2001」メガ・ビット級に代表される大容量の強誘電体メモリー(FeRAM)の実用化と,一層の高集積化に向けた動きが進展してきた。加えて,HfO2,ZrO2をはじめとする高誘電率(high—k)ゲート膜の開発が活発化している。「読者特価」でご購入の際、日経IDに未ログインの場合は途中で通常価格が表示されることがあります。ご購入画面をそのまま進んでいただき、「次へ(お客様情報の入力へ)」のボタン押下後に表示されるログイン画面で日経IDをご入力ください。特価適用IDであれば、表示が特価に変わります。