Electronicsは、業界初となる512GバイトのeUFS対応メモリの量産を開始したと発表した。Electronicsは、業界初となる512GバイトのeUFS対応メモリの量産を開始したと発表した。2.1』規格対応の旧品種と比べて2倍の速度を実現する。このため、スマートフォンユーザーは将来的に、超大型の高解像度ディスプレイでシームレスなユーザーエクスペリエンスを享受できるようになる」と述べている。3.0は、既存の超薄型ノートPCに匹敵する性能を実現するという。3.0メモリは、第5世代の512GビットV-NANDダイを8個と、高性能コントローラを搭載する。2.1メモリと比べて2倍高い。SSDと比べて4倍、一般的なmicroSDカードと比べて20倍の高速化を実現している」と述べる。3.0メモリは、前品種のeUFSストレージの2倍の速度を実現するため、将来的に、超大型の高解像度ディスプレイ搭載スマートフォンのモバイルメモリで、ユーザーエクスペリエンスをサポートすることができる」と主張する。2.1と比べて最大36%の高速化を実現している。SSDと同程度の410Mバイト/秒を達成した」と述べている。Choi氏は、報道向け発表資料の中で、「2019年後半には、1TバイトのeUFSメモリを提供できる予定だ」と述べている。2.0準拠のUFSインターフェースを搭載したメモリの提供を開始した。5.1」と比べて、14倍の高速化を実現している。原文へのリンク関連記事DRAMとNANDフラッシュのベンダー別シェア2018年に開催された「フラッシュメモリサミット」では、さまざまな講演が行われた。2018」の内容を紹介する。今回は、次世代メモリのうち、MRAM(磁気抵抗メモリ)とクロスポイントメモリ(XPoint)について、市場予測と開発状況を説明する。NANDフラッシュメモリの事業収益と価格の推移を振り返る今回は、NANDフラッシュメモリの現在の市況について説明する。具体的には、供給過剰だった2016年前半から、品不足による価格上昇を経て、需給バランスの緩和で値下がりが始まった2018年までの動きを見る。既存のメモリと次世代のメモリを比較する今回は、DRAMやNANDフラッシュメモリなど既存のメモリと、MRAM(磁気抵抗メモリ)やReRAM(抵抗変化メモリ)といったエマージング・メモリ(次世代メモリ)の特徴を比較する。Technology(以下、Micron)も、不況の波が間近に迫っている兆候を示した。メモリ市場予測、ボトムは2019年中盤か今回は、これからのメモリ市況を占う。サーバ/データセンター、PC/スマホ、それぞれのメモリ需要のこれまでを振り返りながら、これからどうメモリ市場が動いていくか予想する。LLC.ITmediaはアイティメディア株式会社の登録商標です。