動素子は,金属リードフレームに直接実装され」ている点で一致する旨認定した。,「金属リードフレームに直接実装されたインダクタ」は引用例には実質的に開示されておらず,本件審決の上記認定は誤りである。金属細線82でインナーフレーム21,23,23と接続されている(【0029】【0030】。したがって,引用例の実施例2は,本願補正発)明の「金属リードフレームに直接実装されたインダクタ」を全く開示していない。引用例の図3に示される変形例では,ワイヤ82の代わりにフレキシブル基板83を用いて単一コンデンサ70と多連チップ8をインナーリードに接続している(【0032】。したがって,引用例の変形例も,本願補正)発明の「金属リードフレームに直接実装されたインダクタ」を全く開示していない。引用例(甲1)の段落【0020】には,「本発明の受動素子には,コンデンサ,抵抗,コイル等を用いることができる。」と,引用発明においてあたかもコイルを使用することができるかのような誤解を与える記載がある。引用発明は,引用例の段落【0006】【0007】において「半,導体装置では,必要とする受動素子が増えると受動素子チップの数も増加し,...,リードフレームを大きくする必要があり,装置が大型化する欠点がある。しかるに,半導体装置の受動部品としてのインダクタであるコイルは,一般に大型で背の高い部品であって,制御装置集積回路やパワーMOSFETなどを一体化した半導体装置の中に小型・低背化に反するコイルをも一体化することは当業者には技術常識上,想定される技術ではなかった。面積であり,重要な制御用素子の面積と同じかそれよりさらに小さい。したがって,引用発明における受動素子配置スペースにコイルを配置することは至極困難であり,引用発明においては受動素子としてコイルを想定していない。成者が,受動部品としてのカテゴリに属する素子として,単純にコンデンサ,抵抗,コイルを並べたにすぎず,実際にコイルをリードフレームに直接実装してパッケージを形成することの技術的な検討はされていないし,引用例には,段落【0020】以外に,コイルもインダクタの文字も存在しない。仮に,引用発明の受動素子としてコイルを採用することにすると,リードフレームを大型化する必要があり,コイルとリードフレーム双方の大型化により半導体装置が大型化してしまう。品としてコイルを採用することは,引用発明の目的とは反する方向に変更することになる。したがって,引用例に触れた当業者は現実にはコイルの採用をすることはなく,コイルの採用は引用発明において阻害されているということができる。本件審決は,コイル等の受動素子として表面実装のものが周知であること(例えば,特開2005?142280号公報(甲2)の段落【0003】,【0020】,図2参照)を考慮すれば,引用発明における受動素子が,インナーリードの表面に実装される表面実装受動素子であることは明らかである旨認定した。甲2は,リードフレームを有しないモジュール基板を開示しており,そのため,リードフレームに直接実装されたコイルを開示していないので,半導体パッケージの技術分野におけるリードフレームに直接実装されるコイルが周知であることを示した文献とはいえない。野においてリードフレームに直接実装されるコイルは周知でもない。「前記複数の表面実装受動素子は,金属リードフレームに直接実装され」ている点を一致点であるとした認定もまた誤りである。このように,本件審決は,本願補正発明と引用発明との間には,「金属リードフレームに直接実装されたインダクタ」との相違点があるにもかかわらず,これを看過することにより,本願補正発明が容易想到であると誤って判断したものであるから,違法として取り消されるべきである。一般的には,取り扱う周波数が低く,電圧が高く,電流が大きいほど,インダクタ(コイル)などの受動素子は大きくなる傾向があることは,当業者の知るところである。【0016】に記載のとおり,本願補正発明が属するパワーM,OSFETを備えた大電力を扱うパワーマネージメントの技術は,低周波,大電力,大電流を扱う技術である。これに対して,被告が提示した乙1~3は,いずれもパワーMOSFETを備えておらず大電力を扱う技術ではないので,本願補正発明が適用されるパワーマネージメント技術における一般的な技術常識を裏付ける適切な証拠となり得ないことは明らかである。