した。time,導電性薄膜44の幅W'は300μmとした。構成を示す模式的図面である。4と同一の構成部分については同一符号を付与してある。as.符号46は段差形成部を指し示している。素子電極間隔Lに相当する。その間隔は数百オングストロームより数十マイクロメートルである。その間隔は段差形成部の製法及び素子電極間に印加する電圧により制御することができるが、好ましくは数百オングストロームより数マイクロメートルである。42,43の上に積層される。図6において電子放出部45は段差形成部46に直線状に形成されているように示されているが、作成条件、通電フォーミング条件等に依存し、形状、位置ともこれに限るものではない。Absent.【0082】通電フォーミングは素子電極42,43間に不図示の電源を用いて通電を行い、導電性薄膜44を局所的に破壊、変形もしくは変質せしめ、構造を変化させた部位を形成させるものである。この局所的に構造変化させた部位を電子放出部45とよぶ(図5(c)参照)。通電フォーミングの電圧波形の例を図7に示す。pulse,電圧パルスを印加する場合(図7(b)参照)とがある。パルス波高値が一定電圧とした場合について説明する。形態に応じて適宜選択し、適当な真空度、例えば、10の−5乗torr程度の真空雰囲気下で、数秒から数十分間印加する。素子の電極間に印加する波形は三角波に限定することはなく、矩形波など所望の波形を用いても良い。wave.【0085】図7の(b)におけるT1及びT2は、図7の(a)と同様であり、三角波の波高値(通電フォーミング時のピーク電圧)は、例えば0.1Vステップ程度づつ増加させ適当な真空雰囲気下で印加する。such.【0086】尚、この場合の通電フォーミング処理はパルス間隔T2中に、導電性薄膜4を局所的に破壊、変形しない程度の電圧、例えば0.1V程度の電圧で、素子電流を測定し、抵抗値を求め、例えば、1Mオーム以上の抵抗を示した時に通電フォーミング終了とする。ohm.【0087】次に、通電フォーミングが終了した素子に活性化工程と呼ぶ処理を施すことが望ましい。torr程度の真空度で、通電フォーミング同様、パルス波高値が一定の電圧パルスを繰り返し印加する処理のことであり、真空中に存在する有機物質に起因する炭素及び炭素化合物を導電薄膜上に堆積させ素子電流If、放出電流Ieを著しく変化させる処理である。活性化工程は素子電流Ifと放出電流Ieを測定しながら、例えば、放出電流Ieが飽和した時点で終了する。印加する電圧パルスは動作駆動電圧で行うことが好ましい。voltages.【0088】尚、ここで炭素あるいは炭素化合物とはグラファイト(単、多結晶双方を指す)、非晶質カーボン(非晶質カーボン及び多結晶グラファイトとの混合物を指す)であり、その膜厚は500オングストローム以下が好ましく、より好ましくは300オングストローム以下である。less.【0089】こうして作成した電子放出素子を通電フォーミング工程、活性化工程における真空度よりも高い真空度の雰囲気下に置いて動作駆動させるのが良い。高い真空度の雰囲気下で、80°C〜150°Cに加熱後動作駆動させることが望ましい。-6乗以上の真空度であり、より好ましくは超高真空系であり、新たに炭素あるいは炭素化合物が導電薄膜上にほとんど堆積しない真空度である。することによって素子電流If、放出電流Ieを安定化させることが可能になる。Ie.【0091】図8は、図4で示した構成を有する素子の電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構成図である。図8において、図4と同様の符号は、同一のものを示す。85は真空装置、符号86は排気ポンプを指し示している。用いた画像形成装置について述べる。基板上に配列することにより形成される。substrate.【0094】以下、この原理に基づき構成した電子源の構成について、図9を用いて説明する。device,符号95は結線を指し示している。94は前述した平面型あるいは垂直型どちらであってもよい。above.【0095】図9において電子源基板91に用いる基板は前述したガラス基板等であり、用途に応じて形状が適宜設定される。Dy1,Dy2、・・・Dynのn本の配線よりなる。93間は不図示の層間絶縁層により電気的に分離されてマトリックス配線を構成する(m、nは共に正の整数)。integers).【0098】不図示の層間絶縁層はX方向配線92を形成した基板91の全面或は一部に所望の領域に形成される。X方向配線92とY方向配線93はそれぞれ外部端子を介して引き出される。