Dielectrics」では7件の論文が発表された。高誘電率(high—k)ゲート絶縁膜は2001年の百花繚(りょう)乱期を過ぎ,2002年半ばからHfO系に収束する傾向を見せている。IEDMでHfO系へのNの導入が話題を集め,懸案だった耐熱性を改善する見通しがついた。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。