面実装受動素子は,機能的に結合することで完全パワーマネージメントシステムを実装」する発明に係るものであることを看過した結果,インダクタ(コ9イル)がどのような技術に適用されるのかを考慮していない主張である。関する」技術であるところ,被告の主張するように短絡的に「チップインダクタは小型である」とすることは,当業者として想定される事項ではない。文献である乙1~3を引用することは許されない。したがって,被告の上記主張には理由がない。原告は,半導体装置の受動部品としてのインダクタであるコイルは,大型で,半導体装置の中に一体化することは技術常識上,想定される技術ではない旨主張する。乙1~3に記載のあるとおり,インダクタ(コイル)の一種であるチップインダクタとしては,小型化したものがあり,コンデンサの一種であるチップコンデンサと同様に,受動素子としてパッケージ内に実装されていることは,一般的な技術事項であって,技術常識である。したがって,原告の上記主張には理由がない。品はコイルを想定していない旨主張する。引用例の段落【0020】には,「本発明の受動素子には,コンデンサ,抵抗,コイル等を用いることができる。受動素子の代わりにダイオードを用いることもできる。受動素子の一体化において,受動素子は,直線配置,屈曲配置,曲線配置などの線状配置や,マトリクス状配置のような平面配置とすることができる。前記おり,コイルであるチップインダクタは,小型化したものがあり,チップコ10ンデンサと同様に,受動素子としてパッケージ内に実装されていることは,技術常識である。子として,文字通りに「コイル等を用いることができる」と理解するというべきである。チップインダクタは小型であるから,引用発明において,受動素子としてコイルであるチップインダクタを採用したとしても,それによって半導体装置が大型化することはないから,阻害要因があるものでもない。したがって,引用例における受動部品は,コイルを用いることについても想定しているといえるから,原告の上記主張には理由がない。子は,金属リードフレームに直接実装され」ていることを一致点とした認定もまた誤りである旨主張する。,「引用発明において,受動素子は,リードフレームのインナーリードに接着搭載されるもの」及び「引用発明において,MOSFETが用いられるパワー素子とパワー素子制御用の半導体素子は,リードフレームのダイパッドにダイボンドされ,受動素子は,リードフレームのインナーリードの表面に実装されるのである」。用発明は,コイルがリードフレームのインナーリードに接着搭載されたもので,かつ,インダクタ(コイル)は,リードフレームのインナーリードの表11面に実装されるものであるといえる。「金属リードフレームに直接実装され」ている構成とを,同時に備えているといえる。「前記複数の表面実装受動素子は,金属リードフレームに直接実装され」ていることを一致点として認定したことに誤りはないから,本件審決が相違点を看過したものとはいえず,原告の主張には理由がない。正書作成の際に,原文にある技術用語「leadless」を「リードの無い」又は「リードレス」と和訳すべきところ,誤って「無鉛」と訳してしまった。囲又は図面に原文新規事項が存在している旨の疑義がある場合」が挙げられている。審判官は,本件PCT出願の原文を参照すべきであった。参照すれば,それが「leadless」の誤訳であることにすぐに気付くはずであった。誤12訳であることに気付けば,本願補正発明の「無鉛」が原文新規事項に該当して特許法49条6号違反であり,又は,発明が明確でないことから同法36条6項2号違反であることを理由とする拒絶理由を通知できた。そのような拒絶理由が通知されていれば,原告は誤訳を訂正することにより,本願を特許へと導くことができた。実際には拒絶理由を通知することなく,いきなり補正却下の決定を伴う拒絶審決がされた。したがって,本件審決は,上記審査基準を遵守しない誤った運用をしたものであって,発明の保護に欠け,特許法の趣旨に反することから,取り消されるべきである。原告は,平成24年5月7日付け手続補正書(甲14)において,「無鉛」なる構成を,新たに請求項1に限定するとともに,同日付の審判請求書(甲13)において,本願補正発明の「無鉛」による有利な効果を主張した。者が適宜なし得たものといえる旨記載して,「無鉛」に関しての見解を示した。