ベンチャー・FLOSFIAは4月24日、ミストCVD法を発展させた新技術「ミストドライめっき法」の開発成功を発表した。同めっき法は環境負荷が小さく、様々な金属や合金の薄膜成膜が可能で、基材も選ばず複雑な形状への成膜が可能となっている。●FLOSFIAは、同めっき法を用いてAu、Cu、Ni、Rh等の単体金属の成膜に成功したほか、AuNiを始めとする合金の成膜にも成功している。同めっき法は、湿式めっき技術のようにシアン化合物などの環境汚染物質を使用しないため、廃液処理が不要なほか、ミストCVD法同様真空装置も不要というメリットがある。●更に様々な基材や形状への成膜が可能である。サファイア基板等の結晶性基板、ステンレス、アルミ板等の金属板、電気の流れない基材への成膜や、ポリイミドフィルム上へのロジウム成膜などが既に実現されている。幅2μm、深さ1μmの溝を有する微小凹凸表面や、直径200nm程度のSiO2といったナノ粉末へのAu成膜も実現された。●今後FLOSFIAでは同めっき法を用いたテスト成膜、共同開発を行い、2019年には同めっき法を用いて作製した各種材料の製造販売を開始するという。プラントでの触媒・ガス吸着材料、医薬品の合成工程などへの応用が期待される。