94の素子電極(不図示)がm本のX方向配線92とn本のY方向配線93と結線95によって電気的に接続されている。基板あるいは不図示の層間絶縁層上のどちらに形成してもよい。94の行を入力信号に応じて走査するための走査信号を印加するための不図示の走査信号発生手段と電気的に接続されている。94の列の各列を入力信号に応じて、変調するための変調信号を印加するための不図示の変調信号発生手段と電気的に接続されている。各素子に印加される駆動電圧は当該素子に印加される走査信号と変調信号の差電圧として供給されるものである。device.【0104】上記構成において、単純なマトリクス配線だけで個別の素子を選択して独立に駆動可能になる。wiring.【0105】次に、以上のようにして作成したマトリクス型配置電子源基板を用いた画像形成装置について、図10、図11及び図12を用いて説明する。12はNTSC方式のテレビ信号に応じて表示をするための駆動回路のブロック図を示し、その駆動回路を含む画像形成装置を表す。frame,符号101はリアプレートを指し示しており、これら部材によって外囲器108が構成される。members.【0107】図10において、符号94は図4における電子放出部に相当する。一対の素子電極と接続されたX方向配線及びY方向配線を指し示している。102を設け、フェースプレート106、支持枠102、電子源基板91にて外囲器108を構成しても良い。spacerにすることもできる。to.【0109】図11中、符号112は蛍光体を指し示している。蛍光体112はモノクロームの場合は蛍光体のみからなるが、カラーの蛍光膜の場合は蛍光体の配列によりブラックストライプあるいはブラックマトリクスなどと呼ばれる黒色導電材111と蛍光体112とで構成される。ブラックストライプ、ブラックマトリクスが設けられる目的はカラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体112間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくすることと蛍光膜104における外光反射によるコントラストの低下を抑制することである。ブラックストライプの材料としては、通常良く用いられている黒鉛を主成分とする材料だけでなく、導電性があり、光の透過及び反射が少ない材料であればこれに限るものではない。reflectivity.【0110】ガラス基板103に蛍光体を塗布する方法はモノクローム、カラーによらず沈澱法や印刷法が用いられる。used.【0111】また蛍光膜104(図10参照)の内面側には通常メタルバック105(図10参照)が設けられる。メタルバックの目的は蛍光体の発光のうち内面側への光をフェースプレート106側へ鏡面反射することにより輝度を向上すること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極として作用すること、外囲器内で発生した負イオンの衝突によるダメージからの蛍光体を保護すること等である。内面側表面の平滑化処理(通常フィルミングと呼ばれる)を行い、その後Al(アルミ)を真空蒸着等で堆積することで作製できる。like.【0112】フェースプレート106には、更に蛍光膜104の導電性を高めるため蛍光膜104の外面側に透明電極(不図示)を設けてもよい。torr程度の真空度にされ、封止がおこなわれる。外囲器108の封止後の真空度を維持するためにゲッター処理を行う場合もある。108の封止を行う直前あるいは封止後に抵抗加熱あるいは高周波加熱等の加熱法により、外囲器108内の所定の位置(不図示)に配置されたゲッターを加熱し、蒸着膜を形成する処理である。torrの真空度を維持するものである。フォーミング以降の工程は適宜設定される。set.【0114】次に、マトリクス型配置電子源基板を用いて構成した画像形成装置を、NTSC方式のテレビ信号に基づきテレビジョン表示を行う為の駆動回路の概略構成を図12のブロック図を用いて説明する。127は変調信号発生器を指し示し、VxおよびVaは直流電圧源である。Doy1ないしDoynおよび高圧端子Hvを介して外部の電気回路と接続している。一行(N素子)ずつ順次駆動してゆく為の走査信号が印加される。各素子の出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。出力される電子ビームに蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。devices.【0117】次に走査回路122について説明する。