到する動機付けを得ることはない旨記載して,「無鉛」とする構成を採用することについて「動機付け」がないことを主張した。理人自身が不自然であることに気付くことができたはずである。このように,原告代理人が「無鉛」について検討する機会が2回あったにもかかわらず,「無鉛」なる訳語について不自然であることに気付くことなく,誤訳の主張もしなかったのは,本願補正発明中の「無鉛」という技術的事項に不自然な点がないからである。鉛」とすることが従来から検討されていたことが理解される。すると,本願補正発明において,請求項中に「無鉛」であることの限定があれば,たとえ「無鉛」であることが,本願明細書の本件補正の課題や効果に直接関連がなかったとしても,鉛汚染の問題を解決するための構成を請求項中に限定したものと自然に理解することができる。本願補正発明が,鉛汚染の問題を解決するために「無鉛」であることを限定したとしても,それによって本願明細書に矛盾する点又は不自然な点が発生するものではなく,また,それによって特許を受けようとする発明が不明確となるものでもない。特許法36条6項2号違反であることを理由とした拒絶理由を通知し,誤訳を訂正することにより特許すべきであった旨の主張は,そもそも,その主張の前提に誤りがある。由が通知されることなく補正却下を伴う拒絶審決がされたことは,発明の保14護に欠け,特許法の趣旨に反する旨の原告の主張には理由がない。本願補正発明について本願補正発明の特許請求の範囲は,前記第2の2ころ,本願明細書(甲5)には,次の記載がある。子及びパッケージングに関する。御装置として市販されている。(」【0002】)「多くの集積回路(IC)製造者によって供されるDC/DC変換器及び電流制御装置は,回路機能の基本動作のみを供するシリコンチップである。積回路を取り囲む他の部品を最大で約22個選択できる。頼性等の最終性能に影響を及ぼす。残念なことに,集積回路製造者によって画定されるこれらの重要な特徴は,顧客が外部部品を加えることにより基板上で回路を完成させるときに実現される性能の特徴と同一ではない恐れがある。従って最初に全部品が,たとえばプリント回路基板上で一緒になるまではユーザーが部品をアセンブリしても完全な回路機能にはならないので,その機能は,基板上のサブシステム機能としてテストされなければならない。(」【0006】)「ペンシルバニア州マルバンにあるビシェイインターテクノロジー社は現在,ファンクションパック(FunctionPAK)(登録商標)D15C/DC変換器及び電流制御モジュールの複数のバージョンを提供している。品は,たとえばBGAパッケージのような単一表面内に実装される完全パワーマネージメントシステムである。有利なことに,この製品は単一モジュール内の完全パワーマネージメント機能である。単一パッケージは全回路部品を有する。単一パッケージは,顧客のシステム内で用いられるような厳密に定義された全回路パラメータによって十分にテストされる。(」【0007】)「ファンクションパック(FunctionPAK)(登録商標)製品は一般的に,マルチチップモジュール(MCM)回路パッケージを有する。一般的には,MCMの語は,2以上の回路素子を有するパッケージのことを指す。並びに回路素子及びパッケージコンタクト結合する相互接続基板を有する。MCM素子は通常,たとえば積層基板を有する。その積層基板はたとえば,FR4プリント回路基板,薄膜堆積物,表面積層回路(SLC),及び/又はセラミック基板である。下に示すような複数の電気的及び熱的制限を有する。数,並びに6)用いられる材料の熱伝導率が不十分であることに起因する意図しない熱特性,である。それに加えて,多層PCBをBGAによる別ルートの接続を有する基板として多層PCBを用いるファンクションパック(FunctionPAK)(登録商標)の設計により,熱効率及び熱放出が不十分となる恐れがある。その結果,回路及び能動素子の動作及び信頼性が影響を受ける恐れがある。上述したように,MCMがプラスチックでモールドされるとき,各独立した部品の熱放出素子は有効に機能しなくなると考えられる。(」【0013】)「図2Aは,(HighSide11及びLowSide12)MOSFET素子用の表面に実装された部品(Cu上に実装されている),及びDC/DC変換器システム用の駆動装置/制御装置10を利用する他の設計を図示している。