Japanese)パワーデバイスは、ハイブリッド自動車や太陽光発電用のインバータなどに使用される電力制御用の半導体素子であり、パワーエレクトロニクスの中心となる電子部品である。トランジスタ)、IGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)、サイリスタなどがあり、パワーデバイスの基板への接合には、ハンダが使用される。ハンダは、Pb(鉛)とSn(錫)の合金のものが使用されてきたが、人体に有害であり、自然環境にも悪影響を及ぼすため、鉛フリーハンダも開発されている。特許文献1には、鉛フリーで高い融点を持ち、かつ固相状態で接合が可能なZn(亜鉛)-Al(アルミニウム)共析系合金接合材を用いた半導体装置が開示されている。鉛フリーハンダは、ボイドと呼ばれる微細な空隙を作りやすいが、特許文献1に記載の発明では、超塑性現象を利用して対象物を固相状態で接合することにより、ボイドフリーにすることができる。Japanese)本発明は、基板と半導体素子とを高耐熱ハンダで接合した半導体装置に関する。前記ハンダを冷却し、前記ハンダに超塑性を発現させ、前記ハンダと前記半導体素子との界面、及び前記ハンダと前記基板との界面の応力歪を抑制しつつ前記半導体素子と前記基板とをハンダ接合する降温・接合工程と、を有する、ことを特徴とする高耐熱ハンダ接合半導体装置の製造方法。