Vx[V](グランドレベル)のいずれか一方を選択し、表示パネル121の端子Dx1ないしDxmと電気的に接続するものである。S1ないしSmの各スイッチング素子は制御回路123が出力する制御信号Tscanに基づいて動作するものだが実際には例えばFETのようなスイッチング素子を組み合わせる事により構成する事が可能である。特性(電子放出しきい値電圧)に基づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力するよう設定されている。voltage.【0119】また制御回路123は外部より入力する画像信号に基づいて適切な表示が行なわれるように各部の動作を整合させる働きをもつものである。Tsyncに基づいて各部に対してTscan、TsftおよびTmryの各制御信号を発生する。126は外部から入力されるNTSC方式のテレビ信号から同期信号成分と輝度信号成分とを分離する為の回路で周波数分離(フィルター)回路を用いれば構成できるものである。同期信号分離回路126により分離された同期信号は良く知られるように垂直同期信号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Tsync信号として図示した。124のシフトクロックであると言い換えても良い。1d1乃至1dnのN個の並列信号として前記シフトレジスタ124より出力される。line,制御回路123より送られる制御信号Tmryにしたがって適宜Id1ないしIdnの内容を記憶する。記憶された内容はId'lないしId'nとして出力され変調信号発生器127に入力される。Ieに対して以下の基本特性を有している。電子放出には明確な閾値電圧Vthがあり、Vth以上の電圧を印加された時のみ電子放出が生じる。occurs.【0125】また電子放出閾値以上の電圧に対しては素子への印加電圧の変化に応じて放出電流も変化してゆく。電子放出素子の材料や構成、製造方法を変える事により電子放出閾値電圧Vthの値や印加電圧に対する放出電流の変化の度合いが変わる場合もあるが、いずれにしても以下のような事がいえる。said.【0126】すなわち、本素子にパルス状の電圧を印加する場合、例えば電子放出閾値以下の電圧を印加しても電子放出は生じないが電子放出閾値以上の電圧を印加する場合には電子ビームが出力される。その際、第一にはパルスの波高値Vmを変化させる事により出力電子ビームの強度を制御する事が可能である。第二には、パルスの幅Pwを変化させる事により出力される電子ビームの電荷の総量を制御する事が可能である。pulse.【0127】したがって、入力信号に応じて電子放出素子を変調する方式としては、電圧変調方式、パルス幅変調方式等があげられ、電圧変調方式を実施するには変調信号発生器127としては一定の長さの電圧パルスを発生するが入力されるデータに応じて適宜パルスの波高値を変調するような電圧変調方式の回路を用いる。data.【0128】またパルス幅変調方式を実施するには変調信号発生器127としては、一定の波高値の電圧パルスを発生するが入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるものである。method.【0129】以上に説明した一連の動作により本発明の画像形成装置は表示パネル121を用いてテレビジョンの表示を行なえる。上記説明中特に記載しなかったがシフトレジスタ124やラインメモリ125はデジタル信号式のものでもアナログ信号式のものでも差し支えなく、要は画像信号のシリアル/パラレル変換や記憶が所定の速度で行なわれればよい。performed.【0130】デジタル信号式を用いる場合には同期信号分離回路126の出力信号DATAをデジタル信号化する必要があるが、これは126の出力部にA/D変換器を備えれば可能である。これと関連してラインメモリ125の出力信号がデジタル信号かアナログ信号かにより、変調信号発生器127に用いられる回路が若干異なったものとなる。different.【0131】まずデジタル信号の場合について述べる。signal.電圧変調方式においては変調信号発生器127には、例えばよく知られるD/A変換回路を用い、必要に応じて増幅回路などを付け加えればよい。127は、例えば高速の発振器および発振器の出力する波数を計数する計数器(カウンタ)および計数器の出力値と前記メモリの出力値を比較する比較器(コンパレータ)を組み合せた回路を用いることにより構成できる。駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。