この解決策は完全パワーマネージメントシステムではない。係るシステムに必要とされる受動素子を含んでいないためである。「従って完全パワーマネージメントシステムが記載される。その完全17パワーマネージメントシステムは,表面実装パッケージを用いて実装される。当該システムは,DC/DCコンバータシステムに引き込まれて良い。置,MOSFET,受動素子(たとえばインダクタ,キャパシタ,レジスタ),及び任意でダイオードを有する。様々な実施例において,MOSFETは,絶縁ゲートバイポーラトランジスタ,所謂IGBTに置き換えられて良い。当該システムはまた,パワーマネージメントシステム,スマートパワーモジュール,又は運動制御システムであって良い。受動素子は,リードフレーム接続間で接続されて良い。能動素子は,金属クリップボンディング法を用いることによって結合されて良い。効なヒートシンクとして機能する。「表面実装パッケージを用いることの利点には,高定格電流,寄生効果の減少,及び高効率が含まれる。それに加えて,本発明の実施例は,より大きな許容損失,より小さな熱抵抗,及び,より小さな次の段階のアセンブリ用の設置面積を供することができる。実施例はまた,アセンブリコストをも下げる。用する完全パワーマネージメントシステム100に係る本発明の実施例を図示している。制御装置,運動制御システム,又はスマートパワーモジュール等如何なるパワーマネージメント用途であって良い。Siliconix)Si91966“高周波数プラグラマブルトポロジー制御装置”のような制御装置/駆動装置集積回路101,MOSFET(HiMO18S103及びLoMOS102),及び複数の受動素子を有する。施例における複数の受動素子は,Cnがキャパシタ,Lnがインダクタで,かつRnが抵抗器である。有利なことに,受動素子は,L1などによって示されているように,金属リードフレーム配置のリードポスト間で接続する。「たとえばインダクタL1は,リードフレーム部分105とリードフレーム部分106との間に設けられている。本発明の実施例によると,インダクタL1は,リードフレーム部分105及びリードフレーム部分106と電気的に接続することに留意して欲しい。様の方法で接続しても良い。本発明の実施例によると,リードフレームは多層であって良い。(」【0026】)「図7A及び図7Bは,本発明の実施例に従った完全パワーマネージメ19ントシステム100の上面を図示している。インダクタ702は,リードフレームの“橋渡し(spanning)”部分に直接実装されているのが分かる。この例では,記号D1で示されたダイオード703も用いられている。ダイオードは,金属(たとえばCu)クリップボンディング法を用いることによってリードフレームと接続して良い。図7Bは,典型的な大きさを有する典型的な設計を図示している。「図9Aは,本発明のモールドされた典型的実施例の斜視図を示している。この実施例では,素子300は,モールドされたプラスチックパッケージで被覆されたシステム100を有する。枠が示されることで,内部の部品が図示されている。「図9Bは,本発明のモールドされていない典型的実施例の斜視図を示している。駆動装置/制御装置50,MOSFET,並びに受動素子R,L,及びCを有する完全システム100が図示されている。インダクタL1と結合する駆動装置/制御装置50が図示されている。リードフレームと接続する他の受動素子も図示されている。記載によれば,本願補正発明の概要は,以下のとおりのものであると認められる。本願補正発明は,パワーマネージメントシステムに関する集積回路素子及びパッケージングに関する(【0001】。)マルチチップモジュール(MCM)回路パッケージ(一般的には,MCMの語は,2以上の回路素子を有するパッケージのことを指す。)では,場合によっては,複数の電気的及び熱的制限を有するとの課題がある(【0008】,【0013】。)本願補正発明は,このような課題を解決するための装置である。【0039】,装置である。接実装されたインダクタ」との相違点があるにもかかわらず,これを看過した違法がある旨主張する。本件審決のした上記認定の適否について,以下,検討する引用例(甲1)には,次の記載がある。