required.【0133】次にアナログ信号の場合について述べる。signal.電圧変調方式においては変調信号発生器127には、例えばよく知られるオペアンプなどを用いた増幅回路を用いればよく、必要に応じてレベルシフト回路などを付け加えてもよい。駆動電圧にまで電圧増幅するための増幅器を付け加えてもよい。Doxm、Doy1ないしDoynを通じ、電圧を印加することにより、電子放出させ、高圧端子Hvを通じ、メタルバック105、あるいは透明電極(不図示)に高圧を印加し、電子ビームを加速し、蛍光膜104に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示することができる。emission.【0135】以上述べた構成は、表示等に用いられる好適な画像形成装置を作製する上で必要な概略構成であり、例えば各部材の材料等、詳細な部分な上述内容に限られるものではなく、画像形成装置の用途に適するよう適宜選択する。SECAM方式などの諸方式でもよく、また、これよりも、多数の走査線からなるTV信号(例えば、MUSE方式をはじめとする高品位TV)方式でもよい。それを用いた画像形成装置について図13、図14により説明する。132Dx10は前記電子放出素子に接続する共通配線を指し示している。130,X方向に並列に複数個配置される。(これを素子行と呼ぶ)。この素子行を複数個基板上に配置し、はしご型電子源基板となる。各素子行の共通配線間に適宜駆動電圧を印加することで、各素子行を独立に駆動することが可能になる。電圧を、電子ビームを放出させない素子行には電子放出閾値以下の電圧を印加すればよい。各素子行間の共通配線Dx2〜Dx9を、例えばDx2、Dx3を同一配線とする様にしても良い。wiring.【0138】図14ははしご型配置の電子源を備えた画像形成装置の構造を示すための図である。Gn,符号130は前述の様に各素子行間の共通配線を同一配線とした電子源基板を指し示している。図14において、図10、図13と同一の符号は同一の部材を示す。10参照)との違いは、電子源基板130とフェースプレート106の間にグリッド電極140を備えている事である。106.【0139】基板130とフェースプレート106の中間には、グリッド電極140が設けられている。放出された電子ビームを変調することができるもので、はしご型配置の素子行と直交して設けられたストライプ状の電極に電子ビームを通過させるため、各素子に対応して1個ずつ円形の空孔141が設けられている。周囲や近傍に設けてもよい。容器外端子142およびグリッド容器外端子143は、不図示の制御回路と電気的に接続されている。simultaneously,各電子ビームの蛍光体への照射を制御し、画像を1ラインずつ表示することができる。line.【0141】また本発明によればテレビジョン放送の表示装置のみならずテレビ会議システム、コンピューター等の表示装置に適した画像形成装置を提供することができる。invention.【0142】さらには感光性ドラム等で構成された光プリンターとしての画像形成装置としても用いることもできる。device,更には熱電子源による画像形成装置にも適用することができる。用いた画像形成装置において画質が向上した。device.【0145】さらに、前記レーザー光を分岐し、その分岐した一方のレーザー光を前記導電性薄膜が加工されない程度まで減衰することにより前記第2のレーザー光を得ることにより、装置の小型化が達成できる。製造方法を好適に実施する製造装置の第1実施例を最もよく表す図である。invention.【図2】加工表面の拡大図である。製造方法を好適に実施する製造装置の第2実施例を最もよく表す図である。構成を示し、(a)は模式的平面図、(b)は断面図である。製造方法の一例を示す工程図である。構成を示す模式図である。device.【図7】通電フォーミングの電圧波形の一例を示す図である。forming.【図8】電子放出特性を測定するための測定評価装置の概略構成図である。characteristics.【図9】単純マトリクス配置の電子源の概略構成図である。arrangement.【図10】単純マトリクス配置の電子源を備えた画像形成装置の概略構成図である。arrangement.【図11】蛍光膜を示す図である。film.【図12】NTSC方式のテレビ信号に応じて表示を行なうための駆動回路を備えた画像形成装置のブロック図である。signal.【図13】はしご型配置の電子源の概略構成図である。arrangement.【図14】はしご型配置の電子源を備えた画像形成装置の概略構成図である。